陈明
- 作品数：13 被引量：17H指数：3
- 供职机构：上海工程技术大学更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术电子电信更多>>
- QFN引线框架表面缺陷检测方法、系统及设备
- 本发明公开了一种QFN引线框架表面缺陷检测方法，包括，获取包括QFN引线框架阵列和承载所述QFN引线框架阵列的载台的第一图像；对第一图像进行图像分割获得多个QFN引线框架阵列单元图像；对QFN引线框架阵列中的单元图像提取...
- 肖新杰李志伟陈明涂必胜周婕郑照
- 一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法及制备装置
- 本发明涉及一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法及制备装置，属于陷光结构氮化硅薄膜技术领域。一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗石英玻璃（1）；将石英玻璃与氮化硅靶材（3）上、下对应地固定在镀膜设备...
- 江强郭雪梅周细应毛秀娟陈明邵佳佳杨秋杰
- 文献传递
- 磁控溅射屏蔽罩
- 本实用新型公开了一种磁控溅射屏蔽罩，包括由透明材料制成的中空圆柱状的外罩以及空心环形托盘，所述外罩的底端的周面上均匀间隔设有三个开口，所述外罩的底端外周面上还固定设有三个基座，基座内开有通孔；所述空心环形托盘水平设于外罩...
- 毛秀娟周细应裴士轻江强陈明邵佳佳
- 文献传递
- 一种基于模板匹配的引线框架表面缺陷检测方法及装置
- 本发明提供一种基于模板匹配的引线框架表面缺陷检测方法及装置，所述方法包括：建立以亮度划分等级的模板库；获取引线框架上下表面图片，通过模板匹配进行检测区域定位；将模板与ROI区域进行动态差分，采用改进后的孪生神经网络模型对...
- 李志伟郭志慧涂必胜陈明任远红殷志祥
- 低温渗氮技术的研究进展被引量：3
- 2013年
- 简述了低温渗氮的理论依据,总结了低温渗氮技术的研究近况,重点介绍了几种低温渗氮方法的原理和特点。最后指出了低温渗氮技术存在的问题和今后的研究方向。
- 陈明周细应邵佳佳毛秀娟江强
- 关键词：表面改性
- 外加磁场对射频磁控溅射制备铝掺杂氧化锌薄膜影响的研究被引量：8
- 2014年
- 利用射频磁控溅射法制备了铝掺杂氧化锌(AZO)透明导电薄膜,在传统的磁控溅射系统中引入外加磁场,研究了外加磁场对AZO薄膜沉积速率、形貌结构及光电特性的影响.研究结果表明,外加磁场后薄膜的沉积速率从不加磁场的13.04 nm/min提高到了19.93 nm/min;外加磁场后薄膜表面平整致密、颗粒大小均匀,结晶质量较高,而不加磁场薄膜表面形貌呈蠕虫状,薄膜质量较差.溅射时间为90 min时,外加磁场前后AZO薄膜方阻分别为30.74?/和12.88?/.外加磁场对薄膜可见光透过率影响不大,但使薄膜的吸收边蓝移现象更明显.运用ansys软件对磁控溅射二维磁场分布模拟后发现,外加磁场提高了靶上方横向磁场强度,改善了磁场分布的均匀性,加强了磁场对电子的磁控作用,提高了靶电流,是AZO薄膜的溅射速率、光电性能和形貌结构得到提高和优化的原因.
- 陈明周细应毛秀娟邵佳佳杨国良
- 关键词：外加磁场磁控溅射AZO透明导电薄膜
- 磁控溅射法制备AZO透明导电薄膜及其性能的研究
- 透明导电氧化物(TCO)薄膜是广泛应用于太阳能电池、平板显示器和传感器等领域的一类薄膜材料，其在可见光波长范围内的平均透过率超过80％，电阻率一般在10-3Ω·cm以下。锡掺杂氧化铟(ITO)薄膜因为其优异的光电性能是目...
- 陈明
- 关键词：磁控溅射法光电性能
- 文献传递
- 55SiCr弹簧钢低温渗氮的组织和性能研究被引量：2
- 2016年
- 采用喷丸技术作为催渗方法促进渗氮,将经不同喷丸强度处理的55SiCr弹簧钢试样分别在370℃和390℃进行低温渗氮处理12 h,通过金相显微镜、X射线衍射仪和HV-50Z显微硬度仪,对渗层的显微组织、硬度进行分析对比。结果表明:渗氮后弹簧表面硬度提高20%左右,随喷丸强度的提高渗氮层厚度不断加深,最低喷丸强度弹簧试样和最高喷丸强度弹簧试样其渗氮层厚度相差20μm以上。
- 戚文周涛金方杰许浩陈明
- 关键词：弹簧钢喷丸气体渗氮
- 一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法及制备装置
- 本发明涉及一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法及制备装置，属于陷光结构氮化硅薄膜技术领域。一种陷光结构氮化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗石英玻璃（1）；将石英玻璃与氮化硅靶材（3）上、下对应地固定在镀膜设备...
- 江强郭雪梅周细应毛秀娟陈明邵佳佳杨秋杰
- 文献传递
- 外加磁场对磁控溅射制备氮化硅陷光薄膜的影响被引量：3
- 2013年
- 在基底与靶材之间放置磁性强弱不同的永久磁铁来研究外加磁场对磁控溅射制备氮化硅陷光薄膜的影响.通过X射线衍射、原子力显微镜(AFM)以及紫外分光光度计分别测试了外加磁场前后所制备薄膜的组织结构、表面形貌和光学性能.结果表明,外加磁场后,氮化硅薄膜依然呈现非晶结构;但是表面形貌发生明显改变,中心磁场1.50T下,薄膜表面为特殊锥状尖峰结构"类金字塔"的突起,而且这些突起颗粒垂直于基底表面;在可见光及近红外范围内,中心磁场1.50T下的薄膜样品平均透射率最大,平均透射率达到90%以上,比未加磁场的样品提高了近1倍,具有很好的陷光特性.
- 江强毛秀娟周细应苌文龙邵佳佳陈明
- 关键词：外加磁场磁控溅射氮化硅薄膜
