王文娟
- 作品数：8 被引量：21H指数：2
- 供职机构：北京邮电大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 用于光电集成的InP基HBT新结构被引量：8
- 2007年
- 对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构是在单HBT(SHBT)的集电区与次集电区间加入特定厚度与掺杂浓度的p-InGaAs层和n-InP层,既适用于集成光探测器,又较好地解决了SHBT反向击穿电压低、传统双HBT(DHBT)电子堆积效应等问题,并具有外延层生长简单、集电区电子漂移速率高等优点。
- 崔海林任晓敏黄辉李轶群王文娟黄永清
- 新型长波长可调谐光电探测器被引量：8
- 2006年
- 通过将GaAs基滤波器与InP基探测器键合在一起,实现了一种新型可调谐的长波长光电探测器。通过热调谐,在13 V的偏置电压下,峰值波长从1 540.1 nm红移到1 550.6 nm,实现了10.5 nm的调谐范围,响应线宽维持在0.6 nm,量子效率也保持在22%左右。从理论上分析了器件的调谐原理,利用传输矩阵法模拟了滤波器的透射光谱,并通过实验加以了验证。
- 王文娟王兴妍黄辉崔海林苗昂李轶群任晓敏黄永清
- 关键词：光电探测器可调谐长波长
- 晶片键合的硼化物表面处理剂及键合方法
- 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001...
- 任晓敏黄辉王文娟宋海兰王琦黄永清
- 文献传递
- 一种具有平顶陡边响应的InP基长波长可调谐光探测器的设计被引量：2
- 2005年
- 在一镜斜置三镜腔型光探测器的基础上提出了一种适用于波分复用系统的具有平顶陡边响应的可调谐光探测器结构。该器件由双半波滤波器结构的滤波腔和具有斜镜结构的吸收腔构成,实现了量子效率与光谱响应线宽间的解耦,具有高响应速度与高量子效率;同时,其光谱响应具有良好的平顶陡边特性和窄的光谱响应线宽,并且具有较大的调谐潜力。
- 黄成黄辉王文娟黄永清
- 关键词：波分复用光探测器量子效率调谐
- 晶片键合的硼化物表面处理剂及键合方法
- 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001...
- 任晓敏黄辉王文娟宋海兰王琦黄永清
- 文献传递
- 基于硼酸溶液处理的GaAs/InP低温晶片键合技术被引量：1
- 2010年
- 提出了一种基于硼酸溶液的GaAs/InP低温晶片键合技术,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的高质量、低温(290℃)晶片键合。GaAs/InP键合晶片解理截面的扫描电子显微镜(SEM)图显示,键合界面整齐,没有裂缝和气泡。通过键合过程,InP上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱结构转移到了GaAs基底上。X射线衍射及荧光谱显示,键合后的多量子阱晶体质量未变。二次离子质谱(SIMS)和Raman光谱图显示,GaAs/InP键合晶片的中间层厚度约为17 nm,界面处B元素有较高的浓度,键合晶片的中间层很薄,因此可以得到较好的电学、光学特性。
- 宋海兰黄辉王文娟黄永清任晓敏
- 关键词：低温键合GAAS/INP
- 低温晶片键合技术及长波长可调谐WDM解复用光接收集成器件的研究
- 本文对低温晶片键合技术及长波长可调谐WDM解复用光接收集成器件进行了研究。主要内容及结果如下：
1.从能量最小原理导出的键合条件出发，结合线性薄板理论分析了宏观上晶片的弯曲度及微观上晶片表面起伏对晶片键合的影响...
- 王文娟
- 关键词：光纤元件晶片键合
- 高速窄线宽可调谐的解复用光接收集成器件及其关键制备工艺
- 任晓敏黄辉黄永清王琦王兴妍刘凯马骁宇张瑞康崇英哲任爱光陈斌叶培大高俊华刘立义周震王文娟黄成崔海林苗昂李轶群雷蕾宋海兰
- 该项目发明了可控自推移动态掩模湿法刻蚀技术，在GaAs基和InP基材料系外延层上分别实现了倾角大范围精密可控、表面平整的楔形(斜镜)结构；发明了一种可用于GaAs/InP基材料之间低温、高质量晶片键合的新型表面化学处理工...
- 关键词：
