您的位置: 专家智库 > >

王瑞敏

作品数:13 被引量:26H指数:4
供职机构:西安交通大学理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程文化科学电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇理学
  • 4篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇散射
  • 4篇教学
  • 4篇GAN
  • 3篇外延膜
  • 2篇知识
  • 2篇知识内容
  • 2篇声子
  • 2篇缺陷模
  • 2篇驻波
  • 2篇物理教学
  • 2篇弦线
  • 2篇理教
  • 2篇可视化
  • 2篇拉曼
  • 2篇拉曼散射
  • 1篇大学物理
  • 1篇氮化镓
  • 1篇衍射
  • 1篇应力
  • 1篇应力松弛

机构

  • 11篇西安交通大学

作者

  • 11篇王瑞敏
  • 7篇陈光德
  • 2篇刘丹东
  • 2篇栗生长
  • 1篇竹有章

传媒

  • 3篇物理与工程
  • 2篇物理学报
  • 1篇Journa...
  • 1篇发光学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇光散射学报

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2009
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2002
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
双缝衍射——联系干涉与衍射的桥梁被引量:4
2004年
分析了双缝衍射在光栅衍射的教学中及干涉与衍射概念的建立中所起的作用
王瑞敏
关键词:高等教育物理教学光学教学双缝衍射衍射
InGaN合金中LO声子-等离子激元耦合模的研究
2009年
分别采用532,488 nm可见光和325 nm紫外光激发,对金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长的六方相InGaN/GaN薄膜样品在室温和78 K低温下的拉曼散射谱进行了研究。在可见光激发时,E2模和A1(LO)模的散射信号主要来自GaN层;采用紫外光激发时,A1(LO)模向低频方向移动且共振增强,此散射信号来自InGaN层。在可见光激发的情况下,在A1(LO)模的高频方向观察到一个宽峰,此宽峰为InGaN的LO声子-等离子激元耦合模,根据耦合模频率得到InGaN层中的电子浓度为ne=1.61×1018cm-3。紫外光激发时,没有观察到耦合模,A1(LO)模散射信号主要来自样品表面耗尽层,由此估算样品中的耗尽层宽度大约在40 nm。此外,还对比分析了在室温和78 K低温下LO声子-等离子激元耦合模的散射强度的变化规律,计算了不同温度下等离子激元的屏蔽波矢。这些结论对于了解InGaN材料的基本性质以及氮化物光电器件的开发利用都有重要参考价值。
王瑞敏陈光德
关键词:拉曼散射光谱
从微课“弦线上的驻波”谈知识内容可视化在物理教学中的作用
2019年
首先介绍了“弦线上驻波”微课设计制作的背景和面对的主要问题。借助现代信息处理和制作技术,在物理微课以及MOOC中,通过引入实验激发学习兴趣,引入模拟动态演示有效降低认知难度。统计数据表明,在微课中引入精心设计的实验、模拟动态演示有助于学习者对教学重难点的理解和掌握,尤其对中等以下水平学生的帮助更大。学习者认为微课的“清晰直观”是区别于传统课堂教学一个基本特点。
刘丹东王瑞敏栗生长
关键词:教学
GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究被引量:1
2006年
对液氮温度下六方相GaN和掺Mg的P型GaN薄膜的拉曼谱进行了对比研究。除对两个样品中主晶格振动模进行了对比分析外,着重讨论了位于247 cm-1的散射峰的产生机制。结果表明GaN:Mg的谱中该峰的散射强度随温度升高先增大再减小,在500K以上消失且对样品重新降温到78K观察此峰不再出现,因此认为它是缺陷产生的振动模。而GaN样品中经同样加热降温的过程此峰仍然存在,说明两个样品中该峰的产生机制不同。此外,在GaN:Mg的谱中还观察到Mg诱导的局域振动模。
王瑞敏陈光德
关键词:GAN缺陷模
MOCVD生长的GaN和GaN∶Mg薄膜的拉曼散射被引量:5
2005年
通过显微拉曼散射对用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在Al2O3 衬底上生长的六方相GaN和掺Mg的p型GaN薄膜进行了研究。在两个样品的拉曼散射谱中同时观察到位于640, 660cm-1附近的两个峰,640cm-1的峰归因于布里渊区边界(L点)最高声学声子的二倍频,而660cm-1的峰为布里渊区边界的光学声子支或缺陷诱导的局域振动模。掺Mg的GaN在该处的峰型变宽是Mg诱导的缺陷引起的加宽或Mg的局域模与上述两峰叠加的结果。在掺Mg的样品中还观察到276, 376cm-1几个局域模并给予了解释。同时掺Mg的GaN中出现了应力弛豫的现象,掺Mg引起的失配位错和电子声子相互作用都有可能对E2 模的频率产生影响。
王瑞敏陈光德LIN J YJIANG H X
关键词:氮化镓拉曼散射应力松弛
GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究
GaN及其合金是一种新型的宽带隙半导体材料,近年来越来越引起人们的关注。目前对GaN材料在低温下散射特性的研究报道较少,低温拉曼散射谱中9550cm之间出现的一系列散射峰的产生机制存在着很大的争议。本文在78K温度下对G...
王瑞敏陈光德
文献传递
InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射被引量:1
2009年
利用325nm紫外光激发,对不同组分的InxGa1-xN薄膜的喇曼散射谱进行了研究.在光子能量大于带隙的情况下,观察到显著增强的二阶A1(LO)声子散射峰.二阶LO声子峰都从一阶LO声子的二倍处向高能方向移动,移动量随样品In组分的增加而增大,认为是带内Frhlich相互作用决定的多共振效应引起的.分析了一阶LO声子散射频率和峰型与In组分的关系.在喇曼谱中观察到样品存在相分离现象,并与X射线衍射的实验结果进行了对比.此外,还观察到位于1310cm-1附近的InxGa1-xN的E2声子组合模.
王瑞敏陈光德
六方相InGaN外延膜的显微Raman散射被引量:7
2006年
用X射线衍射(XRD)技术和显微Raman散射方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的六方相In_xGa_(1-x)N薄膜样品进行了研究,观察到了相分离现象和LO声子-等离子耦合模(LPP+),讨论了In_xGa_(1-x)N的A1(LO)模被屏蔽的主要物理机制.同时,对Raman谱中E2和A1(TO)声子模进行了分析和讨论.在In_xGa_(1-x)N样品的低温Raman谱中还观察到单电子跃迁产生的Raman散射信号.
王瑞敏陈光德竹有章
关键词:RAMAN散射X射线衍射应力
GaN和p型GaN薄膜中声子模和缺陷模的变温喇曼散射(英文)
2005年
研究了MOCVD生长的GaN及掺MgGaN薄膜从78到578K下的喇曼散射谱.在GaN和掺MgGaN的谱中都观察到一个位于247cm-1的峰,此峰被认为是缺陷诱导的散射峰,而非电子散射和Mg的局域模.同时讨论了两个谱中E2和A1(LO)声子峰的频率和线形.在掺MgGaN样品中观察到应力松弛现象.
王瑞敏陈光德Lin J YJang H X
关键词:GANP型GAN喇曼散射缺陷模
从微课“弦线上的驻波”谈知识内容可视化在物理教学中的作用
首先介绍了“弦线上驻波”微课设计制作的背景和面对的主要问题。借助现代信息处理和制作技术,在物理微课以及MOOC中,通过引入实验激发学习兴趣,引入模拟动态演示有效降低认知难度。统计数据表明,在微课中引入精心设计的实验、模拟...
刘丹东王瑞敏栗生长
关键词:教学
共2页<12>
聚类工具0