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邓永洪

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 6篇多晶
  • 6篇多晶硅
  • 6篇多晶硅栅
  • 6篇晶体管
  • 6篇晶体管结构
  • 6篇可集成
  • 6篇硅栅
  • 3篇扩散
  • 3篇高压LDMO...
  • 3篇沟道
  • 3篇LDMOS
  • 3篇场板
  • 3篇场限环
  • 2篇等离子体平板...
  • 2篇等离子体平板...
  • 2篇低压
  • 2篇电路
  • 2篇淀积
  • 2篇平板显示
  • 2篇平板显示器

机构

  • 8篇西安电子科技...

作者

  • 8篇李小明
  • 8篇邓永洪
  • 8篇张丽
  • 8篇庄奕琪

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 5篇2006
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
等离子体平板显示器寻址驱动芯片制备方法
本发明公开了一种等离子体平板显示器选址驱动芯片制备方法。主要解决现有PDP选址驱动芯片的高低压兼容问题和生产成本高的问题。采用在不同的外延块上实现高压VDMOS、LDMOS管，低压NPN、CMOS管的一体化集成，其主要过...
庄奕琪李小明张丽邓永洪
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可集成的高压VDMOS晶体管结构
本实用新型公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层4与衬底1的界面上设有N型埋层2，在N型外延层上设有P型体沟道区11和深N+扩散区5及P型阱6，该P型体沟道区的四周设有P型场限环7...
庄奕琪李小明张丽邓永洪
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可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法
本发明公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层4与衬底1的界面上设有N型埋层2，在N型外延层上设有P型体沟道区11和深N+扩散区5及P型阱6，该P型体沟道区的四周设有P型场限环7，该...
庄奕琪李小明邓永洪张丽
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可集成的高压P型LDMOS晶体管结构及其制备方法
本发明公开了一种可集成的高压LDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在P型衬底1与N型外延层3之间设有埋层2，在N型外延层上设的源、漏区之间设有场氧化层9作为厚栅氧化层，该厚栅氧化层上设有N型多晶硅栅8，其延长部分为...
庄奕琪李小明张丽邓永洪
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可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法
本发明公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层(4)与衬底(1)的界面上设有N型埋层(2)，在N型外延层上设有P型体沟道区(11)和深N+扩散区(5)及P型阱(6)，该P型体沟道区的...
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可集成的高压P型LDMOS晶体管结构及其制备方法
本发明公开了一种可集成的高压LDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在P型衬底1与N型外延层3之间设有埋层2，在N型外延层上设的源、漏区之间设有场氧化层9作为厚栅氧化层，该厚栅氧化层上设有N型多晶硅栅8，其延长部分为...
庄奕琪李小明张丽邓永洪
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可集成的高压P型LDMOS晶体管结构
本实用新型发明公开了一种可集成的高压LDMOS晶体管结构。该结构采用在P型衬底1与N型外延层3之间设有埋层2，在N型外延层上设的源、漏区之间设有场氧化层9作为厚栅氧化层，该厚栅氧化层上设有N型多晶硅栅8，其延长部分为场板...
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等离子体平板显示器寻址驱动芯片制备方法
本发明公开了一种等离子体平板显示器选址驱动芯片制备方法。主要解决现有PDP选址驱动芯片的高低压兼容问题和生产成本高的问题。采用在不同的外延块上实现高压VDMOS、LDMOS管，低压NPN、CMOS管的一体化集成，其主要过...
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