杨继红
- 作品数：10 被引量：23H指数：3
- 供职机构：沈阳师范大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家攀登计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学更多>>
- 循环形变单晶体驻留滑移带的演化
- 采用三维离散位错静力学方法,利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术对单滑移取向疲劳Cu单晶驻留滑移带(PSBs)形成位错结构的演化进行观察的结果,对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算,给出了PSBs演化过...
- 杨继红李守新李勇柯伟
- 关键词：驻留滑移带
- 文献传递
- 计算机模拟疲劳早期铜单晶中自组织位错结构的演化
- 采用离散的位错动力学方法,计算机模拟循环形变单滑移取向铜单晶中疲劳早期自组织位错花样的形成和演化过程,并与利用SEM-ECC技术所得的实验结果进行了对比。计算机模拟的结果与实验观察较好地吻合。由此提出了在循环形变早期位错...
- 杨继红李勇李守新马常祥李广义
- 关键词：计算机模拟循环形变铜单晶体
- 文献传递
- Cu单晶中疲劳早期位错花样演化的观察与模拟被引量：7
- 2000年
- 采用离散的位错动力学方法，用计算机模拟循环形变单滑移取向Ｃｕ单晶中疲劳早期位错花样的形成和演化过程，并利用扫描电镜电子通道衬度（ＳＥＭ—ＥＣＣ）技术对其进行了观察．计算机模拟结果与实验观察较好地吻合．提出了在循环形变早期位错脉络的形成和演化是从同号的基体位错墙开始的，基体偶极子位错墙是两个异号基体位错墙合并的结果，在偶极子位错墙破碎并演化为基体脉络的过程中螺型位错段起到了重要作用等观点。
- 杨继红李勇李守新马常祥李广义
- 关键词：铜单晶
- 单晶Ni_3Al裂纹扩展的TEM原位观察被引量：8
- 2000年
- 利用透射电镜（ＴＥＭ）原位拉伸在室温下对（１１０）［１１０］取向 Ｎｉ３ＡＩ合金单晶中裂纹的萌生与扩展进行了研究结果表明：裂纹沿之字形路径扩展且裂纹的总体扩展路径与拉伸轴平行迹线分析表明，首先激活的是（１１１）和（１１１）两个主滑移面上的滑移系；其后在 Ｓｃｈｍｉｄ因子为零的两个滑移面上的滑移系激活．为了解释所观察到的现象而建立了一个位错塞积模型位错应力场的计算表明，塞积位错列所产生的应力场导致了第二滑移系的启动。
- 单智伟杨继红刘路李志成谭若兵徐永波
- 关键词：NI3AL单晶透射电镜原位拉伸
- 疲劳Cu单晶驻留滑移带演化的观察及其应力场的计算模拟被引量：2
- 2002年
- 利用扫描电镜电子通道衬度技术,对单滑移取向下,疲劳过程中Cu单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带(PSBs)位错结构的演化进行了观察.观察表明,PSBs的形成可以分为4个阶段,即脉络、通路、萌芽、真正形成完整的PSB位错结构.对以上4个阶段中典型位错结构的演化进行了模拟,并利用三维离散位错静力学方法给出了PSBs演化过程中典型位错结构内应力场的分布,相应地,利用有限元方法计算了外应力场的分布.结果表明:在从基体脉络位错结构到PS-Bs位错结构的演化过程中,内应力的分布是不均匀的.在通路和萌芽的尖端平均内应力没有太大的变化,而此处的平均外应力却比其他区域高,外应力提供了通路和萌芽长大的驱动力.在PSBs与基体边界处,内应力和外应力的值都急剧变化,因此存在切应变的不连续,积累到一定程度就会出现裂纹.
