纪红
- 作品数：2 被引量：7H指数：1
- 供职机构：天津理工大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 适于SAW器件“AlN/硅”“AlN/金刚石”多层膜制备及结构性能研究
- 近年来，移动通信迅猛发展，使无线电通信频带成为一个有限而宝贵的自然资源。因此它们需要更大的无线频谱宽度和向高频方向发展。声表面波器件正是以高频的特点得到了国内研究人员的关注。AlN作为压电材料可以实现声信号和电信号之间的...
- 纪红
- 关键词：氮化铝薄膜磁控溅射
- 文献传递
- Si(111)和Si(100)衬底上磁控反应溅射制备AlN薄膜被引量：7
- 2010年
- 采用射频磁控反应溅射法在Si(111)和Si(100)两种衬底上制备了AlN薄膜,用X射线衍射(XRD)对AlN薄膜进行了表征,研究了衬底Si(111)、Si(100)取向以及N2百分比对AlN(002)薄膜c-轴择优取向的影响。实验结果表明,Si(100)较适合生长c-轴择优取向AlN薄膜,而且N2百分比为40%时,AlN薄膜的c-轴取向最好,具有尖锐的XRD峰,此时对应于AlN(002)晶向。计算了(002)取向AlN和两种Si衬底的失配度,Si(111)面与AlN(002)面可归结为正三角形晶系之间的匹配,失配度为23.5%;而Si(100)面与AlN(002)面可归结为正方形晶系与正三角形晶系之间的匹配,失配度为0.8%,可以认为完全共格。理论分析和实验结果相符。
- 纪红杨保和李翠平
- 关键词：ALN薄膜射频磁控反应溅射
