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楚天舒

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇原子
  • 1篇原子结构
  • 1篇水分子
  • 1篇吸附位
  • 1篇离子
  • 1篇离子簇
  • 1篇分子
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体性质
  • 1篇SI(100...
  • 1篇硅

机构

  • 1篇山东大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇楚天舒
  • 2篇戴国才
  • 2篇张瑞勤
  • 1篇邢益荣
  • 1篇吴汲安

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 2篇1995
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
硅离子簇的理论研究被引量：1
1995年
本文采用ＭＮＤＯ方法研究了Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋和Ｓｉｎ２＋（ｎ＝２—６）簇的原子结构，得到了一系列稳定的簇结构，并确定出每一类簇所对应的最佳稳定结构．从中发现，无论Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋还是Ｓｉｎ２＋簇，都存在共同的“幻数’，即４，５，６，然而，Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋和Ｓｉｎ２＋对应的稳定结构一般是各不相同的．本文的结构说明，以往人们单纯从中性Ｓｉｎ簇的研究去推断并解释Ｓｉｎ离子族的结构和性质是不恰当的，荷电将改变原子簇的构型．文中还指出了几个以前没有发现的稳定构型．
楚天舒张瑞勤戴国才
关键词：原子结构半导体性质
水分子在Si（100）面上吸附位的确定
1995年
本文用Ｓｉ６６Ｈ５０原子集团模拟Ｓｉ（１００）表面，采用ＣＮＤＯ分子轨道理论方法计算了Ｈ２Ｏ在其上吸附的势能面．确定出Ｈ２Ｏ在Ｓｉ（１００）表面的最佳吸附位为洞位．在桥位Ⅰ、桥位Ⅱ和顶位上吸附时势能依次升高．
张瑞勤楚天舒戴国才吴汲安邢益荣
关键词：水分子半导体
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共1页<1>
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