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邱东鸿

作品数:4 被引量:16H指数:2
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇氧化钒薄膜
  • 4篇二氧化钒
  • 4篇二氧化钒薄膜
  • 3篇太赫兹
  • 3篇太赫兹波
  • 2篇相变
  • 2篇赫兹
  • 1篇调谐
  • 1篇调制
  • 1篇性能研究
  • 1篇阈值电压
  • 1篇相变特性
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘体
  • 1篇可调
  • 1篇可调谐
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇邱东鸿
  • 3篇张怀武
  • 3篇文岐业
  • 2篇孙丹丹
  • 2篇陈智
  • 1篇陈智
  • 1篇杨青慧
  • 1篇董凯
  • 1篇赵碧辉
  • 1篇林媛
  • 1篇荆玉兰
  • 1篇赖伟恩

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
金属Pt薄膜上二氧化钒的制备及其电致相变性能研究被引量:4
2013年
通过引入SiO2氧化物缓冲层,在金属Pt电极上利用射频磁控溅射技术成功制备出高质量的VO2薄膜.详细研究了SiO2厚度对VO2薄膜的晶体结构、微观形貌和绝缘体—金属相变(MIT)性能的影响.结果表明厚度0.2μm以上的SiO2缓冲层能够有效消除VO2薄膜与金属薄膜之间的巨大应力,制备出具有明显相变特性的VO2薄膜.当缓冲层达到0.7μm以上,获得的薄膜具有明显的(011)晶面择优取向,表面平整致密,相变前后电阻率变化达到3个数量级以上.基于该技术制备了Pt-SiO2/VO2-Au三明治结构,通过在垂直膜面方向施加很小的驱动电压,观察到明显的阶梯电流跳跃,证实实现了电致绝缘体—金属相变过程.该薄膜制备工艺简单,性能稳定,器件结构灵活可应用于集成式电控功能器件.
邱东鸿文岐业杨青慧陈智荆玉兰张怀武
关键词:二氧化钒薄膜相变特性阈值电压
相变二氧化钒薄膜的制备及其太赫兹调制性能的研究
太赫兹波(Terahertz,THz)通常是指频率在0.1THz-10THz范围内的电磁辐射,处于宏观电子学与微观光子学的过渡区域。太赫兹波在无线通信、雷达成像、物质探测、医疗诊断等多个领域具有重要的应用。推动太赫兹科学...
邱东鸿
关键词:太赫兹波工艺参数
文献传递
二氧化钒薄膜及可调谐太赫兹功能器件研究
绝大多数自然物质对太赫兹波缺乏有效响应,已有电子器件和光学器件也很难直接对太赫兹传输进行控制。太赫兹功能材料和器件的缺乏,严重制约了太赫兹技术向实用化方向发展,成为太赫兹领域亟待解决的关键问题之一。二氧化钒(VO2)薄膜...
文岐业孙丹丹邱东鸿陈智吉言达林媛张怀武
关键词:二氧化钒薄膜太赫兹波
二氧化钒薄膜低温制备及其太赫兹调制特性研究被引量:13
2013年
针对二氧化钒(VO2)薄膜在可调谐太赫兹功能器件中的应用,利用低温磁控溅射技术,在太赫兹和光学频段透明的BK7玻璃上制备出高质量的VO2薄膜.晶体结构和微观形貌分析显示薄膜为单相VO2单斜金红石结构,具有明显的(011)晶面择优取向,结构致密,表面平整.利用四探针技术和太赫兹时域光谱系统分析了薄膜的绝缘体-金属相变特性,发现相变过程中薄膜电阻率变化达到4个数量级,同时对太赫兹透射强度具有强烈的调制作用,调制深度高达89%.通过电学相变和太赫兹光学相变特性的对比研究,证实薄膜的电阻率突变主要与逾渗通路的形成有关,而太赫兹幅度的调制则来源于薄膜中载流子浓度的变化.该薄膜制备简单,成膜质量高,太赫兹调制性能优异,可应用于太赫兹开关和调制器等集成式太赫兹功能器件.
孙丹丹陈智文岐业邱东鸿赖伟恩董凯赵碧辉张怀武
关键词:二氧化钒薄膜太赫兹波调制
共1页<1>
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