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杨少峰

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：皖西学院应用数理学院更多>>
发文基金：安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇低维结构
  • 1篇物理模型
  • 1篇界面态
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇硅锗
  • 1篇硅锗合金
  • 1篇发光

机构

  • 1篇皖西学院

作者

  • 1篇杨少峰
  • 1篇张波
  • 1篇吴克跃
  • 1篇宋军
  • 1篇吴兴举
  • 1篇周军

传媒

  • 1篇科技创新导报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅锗薄膜上低维结构的PL发光的物理模型
2009年
采用高温氧化(800℃)和激光辐照低温氧化(300℃)的方法以及用激光直接辐照方法,在硅锗合金薄膜上生成锗纳晶。这两种方法所生成的锗纳晶所对应的光致发光(PL)在可见光范围。其中在606nm处有很尖锐的发光峰。经比较发现:低温氧化的样品所对应的PL光谱比高温氧化的PL光谱有明显的蓝移;在606nm处的PL光谱峰位没有变化;高温氧化的样品在606nm处PL光谱的强度明显增强。提出量子受限和锗纳晶与氧化硅的界面态综合发光模型来解释其PL光谱的产生及变化。
吴克跃宋军吴兴举周军杨少峰张波
关键词：硅锗合金低维结构界面态光致发光
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共1页<1>
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