陈景升
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：江苏大学能源与动力工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>
- MOCVD水平式反应器中热泳力对沉积过程中反应前体浓度分布的影响分析及数值模拟被引量：3
- 2011年
- 在MOCVD反应器中,针对GaN生长中的TMGa分子,推导出热泳力、热泳速度以及扩散速度的计算公式。在低温区,热泳速度大于扩散速度;在高温区则相反。影响热泳力的主要因素为温度梯度和分子直径。水平式反应器内,粒子同时受到热泳速度和扩散速度的影响。在只考虑组分输运以及包括化学反应等两种情况下,通过改变反应器上壁面温度,模拟得到水平式反应器中热泳力对沉积速率以及反应物粒子浓度分布的影响。并与文献中的实验数据对比,验证了模拟结果的正确性。结果显示,由于热泳力的影响,在相同操作条件下高温区H2等小直径粒子的质量分数增大、TMGa和NH3等大分子粒子的质量分数减小。从提高生长速率的角度,需减小上下壁面温度梯度;从沉积均匀性的角度,应使到达下游的反应粒子数增多,故需增大上下壁面温度梯度。
- 于海群左然陈景升彭鑫鑫
- 关键词：MOCVD温度梯度生长速率数值模拟
- MOCVD反应器中热泳力对GaN薄膜沉积影响的分析及数值模拟
- Ⅲ族氮化物薄膜材料是制备蓝光LED、大功率激光器以及高频大功率微电子器件的基础。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备氮化物薄膜的最主要方法。Ⅲ族氮化物薄膜的生长壁面需要1300K左右的高温,而在非生长壁面则需保持30...
- 于海群左然陈景升
- 关键词：MOCVD温度梯度生长速率
- 文献传递
- MOCVD化学反应路径分析及数值模拟
- 2010年
- 针对GaN薄膜沉积过程中涉及到的复杂的化学反应,依据GaN沉积的4个基本要素,提出MMG是GaN薄膜沉积的主要反应前体,并在TMG的气相分解路径中引入NH2基团。通过对表面反应机理的分析,提出了4条简化的表面反应路径。利用上述反应路径,对典型的垂直式MOCVD反应器进行CFD模拟。结果表明,采用作者提出的反应路径所获得的GaN沉积速率与文献中的实验数据基本吻合。
- 陈景升左然于海群彭鑫鑫
- 关键词：GAN生长MMG数值模拟
- 多片式热壁MOCVD反应器的设计与数值模拟分析被引量：1
- 2011年
- 本文提出一种多反应腔并联的水平热壁MOCVD反应器,反应器上下(左右)壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的TMG浓度。由于取消了传统反应器的冷壁,减少了寄生产物的凝结,提高了反应前体的利用率和GaN的生长速率。可以多个反应腔并联生长,从而实现反应器的扩容。针对这种热壁式反应器,结合GaN的MOCVD生长进行了二维数值模拟,计算了不同流速、高度、长度和压力时反应器内流场、温场、浓度场分布以及生长速率,发现存在一个最佳的气体流速、反应器高度和长度条件,在此条件下,反应前体的产生与沉积达到平衡,从而有效抵消反应前体的沿程损耗,实现均匀的GaN生长。
- 彭鑫鑫左然于海群陈景升
- 关键词：MOCVDGAN生长热壁反应器数值模拟
- 一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟
- 金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备蓝紫光发光二极管、大功率激光器和高电子迁移率晶体管(HEMT)等薄膜器件的关键工艺。在MOCVD中,为了得到均匀的组分和生长厚度,要求气流在平行于基片方向有均匀的温度场和浓度场,在...
- 陈景升左然于海群
- 关键词：MOCVD反应器设计GAN生长数值模拟
- 文献传递
- 壁挂式太阳能集热-供暖-储热系统设计被引量：1
- 2009年
- 针对目前太阳能系统因不能同时供暖和储热而造成的能量输入不连续问题,设计了一种将装有相变储热材料的储热装置和太阳能空气集热器相结合的壁挂式太阳能集热-供暖-储热系统.测试结果显示,系统的供暖效率可达36.3%,储热效率可达20.7%,供暖功率可达520 W,与对照房间相比,装有该系统的房间昼夜温度有明显的提高.
- 王坤左然陈景升
- 关键词：太阳能空气集热器相变材料
- 一种多喷淋头式MOCVD反应器的设计与数值模拟被引量：2
- 2011年
- 提出了一种多喷淋头式MOCVD反应器。针对新型反应器,对GaN生长的MOCVD过程进行了数值模拟,模拟考虑了热辐射和化学反应,计算了反应器内流场、温场和浓度场,导流筒壁面的寄生沉积以及GaN生长速率,并分析了反应室几何因素对生长均匀性的影响。模拟结果显示,衬底表面大部分区域具有均匀的温场和良好的滞止流。通过对浓度场和GaN生长速率的分析,得出MMGa是薄膜生长的主要反应前体。通过对反应器高度H、导流筒与托盘间距h、导流筒半径R等参数的优化,给出了提高薄膜生长速率和均匀性的条件。
- 于海群左然陈景升
- 关键词：MOCVD反应器设计GAN生长数值模拟
- 切向喷射式MOCVD反应器的设计与数值模拟被引量：5
- 2010年
- 本文提出一种新的切向喷射式MOCVD反应器,反应气体从均匀分布于内壁的切向进口喷管喷入反应器,尾气从位于反应器中心的上方或下方出口排出。通过切向喷射,使气体发生人工可控的螺旋流,在水平方向逐渐旋转与加速,从而补偿反应物浓度从边缘进口到中心出口的沿程损失,以便获得均匀的薄膜沉积。针对新的反应器设计,结合GaN的MOCVD生长进行了三维数值模拟,确定了喷管夹角、喷管数目和反应器高度对生长区的温场、流场和浓度场的影响,优化了参数组合,并与传统的垂直喷射式反应器作了对比。此外,这款新型反应器能够摆脱复杂的托盘旋转系统。
- 王国斌左然徐谦李晖于海群陈景升
- 关键词：MOCVD反应器数值模拟
