樊继斌
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高等学校科技创新工程重大项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学更多>>
- 基于硅衬底高介电常数的栅介质材料及其制备方法
- 本发明公开了一种基于硅衬底的高介电常数栅介质材料及其制备方法。主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含阻挡层(1)、La基高介电常数薄膜(2)和保护层(3)，其中，阻挡层(1)采...
- 刘红侠费晨曦范小娇马飞樊继斌许韩晨玺
- 文献传递
- 基于硅衬底高介电常数的栅介质材料及其制备方法
- 本发明公开了一种基于硅衬底的高介电常数栅介质材料及其制备方法。主要解决传统材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差的问题。该栅介质材料自下而上包含阻挡层(1)、La基高介电常数薄膜(2)和保护层(3)，其中，阻挡层(1)采...
- 刘红侠费晨曦范小娇马飞樊继斌许韩晨玺
- 文献传递
- ALD淀积温度对HfO_2高k栅介质材料特性的影响被引量：3
- 2012年
- 采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少.
- 匡潜玮刘红侠樊继斌马飞张言雷
- 关键词：高K栅介质原子层淀积生长温度
- 前驱体和退火温度对Nd_2O_3薄膜组分影响的定量研究
- 2013年
- 采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到185℃后,薄膜的质量得到提高,O/Nd原子比达到1.82,更接近理想的化学计量比,介电常数也从6.85升高到10.32.
- 张旭杰刘红侠范小娇樊继斌
- 关键词：原子层淀积ND2O3
- BUCK型DC/DC开关电源芯片的设计与实现
- DC/DC开关电源以其高效率、集成度高的特点在便携式电子产品中得到了广泛的应用。随着集成电路技术的发展，结构复杂但性能更好的峰值电流模式PWM DC/DC开关电源变换器已经成为市场的主流。
本文介绍了降压型DC...
- 樊继斌
- 关键词：脉冲宽度调制电流模式开关电源芯片设计电子产品
- 文献传递
- 高κ叠层栅MIS结构的实现与性能增强技术研究
- 构成集成电路的主要元件-晶体管尺寸进入45nm工艺节点后，栅介质氧化物的等效氧化层厚度(EOT)要求小于1nm，也就是几个原子层的物理厚度，传统的栅介质SiO2已经达到了使用极限。为了解决栅氧化层过薄引起的栅泄漏电流变大...
- 樊继斌
