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贺连星

作品数:14 被引量:151H指数:7
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术化学工程理学更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 8篇电气工程
  • 6篇化学工程
  • 6篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 7篇陶瓷
  • 5篇压电
  • 5篇铁电
  • 4篇流延
  • 4篇流延法
  • 4篇内耗
  • 3篇电性能
  • 3篇压电性
  • 3篇压电性能
  • 3篇氧空位
  • 3篇铁电陶瓷
  • 3篇锰掺杂
  • 3篇掺杂
  • 2篇电池
  • 2篇电解质
  • 2篇陶瓷材料
  • 2篇陶瓷燃料电池
  • 2篇铁电材料
  • 2篇燃料电池
  • 2篇PZT

机构

  • 14篇中国科学院
  • 2篇中国科学院上...

作者

  • 14篇贺连星
  • 9篇李承恩
  • 4篇吕之奕
  • 4篇温廷琏
  • 2篇晏海学
  • 2篇朱为民
  • 2篇陈廷国
  • 1篇鲍军
  • 1篇宋煜昕
  • 1篇王志勇
  • 1篇王志超
  • 1篇高敏
  • 1篇张秀荣
  • 1篇朱震刚
  • 1篇倪焕尧
  • 1篇李毅
  • 1篇胡子俭
  • 1篇刘卫

传媒

  • 5篇无机材料学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇化学通报
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料导报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇2000年中...

