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钟旻

作品数：15 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国博士后科学基金中国科学院王宽诚博士后工作奖励基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇相变材料
  • 8篇化学机械抛光
  • 8篇机械抛光
  • 7篇相变
  • 6篇相变存储
  • 6篇相变存储器
  • 6篇存储器
  • 4篇酸性
  • 4篇酸性介质
  • 4篇抛光
  • 4篇清洗液
  • 4篇介质
  • 3篇抛光液
  • 3篇划痕
  • 3篇CMP
  • 3篇超精
  • 3篇超精密
  • 3篇衬底
  • 2篇低功耗
  • 2篇低压低功耗

机构

  • 15篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 15篇钟旻
  • 15篇宋志棠
  • 12篇封松林
  • 9篇刘波
  • 5篇刘卫丽
  • 5篇王良咏
  • 4篇张楷亮
  • 4篇冯高明
  • 2篇张挺
  • 2篇李莹
  • 1篇朱敏
  • 1篇蔡道林
  • 1篇郑鸣捷
  • 1篇何敖东

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇润滑与密封
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2014
  • 3篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2006
  • 1篇2005
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅衬底超精密CMP中抛光液的研究
化学机械抛光(CMP)是当今IC生产的重要工艺之一,本文针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM...
钟旻张楷亮宋志棠封松林
关键词：化学机械抛光抛光速率抛光液
文献传递
硫系化合物相变材料抛光后清洗液
本发明提供了一种相变材料抛光后清洗液，包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水；以清洗液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化剂总量0.01-10wt％，表面活性剂0.01-4wt％，金属防...
王良咏宋志棠刘卫丽刘波钟旻封松林
低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法
本发明提供的低压低功耗、高密度相变存储器单元阵列的制备方法，其首先利用CVD技术在衬底上依次沉积第一介质材料层、相变材料层、第二介质材料层，然后利用90nm以下CMOS工艺标准曝光技术或电子束曝光技术在已形成的结构上制备...
宋志棠冯高明钟旻刘波封松林
文献传递
硅晶片双面超精密化学机械抛光被引量：1
2006年
为提高硅晶片双面超精密抛光的抛光速率,在分析双抛工艺过程基础上,采用自制大粒径二氧化硅胶体磨料配制了SIMIT8030-Ⅰ型新型纳米抛光液,在双垫双抛机台上进行抛光实验.抛光液、抛光前后厚度、平坦性能及粗糙度通过SEM、ADE-9520型晶片表面测试仪、AFM进行了表征.结果表明:与进口抛光液Nalco2350相比,SIMIT8030-Ⅰ型抛光液不仅提高抛光速率40%(14μm/h vs 10μm/h);而且表面平坦性TTV和TIR得到改善;表面粗糙度由0.4728nm降至0.2874nm,即提高抛光速率同时显著改善了抛光表面平坦性和粗糙度.
张楷亮宋志棠钟旻郑鸣捷封松林
关键词：硅晶片化学机械抛光抛光液
硅衬底超精密CMP中抛光液的研究被引量：2
2006年
针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了高速率、高平整的抛光表面.去除速率(MRR)达697nm/min,表面粗糙度(RMS)降低至0.4516nm,在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.
钟旻张楷亮宋志棠封松林
关键词：化学机械抛光抛光速率抛光液
一种相变材料抛光后清洗液
本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、...
王良咏宋志棠刘波刘卫丽钟旻封松林
文献传递
ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型被引量：5
2006年
CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和研究方向提出了展望。
钟旻张楷亮宋志棠封松林
关键词：化学机械抛光平坦化集成电路
一种相变存储器光刻工艺优化方法
本发明涉及一种相变存储器光刻工艺优化方法，包括：步骤(1)：当每片所述晶圆表面不平整度α相同时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第一光刻工艺窗口；步骤(2)：当特定图形的周期和线宽不一致时，在光刻和刻蚀中确定相变存储器的第...
张家睿周智全钟旻冯高明宋志棠
相变存储单元及其制作方法
本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元除半导体衬底、第一电极层、相变材料层、第二电极层和引出电极之外，还包括用于避免所述相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的高阻材料层，所述高阻材料层的阻值至少为所述...
刘波宋志棠张挺李莹钟旻封松林
文献传递
硫系化合物相变材料抛光后清洗液
本发明提供了一种相变材料抛光后清洗液，包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水；以清洗液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化剂总量0.01-10wt％，表面活性剂0.01-4wt％，金属防...
王良咏宋志棠刘卫丽刘波钟旻封松林
文献传递
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