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陈志涛
作品数:
7
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供职机构:
广州有色金属研究院
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发文基金:
广州市应用基础研究专项项目
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘晓燕
广州有色金属研究院
范广涵
广州有色金属研究院
任远
广州有色金属研究院
赵维
广州有色金属研究院
王君君
广州有色金属研究院
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作者
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陈志涛
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范广涵
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刘晓燕
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任远
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年份
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2016
4篇
2014
共
7
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一种LED微型阵列透明显示装置
一种LED微型阵列透明显示装置,包括透明基板及设置在透明基板上的驱动模块和透明无机半导体LED微型阵列,所述驱动模块与透明无机半导体LED微型阵列电连接,所述透明无机半导体LED微型阵列的各LED芯片可从正面出光或背面的...
刘宁炀
龚政
陈志涛
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一种高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法
一种高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法,制造方法是将生长衬底上生长的外延层分成多个芯片,并将每个芯片分成多个独立的子单元,制备子单元的欧姆接触,将子单元依次串联;将芯片转移至高热导性的二次衬底上,去除生长衬底,形成高压...
刘晓燕
陈志涛
刘宁炀
刘久澄
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赵维
范广涵
文献传递
一种LED出光表面纳米钛酸盐层的制备方法
一种LED出光表面纳米钛酸盐层的制备方法,其特征是步骤如下:制备未解离的LED芯片;在LED芯片的出光面沉积厚度为20~500nm平铺或图形排布的钛层;在反应容器中放入浓度1~10mol/L的碱溶液,加热至60~100℃...
刘晓燕
陈志涛
刘宁炀
任远
许毅钦
王巧
范广涵
文献传递
一种LED出光表面纳米钛酸盐层的制备方法
一种LED出光表面纳米钛酸盐层的制备方法,其特征是步骤如下:制备未解离的LED芯片;在LED芯片的出光面沉积厚度为20~500nm平铺或图形排布的钛层;在反应容器中放入浓度1~10mol/L的碱溶液,加热至60~100℃...
刘晓燕
陈志涛
刘宁炀
任远
许毅钦
王巧
范广涵
一种AlGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法
一种AlGaN基垂直结构深紫外LED的制造方法,其特征是步骤如下:在生长衬底1上生长h-BN层2;在h-BN层2上生长过渡层3;在过渡层3上生长非掺杂AlGaN层4;在非掺杂AlGaN层4上生长n-AlGaN层5;在n-...
张志清
陈志涛
刘晓燕
张康
刘宁炀
王君君
贺龙飞
赵维
范广涵
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一种高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法及其结构
一种高压驱动倒装LED薄膜芯片的制造方法及其结构,制造方法是将生长衬底上生长的外延层分成多个芯片,并将每个芯片分成多个独立的子单元,制备子单元的欧姆接触,将子单元依次串联;将芯片转移至高热导性的二次衬底上,去除生长衬底,...
刘晓燕
陈志涛
刘宁炀
刘久澄
任远
赵维
范广涵
AlN/蓝宝石模板上生长的Al_(0.6)Ga_(0.4)N薄膜结构与光学性能研究
2014年
采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板上生长高铝组分Al0.6Ga0.4N薄膜,并采用高分辨率XRD(HRXRD)及阴极荧光(CL)方法对其进行了表征.结果表明,AlGaN薄膜产生了相分离,其原因为厚膜中的应力弛豫及Al原子低的表面迁移率.
王君君
刘宁炀
张康
张志清
赵维
范广涵
张娜
陈志涛
关键词:
AL
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