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章曙东

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：江南大学通信与控制工程学院更多>>
相关领域：理学电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇退火
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇电阻率
  • 1篇少子寿命
  • 1篇双层膜
  • 1篇退火工艺
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇热稳定性研究
  • 1篇硅膜
  • 1篇SIN
  • 1篇SIO
  • 1篇SIO2/S...

机构

  • 2篇江南大学

作者

  • 2篇施正荣
  • 2篇章曙东
  • 1篇朱拓
  • 1篇周国华

传媒

  • 1篇江南大学学报...
  • 1篇第九届中国太...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
退火工艺对SiN膜及SiO_2/SiN双层膜钝化特性的影响
2008年
针对硅太阳电池的背表面钝化，研究了在多晶硅P型衬底上SiN膜及SiO2／SiN双层膜的热稳定性及在不同温度下两种膜的退火特性．通过准稳态光电导衰减法测试其少数载流子寿命，发现SiN膜比较适合于在500℃以内的温度下进行常规炉热退火，而SiO2／SiN双层膜则比较适合在600—700℃之间的温度下进行常规炉热退火．对SiN膜进行链式炉热退火实验表明，低温（700—850℃）条件下表面钝化效果最好．
章曙东周国华张光春施正荣朱拓
关键词：退火
背面钝化氮化硅膜的热稳定性研究
本文主要针对氮化硅膜的背面钝化,研究在单晶硅及多晶硅衬底上氮化硅膜的热稳定性及不同温度下氮化硅膜退火特性.通过测试少子寿命及电阻率,发现单晶硅衬底上氮化硅膜的退火对衬底氧施主效应影响很大,多晶硅衬底上氮化硅膜在合适的退火...
章曙东张光春施正荣朱拓
关键词：氮化硅膜退火少子寿命电阻率
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