陈敦军
- 作品数：225 被引量：145H指数：6
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>
- 水质COD的光谱测量装置及测量方法
- 本发明公开了水质COD的光谱测量装置，流通池固定在遮光箱中，至少两面透光，光源固定在遮光箱内表面，探测器固定在光源垂直正下方的遮光箱内表面；第一、二样品池设置于遮光箱外，第一水管连通流通池和待测水样，第二水管连通流通池和...
- 陈敦军张开骁胡立群张荣郑有炓
- 级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用被引量：3
- 2019年
- 为了进一步提升电能转换效率,介绍了一款基于650 V氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)的共栅共源级联(cascode)结构开关管及其在无线电能传输方面的应用。在GaN HEMT器件设计方面,通过仿真讨论了器件的场板设计对电容和电场的影响。所制造的cascode器件在650 V时漏电约为2 μA,在源漏电压400 V时输入电容Ciss、输出电容Coss和反向传输电容Crss分别为1 500 pF、32 pF和12 pF,动态导通电阻升高约16%。基于该款cascode器件设计并展示了一款240~320 kHz、满载功率1 kW的无线充电样机,在200~1 000 W负载范围内效率明显高于Si器件,最高效率超过95%。
- 钱洪途朱永生邓光敏刘雯陈敦军裴轶
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管级联结构无线电能传输
- 新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法
- 铟镓氮表面势垒型太阳电池，选用半导体材料In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>N(0≤x≤1)为光吸收区和In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>N MS或MIS结构表面势垒型太...
- 江若琏谢自力张荣文博周建军刘斌陈敦军郑有炓韩平刘成祥
- 文献传递
- 日盲紫外DBR及其制备方法
- 本发明公开了一种基于AlInGaN三层周期结构的日盲紫外DBR，其结构从下至上依次为：蓝宝石衬底、厚度为d<Sub>1</Sub>的Al<Sub>0.5</Sub>Ga<Sub>0.5</Sub>N模板层、DBR周期层，...
- 陈敦军张荣郑有炓
- 文献传递
- In_(0.2)Ga_(0.8)N化合物肖特基太阳电池
- 2008年
- 制备了一个Au/Pt/In0.2Ga0.8N肖特基原型太阳电池。采用热电子发射(TE)模型和热电子场发射(TFE)模型拟合了肖特基的正向I-V曲线,结果显示两种模型计算所得到的肖特基势垒高度和理想因子非常相近,表明所制备的In0.2Ga0.8N肖特基的电流输运机制主要体现为热电子发射。当采用功率密度为300mW/cm2的氙灯照射时,In0.2Ga0.8N肖特基太阳电池呈现出的开路电压为0.91V,短路电流密度为7mA/cm2,填充因子为0.45,功率转换效率为0.95%。
- 薛俊俊赵红陈敦军谢自力张荣郑有炓
- 关键词：氮化铟镓化合物半导体肖特基太阳电池
- 板料成形模拟中动态边界条件的处理被引量：2
- 2000年
- 采用塑性有限元法对金属板料成形过程进行数值模拟时 ,为获得可信的计算结果 ,需要对工件与模具间动态接触边界条件进行处理。本文在全面分析成形中工件与模具接触边界动态变化的基础上 ,给出了动态边界条件识别与处理的具体方法。通过具体应用实例分析 ,证明了该方法应用于板料塑性成形分析的可行性。
- 向毅斌陈敦军吴诗惇
- 关键词：板料成形有限元模拟
- 表面等离激元增强InGaN／GaN偏振出光LED及其制备方法
- 本发明公开了一种表面等离激元增强InGaN/GaN偏振出光LED，其结构从下至上依次为：基底层、n型GaN层、In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/GaN多量子阱有源层、p型GaN层，其特征在于...
- 张荣张国刚刘斌任芳芳谢自力陈鹏郭旭葛海雄修向前赵红陈敦军陆海韩平施毅郑有炓
- 文献传递
- GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长工艺参数的变化
- 本工作根据现有GaN 金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)生长动力学理论，结合具体的MOCVD 反应腔体的构造，用计算流体力学和动力学蒙特卡罗...
- 符凯张禹陈敦军韩平谢自力王荣华张荣郑有炓
- 关键词：金属有机物化学气相淀积生长速率表面形貌氮化镓薄膜
- 文献传递
- 低功率电流自锁LED控制器
- 本发明公开了一种低功率电流自锁LED控制器，包括整流桥、电阻、电容C1、二极管、三极管、恒流控制单元、电压采样单元、电压偏置单元、开关和LED灯串；电压采样单元的输入端与整流桥的输出端连接，电压采样单元采样输入电压，开关...
- 陈敦军雷建明张荣郑有炓
- 文献传递
- 基于长周期间隔循环式射频磁控溅射技术的AlN薄膜制备方法
- 本发明公开了一种基于长周期间隔循环式射频磁控溅射技术的AlN薄膜制备方法，以AlN陶瓷靶为溅射靶材，在蓝宝石衬底表面进行射频磁控溅射生长AlN薄膜，射频磁控溅射10min后，将电源和进气阀门均关闭，使功率和气体流量降为0...
- 陈鹏郭庄鹏谢自力陈敦军修向前刘斌赵红张荣郑有炓