- 杨继红李守新韩恩厚柯伟朱自勇李勇蔡正
- 关键词：驻留滑移带应力场位错结构金属疲劳
- 疲劳Cu单晶驻留滑移带的演化及其内应力场
- 2001年
- 利用扫描电镜电子通道衬度（ＳＥＭ－ＥＣＣ）技术，对单滑移取向疲劳Ｃｕ单晶从基体脉络位错结构到驻留滑移带（ＰＳＢｓ）位错结构的演化进行了观察．且对这个演化过程中典型的位错结构进行了模拟计算，给出了ＰＳＢｓ演化过程中典型位错结构内应力场的分布．结果表明：在从基体脉络位错结构到ＰＳＢｓ位错结构的演化过程中，内应力的分布是不均匀的，位错密集区域（基体脉络和ＰＳＢｓ墙中）比位错贫乏区域（通道中）平均内应力分布相对集中，ＰＳＢｓ夹层与基体相比平均内应力的分布相对较弱，ＰＳＢｓ与基体边界处存在很大的应力差．由观察和计算结果对ＰＳＢｓ演化给出了一个新的可能的演化机制．
- 杨继红李勇李守新马常祥王刚柯伟
- [013]取向Cu单晶体在NaCl水溶液中腐蚀疲劳位错结构的观察
- 2004年
- 利用扫描电镜电子通道衬度技术(SEM-ECC)和透射电子显微镜(TEM)对[013]取向Cu单晶体在空气中和NaCl水溶液中疲劳到饱和的位错结构进行观察。结果表明:在0.5mol/L Nacl水溶液中,腐蚀疲劳饱和位错结构主要是迷宫和脉络位错结构,这与空气中的驻留滑移带(PSBs)和脉络位错结构不同,腐蚀疲劳饱和位错结构的观察表明,介质对疲劳位错结构的影响相当于在其它条件都不变的情况下,增大了疲劳的塑性切应变幅。
- 杨继红贾维平李守新柯伟
- 铜单晶驻留滑移带演化的实验观察与形成机制被引量：3
- 2001年
- 在室温下采取恒塑性应变幅控制研究了单滑移取向[123]铜单晶体的循环形变过程.塑性应变幅为1×10_(-3).通过扫描电子显微镜-电子通道村度(SEM-ECC)技术对同一试样在不同循环周次进行疲劳过程位错组态演化,以及驻留滑移带(PSB)的形成和它的表面形貌观察.对比了不同周次的位错组态,从而把疲劳过程的早期位错演化分为主滑移平面上的主刀型位错和基体位错墙间的螺型位错段起主要作用的两个阶段.同时也提出了一个关于PSB形成的可能机制:当基体位错墙的间距与墙的宽度都达到一临界值时,由于基体位错墙两边的螺型位错段对基体位错墙施加不平衡的作用力,当此力达到临界值时导致基体位错墙的连锁性破坏,从而形成驻留滑移线(PSL).随着循环周次的增加,与PSL相邻的螺型位错段继续作用而最终导致PSB的形成.
- 李勇李守新李广义杨继红
- 关键词：铜单晶体循环形变驻留滑移带位错表面形貌
- 边界条件对离散位错动力学模拟疲劳Cu单晶位错花样的影响被引量：1
- 2003年
- 利用二维离散位错动力学方法,研究了边界条件对计算机模拟疲劳Cu单晶位错花样的影响,结果表明:边界条件在模拟位错花样这类多体问题时是非常重要的;在其它模拟机制均完全相同的情况下,不同边界条件会形成不同的模拟结果,自由空间边界条件是最简单、也是最不现实的边界条件,模拟结果与实验结果相差甚远;而一维最近邻周期性边界条件与二维近邻周期性边界条件的模拟结果基本相同,与Cu单晶早期疲劳位错花样的实验比较吻合。
- 杨继红李守新柯伟
- 铜单晶循环变形饱和阶段疲劳裂纹萌生及表面区域内应力分布的模拟被引量：3
- 2005年
- 利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察了循环变形饱和阶段Cu单晶样品中近表面区域的位错微结构.在样品边缘一些条带状或斑点状呈黑色的位错组织区,利用离散位错动力学方法模拟了该区的位错微观结构,并计算了与此位错微结构相对应的内应力分布.模拟和计算结果表明,黑色区是内应力出现最大值区,即应力集中区,它与驻留滑移带(PSB)中的不均匀变形有关,是疲劳裂纹萌生最可能的位置.模拟和计算结果很好地解释了这一现象.
- 杨继红张新平Y.W.Mai李勇
- 关键词：疲劳裂纹萌生
