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米庆

作品数：4 被引量：9H指数：2
供职机构：清华大学材料科学与工程系更多>>
相关领域：化学工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇BA
  • 3篇PTCR
  • 2篇SR
  • 2篇TIO
  • 2篇掺杂
  • 1篇导体
  • 1篇电学性能
  • 1篇电子补偿
  • 1篇陶瓷
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇耐压
  • 1篇耐压特性
  • 1篇耐压性
  • 1篇耐压性能
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体陶瓷
  • 1篇PTCR陶瓷
  • 1篇YB
  • 1篇钇

机构

  • 4篇清华大学

作者

  • 4篇张中太
  • 4篇米庆
  • 2篇张枫
  • 2篇唐子龙
  • 1篇孙红飞
  • 1篇黄传勇

传媒

  • 4篇功能材料

年份

  • 3篇1999
  • 1篇1998
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Yb掺杂(Ba,Sr)TiO_3系PTCR材料的研究Ⅰ.表面受主态密度的计算被引量：1
1999年
在Ｈｅｙｗａｎｇ 模型的基础上，采用了一种计算ＰＴＣＲ材料表面受主态密度的新方法。通过ｌｎ ρ－ １／ εａｐｐ Ｔ 曲线可以算得材料的表面受主态密度。具体计算了Ｙｂ 掺杂（ Ｂａ ，Ｓｒ）ＴｉＯ３材料的表面受主态密度。
张中太张枫米庆
关键词：PTCR掺杂
Yb掺杂(Ba,Sr)TiO_3系PTCR材料的研究Ⅱ.耐压特性
1999年
本文建立了ＰＴＣＲ 材料的晶界、晶粒微观模型，采用单晶粒的耐压强度表征ＰＴＣＲ 材料的耐压性能。并进一步对Ｙｂ 掺杂的（Ｂａ ，Ｓｒ）ＴｉＯ３ 材料的耐压强度进行了研究。发现Ｙｂ 二次掺杂降低材料的耐压性能，Ｍｎ 二次掺杂提高材料的耐压性能。
张中太张枫黄传勇唐子龙米庆
关键词：PTCR耐压性能
不同掺杂对Yb半导的(Ba,Sr)TiO_3系PTCR材料性能的影响被引量：4
1999年
研究了不同掺杂方式对ＰＴＣＲ材料电学性能的影响。结果表明：Ｙｂ一次掺杂ＢａＴｉＯ３电阻变化为“Ｕ”型曲线，低阻区为０．１ｍｏｌ％～０．３ｍｏｌ％；其移峰效率为３～５℃／ｍｏｌ。二次单一掺杂Ｙｂ提高电阻率，降低升阻比；二次单一掺杂Ｍｎ提高电阻率与升阻比；二次Ｙｂ．Ｍｎ共掺杂可降低电阻率，提高升阻比，并探讨了二者配合作用的机理。Ｙｂ∶Ｍｎ＝１∶１效果最佳。
米庆唐子龙张中太
关键词：PTCR掺杂电子补偿电学性能
Y半导(Ba,Sr)TiO_3系PTCR陶瓷Nb,Mn二次掺杂效果被引量：4
1998年
研究了Ｙ半导（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３系ＰＴＣＲ陶瓷Ｎｂ，Ｍｎ二次掺杂的电学性能及显微结构。探讨了施主与受主的掺杂效果。采用复阻抗方法测量了晶粒、晶界电阻值，初步分析了施受主的缺陷补偿机制。
张中太米庆孙红飞
关键词：半导体陶瓷钛酸钡钇铌
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