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蔡利霞

作品数:7 被引量:22H指数:3
供职机构:西北师范大学物理与电子工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金甘肃省自然科学基金甘肃省高分子材料重点实验室基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇溅射
  • 3篇发光
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇低功率
  • 2篇势能曲线
  • 2篇激发态
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇CASSCF
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底温度
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇电致发光
  • 1篇淀积
  • 1篇多孔硅
  • 1篇氧化硅薄膜
  • 1篇氧化锌
  • 1篇英文
  • 1篇直流磁控

机构

  • 7篇西北师范大学
  • 3篇河南师范大学
  • 2篇洛阳师范学院

作者

  • 7篇蔡利霞
  • 4篇李锡森
  • 4篇李勇
  • 4篇马书懿
  • 3篇李伟
  • 2篇杜丙阁
  • 2篇朱遵略
  • 2篇孙金锋
  • 1篇孙小菁

传媒

  • 2篇甘肃科技
  • 2篇原子与分子物...
  • 2篇功能材料

年份

  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
氧化锌薄膜的制备技术被引量:4
2009年
介绍了氧化锌薄膜的制备方法,主要有物理和化学两种方法。物理方法有:分子束外延法(MBE),脉冲激光溅射沉积法(PLD)以及磁控溅射法;化学方法有:溶液镀膜法和各种化学气相淀积(CVD)。重点讨论了磁控溅射法的优缺点及展望。
李勇马书懿李锡森蔡利霞
关键词:脉冲激光沉积化学气相淀积磁控溅射法
稀土钇掺杂多孔硅光致发光研究被引量:10
2008年
采用电化学方法在多孔硅中掺杂了稀土钇(Y)元素。用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性。多孔硅样品在440nm波长激发下,光致发光谱上主发光峰位于620nm,认为其来源于Si-O复合物的发光中心;多孔硅样品在390nm波长激发下,光致发光谱上主发光峰分别位于527和576nm,并且用量子限制/发光中心模型加以解释。钇掺杂多孔硅样品的光致发光强度明显增强,并且在484nm附近出现新的发光峰。分析结果认为,这是由于钇的掺入,在多孔硅禁带中形成了新的表面能级,从而形成新的发光中心的结果。
李锡森马书懿孙小菁蔡利霞李勇
关键词:多孔硅光致发光
锗/氧化硅和碳/氧化硅薄膜电致发光的比较研究
2009年
分别以锗-氧化硅和碳-氧化硅复合靶作为溅射靶,采用射频磁控共溅射技术在p型硅衬底上淀积了含纳米锗的氧化硅薄膜Ge/SiO2和含纳米碳的氧化硅薄膜C/SiO2。将各样品在氮气氛中经过600℃退火处理30min,然后,在p型硅衬底背面蒸镀铝电极,并经过合金形成良好的欧姆接触,最后,在纳米薄膜上蒸镀半透明的Au膜以形成Au/Ge/SiO2/p-Si和Au/C/SiO2/p-Si结构。当正向偏压在5-12V时,对两种结构的电致发光谱(EL)进行了测量,并对其发光机制进行了讨论。
李勇马书懿蔡利霞李锡森
关键词:电致发光发光中心
应用CASSCF方法精确计算OH分子A^2∑^+态势能曲线被引量:3
2010年
应用Gaussian03程序包中提供的完全活性空间自洽场(CASSCF)方法,采用多种标准基组对OH分子A^2∑^+态的几何结构进行了优化和势能曲线计算、并将计算结果拟合成了解析的Murrell-Sorbie函数.利用得到的解析势能函数进一步计算了该态的光谱常数,并与实验结果进行了比较.此外,本文还给出了一种新的活性空间的选择方法.
朱遵略李伟蔡利霞杜丙阁孙金锋
关键词:激发态势能函数CASSCF
衬底温度对低功率制备ZnO薄膜光学特性的影响
ZnO是一种新型的直接带隙宽带半导体,室温禁带宽度约为3.37eV,激子束缚能高达60meV,可以实现室温紫外激光发射。在大气条件下,ZnO具有六方纤锌矿结构。作为新一代的宽带半导体材料,ZnO具有优异的光学、电学及压电...
蔡利霞
关键词:ZNO薄膜磁控溅射光学特性衬底温度低功率
文献传递
衬底温度对低功率直流磁控溅射ZnO薄膜特性的影响被引量:4
2008年
采用低功率直流反应磁控溅射法,在Si衬底上成功制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪、荧光分光光度计研究了沉积温度对ZnO薄膜微观结构及光致发光特性的影响。结果表明,合适的村底温度有利于提高ZnO薄膜结晶质量;在室温下测量样品的光致发光谱(PL),观察到波长位于440nm左右和485nm左右的蓝色发光峰及527nm左右微弱的绿光峰,随村底温度升高,样品的PL谱中蓝光强度都明显增大,低功率溅射对其蓝光发射具有很重要的影响。综合分析得出440nm左右的蓝光发射应与Zn;有关,485nm附近的蓝先发射是由于氧空位形成的深施主能级上电子跃迁到价带顶的结果,而527nm左右的较弱的绿先发射主要来源于导带底到氧错位缺陷能级的跃迁。生长温度主要是通过改变薄膜中缺陷种类及浓度而影响着ZnO薄膜的发光特性的。
蔡利霞马书懿李伟李锡森李勇
关键词:ZNO薄膜磁控溅射X射线衍射光致发光
BH分子X^1∑^+和B^1∑^+态的理论研究(英文)被引量:1
2009年
本文应用Gaussian03程序包中提供的完全活性空间自洽场(CASSCF)方法,采用标准基组6-311++G(3d,2p)对BH分子X^1∑^+和B^1∑^+态势能曲线进行了单点能计算.在此基础上,利用相关理论将计算结果拟合到Murrell-Sorbie函数得到了与各电子态相对应的光谱常数和力常数,并将计算结果与实验和其他理论结果进行了比较.同时,我们还利用光谱常数与力常数以及Murrell-Sorbie函数之间的关系计算了与实验光谱数据相对应的力常数和Murrell-Sorbie函数,并与CASSCF结果进行了比较得出了一些有价值的结论.最后,对于具有双极小值的B^1∑^+态给出了更精确的定量的信息.
李伟朱遵略杜丙阁孙金锋蔡利霞
关键词:激发态势能曲线CASSCF
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