年份

  • 2篇2001
  • 6篇2000
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1996
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铁电陶瓷材料性能退化机理被引量:2
2000年
对铁电陶瓷材料老化、疲劳及电阻率退化的物理机制进行了综合评述。着重讨论了氧空位与畴界。
贺连星李承恩
关键词:铁电陶瓷
PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗被引量:2
2001年
采用低频倒置扭摆内耗仪对组分为 Pb(Zr0.7Ti0.3)O3 (PZT73)和 Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 (PZT37) 的两种陶瓷的内耗 Q-1及振动频率的平方 f 2(正比于材料的剪切模量 G)与温度的关系进行了 测定。在纯三角相的 PZT73陶瓷中发现两个内耗峰。高温内耗峰 PM起源于材料的顺电-铁 电相变 ,低温内耗峰 P1本质上是一个宽化的 Debye峰,可归因于氧空位作用下的畴壁振荡弛豫。 对纯四方相的 PZT37陶瓷,除了 P1和 PM峰外,在 P1与 PM峰之间另有内耗峰 P2,这与 900畴附 近的氧空位团簇的弛豫有关 ,其特征可用描述强关联系统的关联态模型( Coupling model)描述。
贺连星李承恩陈廷国王志勇晏海学
关键词:内耗PZT陶瓷氧空位畴壁铁电材料
氧化锆粉末特性和有机添加剂对流延法制膜的影响被引量:12
1998年
用四种不同粒径的、全稳定的ZrO2粉料进行了燃料电池电解质厚膜的流延实验.结果表明,流延成膜的最佳料浆组成随粉料粒径有很大变化,随着粉料粒径的减少;所需要的分散剂用量相应增加,同时;所需要的粘结剂与塑性剂用量也必须增加,以确保素坯膜有足够的强度与韧性.此外,料浆粘度对成膜的影响也很大,在所研究的料浆系统中,为了得到好的素坯膜,适中的料浆粘度应控制在400~600mpas(剪切速率为350s-1)范围以内.
贺连星温廷琏吕之奕
关键词:流延法氧化锆粉末陶瓷陶瓷
熔盐法制备CaBi4Ti4O15片状粉体
采用熔盐法合成了铋系层状结构的CaBiTiO片状粉体。利用DTA研究了粉体的合成过程,采用XRD和SEM等手段对粉体的结构和形貌进行了分析,并与固相法进行比较,考查了影响粉体颗粒尺寸和形状的因素。
宋煜昕李承恩晏海学朱为民贺连星
关键词:熔盐法
文献传递
偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究
2000年
用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅铁电陶瓷的内耗进行了研究.在新加工的样品中发现了六个内耗峰,分别位于70℃(P1峰)、 90℃(P2峰)、200℃(P3峰)、260℃(P4峰)、430℃(P5峰)和510℃(P6峰)处.对引起P3、P1、P2和P4峰的物理机制进行了详细探讨.分析结果表明,P3峰的本质是一定化的 Debye弛豫内耗峰。相应的激活能和指前因子分别为1.014V和 2.4×10-14s.它源于氧空位与畴壁的相互作用. P1、 P2和 P4峰与试样的切割加工密切相关,可归结为点缺陷与位错的交互作用.
贺连星李承恩陈廷国刘卫朱震刚水嘉鹏
关键词:内耗畴壁氧空位铁电压电
流延法制备陶瓷燃料电池电解质膜的研究进展被引量:36
1997年
本文介绍了用于陶瓷(固体氧化物)燃料电池电解质膜制备的先进的流延工艺,详细分析了粉料、溶剂、分散剂、粘结剂和塑性剂等主要原材料及其在流延料浆中的作用机理,最后简要地阐述了典型的流延制备工艺过程。
贺连星温廷琏吕之奕
关键词:流延法固体电解质膜燃料电池
锰掺杂对硬性PZT材料压电性能的影响被引量:48
2000年
研究了锰掺杂对PZT材料微结构及压电性能的影响,并用ESR确定了锰在PZT材料中的价态.结果表明,锰在PZT材料中主要以 Mn2+和 Mn3+的方式共存.锰在PZT陶瓷材料中的“溶解度”约为1.5mol%.锰含量<0.5mol%时,Mn将以Mn2+和Mn3+的方式优先进入晶格 Pb位,使材料的压电性能提高,表现出施主杂质特性;锰浓度处于 0.5~1.5 mol%时,部分Mn将以Mn3+或Mn2+的方式进入晶格中(Zr;Ti)位,而此浓度范围内锰掺杂的PZT材料同时表现出“软性”和“硬性”材料的压电特性.锰含量>1.5mol%时,过量的Mn将在晶界积聚,使压电活性降低.少量Fe的存在,可使Mn离子的溶解度降低,并起到抑制Mn2+和
贺连星李承恩
关键词:掺杂PZT压电性能压电陶瓷
大功率PZT材料锰掺杂改性研究被引量:19
2000年
用XRD、SEM、ESR结合常规电性能测试手段 ,研究了锰掺杂对两类大功率PZT材料微结构及压电性能的影响。结果表明 :随着锰含量的增大 ,三角晶相含量增多 ,准同型相界相应向四方相移动。锰在PZT材料中主要以Mn2 +和Mn3 +的方式共存。锰在PZT陶瓷材料中“溶解度”约为 1 .5mol%。添加少量的锰有利于PZT材料晶粒的长大及压电性能的改善 ,而过量的锰则会在晶界积聚 ,抑制晶粒的长大 ,并使材料的压电性能恶化。对两类大功率材料PZTS和PZTM而言 ,锰的最佳添加量分别为 0 .75mol%及 0 .2 5mol%。
贺连星李承恩
关键词:锰掺杂压电性能
全文增补中
铬掺杂对PZT-PMN陶瓷材料性能的影响被引量:18
2001年
采用TEM、SEM、ESR(电子自旋共振)结合常规压电性能测试手段研究了Cr2O3掺杂对PZT-PMN陶瓷的压电性能、微结构及畴态的影响.压电性能测试结果表明,当Cr2O3含量低于0.06Wt%时,可使Kp和Qm同时提高,这说明铬掺杂同时兼具“软掺杂”与“硬掺杂”的双重特性.此外,还发现随着烧结温度的提高,材料性能“硬化”明显.ESR谱分析表明,Cr离子主要以Cr3+和 Cr5+的方式共存,随着烧结温度的提高,它有从高价态 Cr5+或Cr6+向低价态转变的趋势,这一价态变化被认为是材料性能随烧结温度提高而“变硬”的主要原因之一.TEM图片显示,随着掺杂的Cr2O3的浓度的增大,由于氧空位或受主离子与氧空位构成的缺陷复合体对畴壁的钉扎,电畴将从正规带状畴向波纹状畴转变.
贺连星高敏李承恩
关键词:压电性能钛酸铅PMNPZT
流延法制膜技术被引量:26
1996年
流延法制膜技术贺连星,温廷琏,吕之奕(中国科学院上海硅酸盐所,高性能陶瓷及微结构开放实验室,上海200050)流延法(也称括刀成型法)是一种制备大面积、薄平陶瓷材料的重要成型方法。通常,需要在陶瓷粉料中添加溶剂、分散剂、粘结剂与塑性剂等有机成分制得分...
贺连星温廷琏吕之奕
关键词:流延法陶瓷
共2页<12>
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