杨小倩
- 作品数：7 被引量：30H指数：3
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术理学更多>>
- 石墨基金刚石涂层电极的制备及性能研究被引量：4
- 2003年
- 采用固体三氧化二硼,用热丝辅助化学气相沉积法在石墨衬底上沉积了掺硼金刚石涂层。用喇曼谱、扫描电镜及电导 温度关系研究了掺硼金刚石涂层的生长气压和掺硼浓度等主要工艺参数对涂层的形貌、结构及电学性能的影响和涂层的循环伏安特性。结果表明,石墨基金刚石涂层电极具有优良的电化学性能。
- 李荣斌杨小倩胡晓君沈荷生李明利赵国华何贤昶
- 关键词：石墨
- 金刚石涂层电极的制备及其在废水处理中的应用
- 该文利用热丝CVD装置分别在硅和石墨衬底上制备掺硼金刚石涂层电极.详细研究了制备CVD金刚石薄膜的工艺条件、衬底材料及掺杂浓度对薄膜的结构、形貌及其电学、电化学性能的影响.用制备的掺硼金刚石涂层电极处理印染废水,取得了显...
- 杨小倩
- 关键词：电极电学性能电化学废水处理
- 文献传递
- CVD金刚石涂层丝和涂层纤维被引量：3
- 2001年
- 对近年来CVD金刚石涂层丝和涂层纤维以及金刚石涂层纤维复合材料的分类和发展状况做了较全面的介绍 ,并分析了它们的应用前景以及存在的问题。
- 何贤昶沈荷生张志明胡晓君杨小倩万永中
- 关键词：化学气相沉积金刚石薄膜涂层纤维CVD
- CVD金刚石薄膜的掺硼研究被引量：19
- 2002年
- 采用固体三氧化二硼 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行 p型掺杂 ,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究 .结果表明 ,硼确实已掺入金刚石膜中 ;在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞 ;用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面制备电极 ,测试了在不同温度下电流随温度的变化。
- 杨小倩胡晓君沈荷生张志明李荣斌何贤昶
- 关键词：CVD金刚石薄膜掺杂电学性能掺硼
- 金刚石中单空位的分子动力学模拟被引量：3
- 2001年
- 用分子动力学方法模拟了金刚石中单空位的最近邻原子和次近邻原子的弛豫过程 ,计算所用的碳原子间相互作用势为 Tersoff多体经验势 .结果表明 ,单空位的最近邻原子是向外弛豫的 ,平均弛豫幅度约为 2× 1 0 -2 nm,与 ab- inito方法和团簇理论得到的结果一致 ;次近邻原子在空位产生的瞬间是向内弛豫的 ,然后向内、外弛豫振荡 ,其弛豫的平均效果是向外的 ,平均弛豫幅度约为7× 1 0 -4 nm.空位的产生对最近邻原子的弛豫方向影响较大 ;空位产生后 ,最近邻原子被约束在偏离〈1 1 1〉方向约 0 .1 4°弛豫 .最近邻原子和次近邻原子间的平均键长缩短了约 4× 1 0 -3 nm.
- 胡晓君戴永兵何贤昶沈荷生张志明杨小倩蔡珣
- 关键词：金刚石空位弛豫分子动力学晶格畸变键长
- 大面积平整金刚石薄膜的制备被引量：1
- 2001年
- 用热丝CVD的方法在3英寸的硅衬底上生长均匀的金刚石薄膜，应用了在热丝上方加石
墨电极，在形核阶段相对于热丝施加一直流负偏压的预处理方法，使金刚石的成核密度达到1010－
1011/cm2。在3英寸镜面抛光的硅衬底上制备了平整的金刚石薄膜,生长的薄膜用SEM及喇曼光
谱进行了测试。实验发现电极的位置是影响金刚石薄膜均匀性的重要因素。
- 杨小倩沈荷生张志明胡晓HuangJiang万永中何贤昶
- 关键词：金刚石薄膜成核
- CVD金刚石薄膜在钨丝和碳纤维上的制备(英文)
- 2001年
- 用 CVD方法在钨丝和碳纤维上沉积金刚石薄膜。约含有 10000根纤维的纤维束经特殊 处理后分离为单根。生长条件使碳纤维中心在 CVD生长结束后仍保持固态。 CVD金刚石在纤 维上生长的平均激活能为 93.15 kJ/mol。 SEM照片给出了纤维涂层在不同生长条件下的表面和 中心的形貌。纤维内部的石墨碳和外部的金刚石层有很大的不同。钨丝的断裂强度和杨氏模量 的测量表明，具有金刚石涂层的钨丝的断裂强度为 0.567 GPa， 非常接近不具有金刚石涂层的钨 丝的断裂强度。但具有金刚石涂层的钨丝的断裂应变为 4.8％， 比没有金刚石涂层的钨丝的断 裂应变 7％要小得多。这表明了金刚石涂层可以减少钨丝的断裂应力，提高其机械性能。
- 何贤昶沈荷生张志明胡晓君杨小倩万永中
- 关键词：CVD涂层碳纤维钨丝金刚石薄膜
