沈洪雪
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：合肥工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：安徽省自然科学基金安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 掺氮ZnO薄膜的光致发光特性研究被引量：2
- 2009年
- 采用射频磁控溅射技术,通过改变O2∶N2比在玻璃衬底上制备不同浓度N掺杂的ZnO薄膜,研究了掺杂薄膜的光致发光(PL)特性。观察到370～380nm、390～405nm附近的2个荧光峰。结果表明,随着薄膜中N掺杂量的不同,荧光峰峰位发生了相应的变化,强度也发生了明显的变化。当Ar∶O2∶N2为15∶7∶8时,薄膜中N含量最多,分别在374nm、391nm处出现了发光峰且发光强度最佳,此时薄膜已明显表现出p型ZnO薄膜的特征。
- 沈洪雪李合琴方广志
- 关键词：P型ZNO薄膜荧光光谱红移
- 掺氮氧化锌薄膜的制备和p型转变研究
- ZnO是一种直接带系半导体化合物，其室温禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，光子增益为320cm-1，因此ZnO薄膜作为具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、...
- 沈洪雪
- 关键词：氮掺杂氧化锌薄膜射频磁控溅射
- 文献传递
- 溅射气氛对VO_x薄膜结构及性能的影响
- 2008年
- 溅射总气压一定,通过改变氧氩气体的比例,用射频磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备VO_x薄膜。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、QJ31单臂电桥等测试了不同氧氩比例对VO_x薄膜的晶体结构、表面形貌、成分和电阻的影响。测试分析结果表明,氧氩比是影响VO_x薄膜结构及性能的重要因素。在我们的实验条件下,最佳氧氩比为2:25,电阻温度系数为-2.87%/℃。
- 方广志李合琴沈洪雪宋泽润
- 关键词：射频磁控反应溅射电阻温度系数热致变色材料
- VO_x/TiO_x/Ti多层薄膜的制备工艺与内耗研究被引量：1
- 2009年
- 用磁控反应溅射法在玻璃和钼片衬底上制备VOx/TiOx/Ti多层薄膜。用X射线衍射(XRD)、QJ31单臂电桥、薄膜内耗仪等测试了薄膜的晶体结构、电阻、内耗。分别进行了薄膜的制备工艺与内耗研究。测试分析结果表明:试样的晶体结构、电阻-温度曲线、杨氏模量的突变均表明多层薄膜在66℃左右发生相变。样品的电阻温度系数为-4.35%/℃。并且真空退火有利于二氧化钒相生成。
- 方广志李合琴沈洪雪宋泽润
- 关键词：磁控反应溅射电阻温度系数内耗
- 掺氮ZnO薄膜的制备及其光电性能
- 2009年
- 在保持氩气流量一定,通过改变O2与N2的流量比,以高纯锌为靶材,通过射频磁控溅射技术在石英玻璃衬底上生长氮掺杂ZnO薄膜。采用XRD、荧光光谱、扫描电镜及皮安表对薄膜的晶体结构、光学性能、表面和截面形貌及电学性能进行了表征。结果表明:氮掺杂ZnO薄膜仍具有高度的c轴择优取向;氮以受主杂质形式存在可有效降低薄膜的电阻率;薄膜中氮含量的相对变化是影响ZnO薄膜晶体质量和光电性质的重要因素。
- 沈洪雪李合琴方广志
- 关键词：射频磁控溅射
