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王鹰

作品数:20 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院化学研究所更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 12篇专利
  • 7篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 16篇晶体管
  • 15篇场效应
  • 13篇晶体
  • 13篇场效应晶体管
  • 10篇有机半导体
  • 10篇有机场效应晶...
  • 10篇半导体
  • 4篇有机半导体材...
  • 4篇迁移
  • 4篇迁移率
  • 4篇半导体材料
  • 3篇修饰
  • 3篇衍生物
  • 3篇有机薄膜晶体...
  • 3篇噻吩
  • 3篇绝缘
  • 3篇开关比
  • 3篇机场
  • 3篇分子
  • 3篇薄膜晶体

机构

  • 20篇中国科学院

作者

  • 20篇王鹰
  • 19篇刘云圻
  • 16篇于贵
  • 14篇朱道本
  • 12篇狄重安
  • 10篇吴卫平
  • 9篇孙艳明
  • 4篇徐新军
  • 4篇高希珂
  • 4篇邱文丰
  • 2篇王红梅
  • 2篇张德清
  • 1篇李永舫
  • 1篇马永强
  • 1篇张恒君
  • 1篇孙向南
  • 1篇黄煜
  • 1篇刘颖
  • 1篇桑广艺
  • 1篇叶尚辉

传媒

  • 2篇中国化学会第...

年份

  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 10篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
并四噻吩衍生物在有机薄膜晶体管上的应用
<正>有机薄膜晶体管由于在显示器,传感器,和记忆元件等方面的应用前景而受到研究人员的极大重视。本文合成了以并四噻吩为核,苯、连二苯和萘对称取代的三种场效应材料。我们研究了它们在薄
刘颖王鹰刘云圻于贵邱文丰
关键词:晶体管迁移率开关比
文献传递
基于聚合物绝缘材料和并联噻吩的具有高性能的有机薄膜晶体管
Rencently, organic thin-film transistors (OTFTs) have received special attention due to their promise in flexi...
孙艳明刘云圻马永强狄重安王鹰吴卫平于贵胡文平朱道本
关键词:聚乙烯醇有机薄膜晶体管
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一种实现低电压操作有机场效应晶体管的方法
一种低操作电压有机场效应晶体管,包括衬底、栅极电极、绝缘层、修饰半导体层、主体半导体层、源电极和漏电极,由修饰半导体层和有机主体半导体层组成有机半导体沟道,有机半导体沟道其结构为下面是修饰半导体层,上面是有机主体半导体层...
刘云圻吴卫平高希珂王鹰狄重安孙艳明于贵朱道本
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一种实现低电压操作有机场效应晶体管的方法
一种低操作电压有机场效应晶体管,包括衬底、栅极电极、绝缘层、修饰半导体层、主体半导体层、源电极和漏电极,由修饰半导体层和有机主体半导体层组成有机半导体沟道,有机半导体沟道其结构为下面是修饰半导体层,上面是有机主体半导体层...
刘云圻吴卫平高希珂王鹰狄重安孙艳明于贵朱道本
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一种有机半导体材料的场效应晶体管及制备方法
本发明公开一种有机芘氧自由基半导体材料的场效应晶体管和制备方法,其结构包括衬底,栅极,绝缘层,有机芘氧自由基半导体层,源电极和漏电极;其方法包括栅极金属的沉积及图案化;绝缘层的沉积;有机芘氧自由基半导体材料的沉积;源电极...
刘云圻王鹰张德清王红梅狄重安吴卫平孙艳明于贵朱道本
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二苯并四硫富瓦烯四羰基二酰亚胺衍生物及制法和应用
一种二苯并四硫富瓦烯四羰基二酰亚胺衍生物,结构如下:<Image file="200610113646.6_AB_0.GIF" he="86" imgContent="undefined" imgFormat="GIF"...
刘云圻高希珂王鹰邱文丰于贵朱道本
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一种有机半导体材料的场效应晶体管及制备方法
本发明公开一种有机芘氧自由基半导体材料的场效应晶体管和制备方法,其结构包括衬底,栅极,绝缘层,有机芘氧自由基半导体层,源电极和漏电极;其方法包括栅极金属的沉积及图案化;绝缘层的沉积;有机芘氧自由基半导体材料的沉积;源电极...
刘云圻王鹰张德清王红梅狄重安吴卫平孙艳明于贵朱道本
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一种具有高迁移率的有机场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法。该有机场效应晶体管,包括衬底、位于所述衬底上的栅电极、位于所述栅极电极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的由聚合物和偶极分子组成的共混物层、位于所述聚合物和偶极分子共混物层上的有机...
刘云圻吴卫平王鹰于贵朱道本
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从增强型转变成耗尽型的有机场效应晶体管及制备方法
本发明涉及有机场效应晶体管技术领域,公开一种双工作模式有机场效应晶体管及制备方法。包括衬底、栅极电极、绝缘层、插入半导体层、主体半导体层和源电极和漏电极。方法包括栅极金属的沉积;绝缘层的沉积;插入半导体层的沉积及有机主体...
刘云圻吴卫平王鹰孙艳明狄重安徐新军于贵朱道本
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一种具有高迁移率的有机场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种有机场效应晶体管及其制备方法。该有机场效应晶体管,包括衬底、位于所述衬底上的栅电极、位于所述栅极电极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的由聚合物和偶极分子组成的共混物层、位于所述聚合物和偶极分子共混物层上的有机...
刘云圻吴卫平王鹰于贵朱道本
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共2页<12>
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