薛永奇
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 离子束辅助电子束蒸发沉积TiN薄膜及其研究
- TiN是过渡金属氮化物,具有硬度大、熔点高、抗腐蚀性、抗磨损性及抗氧化性好,良好的导电性和导热性,并且具有独特的金黄色,在机械工业、微电子制造业、珠宝装饰业、玻璃制造业、医学和太阳能吸收等领域具有广泛的应用前景,有关它的...
- 薛永奇
- 关键词：氮化钛离子束辅助显微硬度光学性能
- 在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法
- 本发明是一种在硅衬底上实现氮化镓薄膜低温沉积的方法。包括有如下步骤：1)对ECR等离子体空间分布进行诊断；2)对ECR等离子体的基团进行发射光谱分析；3)在硅衬底上先沉积一层TiN过渡层；4)在硅衬底上制备掺杂渐变结构的...
- 陈俊芳李炜孟然薛永奇王燕
- 文献传递
- ECR-MOPECVD低温沉积GaN薄膜的研究
- 宽禁带直接带隙GaN蓝光薄膜材料,具有高亮度、低能耗,GaN材料激发的蓝光辐射和红光、绿光一起构成白光三基色,在平板显示、光存储、蓝光激光器和功率晶体管等光电子领域发挥广泛的应用。
- 陈俊芳李炜郭超峰王燕薛永奇
- 关键词：GAN薄膜
- 文献传递
- 等离子体辅助有机金属(CH_3)_3Ga化学气相沉积GaN薄膜
- 2010年
- 采用ECR等离子体辅助技术,融合化学气相沉积法,在450℃的相对低温条件下于Si(100)衬底上生长出GaN薄膜。对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征,并在制备过程中采集到反应室中N2-(CH3)3Ga等离子体的发射光谱。结果表明,所制备的多晶体GaN薄膜是由N2-(CH3)3Ga等离子体中的活性成分通过复杂的反应生成的,其生长过程符合岛状生长机制。
- 郭超峰陈俊芳符斯列薛永奇王燕邵士运赵益冉
- 关键词：化学气相沉积GAN
