郝震宏
- 作品数：55 被引量：27H指数：4
- 供职机构：中国科学院声学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术交通运输工程更多>>
- 支持层结构对薄膜体声波谐振器谐振特性的影响
- 首先推导出了加入材料介质声损耗的一维Mason模型,并利用该模型分析了支持层结构对FBAR器件谐振特性的影响,包括不同支持层材料及厚度对FBAR器件性能的影响。相对于二氧化硅薄膜而言,氮化硅薄膜更适合于作为FBAR器件的...
- 汤亮郝震宏乔东海
- 关键词：射频微机电系统薄膜体声波谐振器高Q值
- 文献传递
- 偏置电压对硅微电容超声换能器频率的影响分析
- 本文运用有限元方法计算了硅微电容式超声换能器(cMUT)的谐振频率，并考虑了实际换能器工作需要施加直流偏置电压的情况，分别计算了有偏置电压时不同厚度振动膜的谐振频率，分析偏置电压对硅微电容超声换能器谐振频率的影响。
- 郝震宏汤亮乔东海
- 关键词：谐振频率偏置电压
- 文献传递
- 氧化锌薄膜体声波谐振器的研制被引量：1
- 2008年
- 介绍了一种薄膜体声波谐振器和它的制备流程。该谐振器采用氧化锌压电薄膜作为压电材料,通过从硅片背部体刻蚀硅衬底的方法得到谐振器的支持层。为了避免残余应力引起的支持层起皱现象,采用氮化硅/二氧化硅/氮化硅复合膜作为支持层。采用直流磁控溅射的方法制备氧化锌压电薄膜,X射线衍射结果显示,氧化锌压电薄膜C轴择优取向明显,衍射峰半高宽为0.227 3°,显示出较好的结晶质量;扫描电镜观察到氧化锌垂直于薄膜表面的柱形晶粒结构,薄膜表面平整、致密。采用HP8753D射频网络分析仪对该薄膜体声波谐振器样品进行了测试,结果表明,谐振器具有明显的厚度伸缩振动模式,其基频在750 MHz左右,二次谐频在1.5 GHz左右。进一步提高氧化锌压电薄膜的性能,该谐振器可用于射频振荡源和射频前端滤波器中。
- 汤亮郝震宏乔东海汪承灏
- 关键词：薄膜体声波谐振器振荡器双工器射频微机电系统
- 一种薄膜超声换能器及其制备方法
- 本发明涉及一种薄膜超声换能器及其制备方法，该薄膜超声换能器包含电容换能器单元，所述的电容换能器单元由下至上包含电容第二电极(126)、绝缘层(125)、微气隙(130)、支撑部件(128)及压电第一电极(123)，其特征...
- 郝震宏乔东海
- 文献传递
- 一种包含两种极化方向压电薄膜的传感振动膜
- 本发明涉及一种包含两种极化方向压电薄膜的传感振动膜，由由下至上的支撑层、下电极、压电薄膜和上电极组成；其特征在于，所述上电极包括相互分离的第一上电极和第二上电极，所述下电极为公共下电极，所述压电薄膜包括位于第一上电极正下...
- 乔东海郝震宏汤亮田静
- 文献传递
- 圆形振动膜硅微电容传声器
- 硅微传声器是一种用MEMS技术制造的、将声信号转换为电信号的声学传感器.该传声器只需五次光刻工艺即可制作完成,其灵敏度在偏置电压为9V时可达15mV/Pa左右,在100Hz～18kHz的范围内的频率响应也较平坦.
- 田静汪承灏徐联乔东海马军郝震宏魏建辉
- 关键词：微电子机械系统硅微电容传声器
- 文献传递
- 射频磁控溅射法制备ZnO压电薄膜及其性能分析
- 采用射频磁控溅射法制备了ZnO压电薄膜，并在双面抛光的熔融石英基片上制备了高次谐波体声波谐振器进行性能验证。X射线衍射结果显示ZnO压电薄膜C轴择优取向明显，衍射峰半高宽为0.18°，显示出较好的结晶质量。高次谐波体声波...
- 汤亮郝震宏齐敏孙泉乔东海
- 关键词：ZNO压电薄膜射频磁控溅射X射线衍射体声波谐振器
- 2.17GHz高Q射频薄膜体声波谐振器的研制
- ＜正＞1引言消费类电子产品和个人通讯系统市场的快速扩张,引起了对无线通信系统（如掌上电脑、手机、导航系统、卫星通信以及各种数据通信）的极大需求。制备高性能、小尺寸、低成本的单芯片射频系
- 汤亮郝震宏乔东海
- 文献传递
- 支持层结构对薄膜体声波谐振器谐振特性的影响
- 首先推导出了加入材料介质声损耗的一维Mason模型,并利用该模型分析了支持层结构对FBAR器件谐振特性的影响,包括不同支持层材料及厚度对FBAR器件性能的影响。相对于二氧化硅薄膜而言,氮化硅薄膜更适合于作为FBAR器件的...
- 汤亮郝震宏乔东海
- 关键词：射频微机电系统薄膜体声波谐振器高Q值
- 文献传递
- 基于聚酰亚胺振动膜的硅微电容式传声器的制作与模拟
- 郝震宏李剑成乔东海
