郑振华
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
- 供职机构：宁波大学理学院物理系更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程电气工程更多>>
- BaTiO_3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型被引量：3
- 1994年
- 本文分析了BaTiO_3半导体陶瓷的Daniels模型存在的问题,提出了从PTC特性向边界层电容效应过渡的晶界势垒模型,解决了Daniels模型的缺陷,使BaTiO_3半导瓷及其有关器件的物理性能的定量计算成为可能。
- 郑振华缪容之陈羽
- 关键词：半导体陶瓷电容效应
- 《工科物理》的教学目标选择──《工科物理》教学改革初探之二
- 1994年
- 本文提出《工科物理》教学的首要目标不在于个别物理知识的传授，而是培育与发展学生科学思维的能力与品格．《工科物理》对置身于迅速更新换代的技术领域中的未来工程师提供必要的物理基础与新的起点．这门课对造就具有现代意识，开放的认识结构及较高文化品位的人有着十分重要的意义．
- 缪容之郑振华董建峰
- 关键词：工科物理科学思维文化品位
- 半导体陶瓷边界层电容器的性能极限和设计
- 1995年
- 半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物理性能一直没有定量的理论描述,使得器件的设计和制造始终存在许多问题.由晶界势垒模型对半导体陶瓷边界层电容器的物理性能及其极限作定量分析、对边界层电容器的性能作出设计并对提高性能的方法进行探讨.
- 郑振华陈羽缪容之
- 关键词：半导体陶瓷边界层电容器电容器物理性能
- 半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量分析被引量：1
- 1993年
- 电压效应是指材料的物理性能随外加电压变化的现象,在半导体陶瓷中这一现象是很普遍的.目前这一现象还没有定量的理论描述.本文由晶界势垒模型得到了半导体陶瓷电阻率的电压效应的定量结果,并探讨了减弱电压效应的方法.半导体陶瓷的电学性能主要是由晶界附近因电子结构不同而形成的晶界高阻层决定的,而晶界高阻层就是晶界附近的势垒层。
- 郑振华缪容之陈羽
- 关键词：电阻率陶瓷半导体
- 载流子穿越具有双Mott势垒的半导体晶界的输运行为
- 1997年
- 讨论了穿越具有双Ｍｏｔｔ势垒的ｎ型半导体晶界的载流子输运行为，重点分析了受主缺陷扩散层对偏压下晶界势垒、直流电流、非线性特性和电容等的作用。晶界势垒在偏压下的变化决定了载流子穿越晶界的输运行为分为预击穿、击穿和回复三个区域。受主缺陷扩散层的存在改变了势垒及其偏压关系，使电流的变化和非线性特性大幅度加强，很大程度上决定了预击穿区的漏电流；同时也使势垒加宽而减小高频电容。
- 郑振华缪容之
- 关键词：多晶载流子输运
- 扩散极限下n型半导体的晶界附近的准费米能级
- 1994年
- 本文由受主缺陷扩散层模型详细计算了扩散极限下晶界附近的准费米能级的空间变化。对ｎ型半导体费米能级的变化几乎全部落在负偏向的晶界附近的较小的范围内。在受主缺陷扩散层中费未能级的变化是线性的。晶界和正偏向晶粒的费未能级只差一个ｋＴ数量级的值，受主缺陷扩散层存在并不改变该值和外加电压的关系但系数增大。
- 郑振华
- 关键词：N型半导体晶界
- 显微结构对多晶材料的电学性能及其色散的影响
- 1993年
- 本文探讨了显微结构对多晶材料的电学性能及色散的影响,结果表明当晶界的厚度分数减小时,多晶材料的电阻率单调减小,而介电常数存在一个仅和微观电性有关的极大值;显微结构的不均匀性使介电常数和电阻率的色散曲线平化(或色散区域宽化)与介电损耗因子的峰值减小。
- 郑振华
- 关键词：多晶材料电学性能色散显微结构
- BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨晶界势垒模型的应用
- 1996年
- 对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷器件的设计。
- 郑振华陈羽缪容之
- 关键词：陶瓷半导体PTC钛酸钡
