陈永权
- 作品数：9 被引量：11H指数：3
- 供职机构：天津大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 与CMOS工艺兼容的硅光电探测器及制作方法
- 一种与互补金属氧化物半导体工艺兼容的硅光电探测器，其特征在于，其中包括：一个p<Sup>－</Sup>型半导体衬底；一个n型阱，该n型阱制作在衬底上；一个6条叉指状的P<Sup>+</Sup>型扩散区，该6条叉指状的P<...
- 毛陆虹李伟陈弘达高鹏孙增辉陈永权
- 文献传递
- 与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器
- 本发明公开了一种高速且与深亚微米射频_互补金属氧化物半导体(RF_CMOS)工艺兼容的硅光电探测器。其采用技术方案是，p<Sup>－</Sup>型半导体衬底内设置有一个深n型阱，n型阱设置于所述衬底上，浅沟槽隔离区设置于...
- 毛陆虹李炜陈弘达陈永权张晓潇
- 文献传递
- 与深亚微米射频工艺兼容的硅光电探测器
- 本发明公开了一种高速且与深亚微米射频_互补金属氧化物半导体(RF_CMOS)工艺兼容的硅光电探测器。其采用技术方案是，p<Sup>-</Sup>型半导体衬底内设置有一个深n型阱，所述衬底上设置有一个n型阱，位于深n型阱的...
- 毛陆虹李炜陈弘达陈永权张晓潇
- 文献传递
- CMOS兼容光电单片接收机的模拟与设计被引量：3
- 2003年
- 设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路 ,其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器 .它采用0 6μmCMOS工艺 ,可在自备的高阻外延片上使用MPW(multi project wafer)进行流水 .其中光电探测器的工作波长为 850nm ,响应度为 0 2A/W ,接收灵敏度为 - 1 6dBm ,带宽为 80 0MHz ,因此适用于VSR(very short reach)系统 .前置放大器采用电流模反馈放大器 ,主放大器输出为LVDS(low voltage differential signals)电平 .通过器件模拟与电路模拟统一的方法将光电探测器与接收机放大电路进行统一模拟 ,分析了电路的限制因素 ,并提出了相应的改进方法 .
- 李炜毛陆虹陈弘达孙增辉高鹏陈永权
- 关键词：单片集成光电探测器
- 单片集成光电探测器与接收机的协同设计(英文)
- 2004年
- 建立了光电探测器的行为模型 .此模型描述了注入光功率与光生电流的关系 ,以及反偏电压对光生电流与结电容的影响 .给出了在统一的 SPICE设计环境中对光电子器件与电路协同设计的方法 ,并对光电探测器与 CMOS接收机电路进行了设计 .
- 高鹏陈弘达毛陆虹贾九春陈永权孙增辉
- 关键词：单片集成协同设计
- CMOS兼容光电探测器及接收机模拟研究与设计
- 近年来，光纤通信系统的迅速发展为信息技术革命奠定了基础。在光纤通信系统中，光接收机扮演了重要角色。单片光电集成(OEIC)是实现高速大容量光通信的根本出路，这是因为它省去了后道的组装工序和组装成本，最大限度地消除了封装、...
- 陈永权
- 关键词：光电集成电路光电探测器光接收机跨阻放大器光纤通信
- 文献传递
- 与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展被引量：5
- 2003年
- 本文概述了近年来该器件的研究与进展,从发光机理、器件研制和应用前景等方面做了详细的叙述。
- 陈弘达孙增辉毛陆虹崔增文高鹏陈永权申荣铉
- 关键词：LEPP-N结CMOS
- 用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径被引量：3
- 2003年
- 介绍了 1 0Gbit/s速率的甚短距离光传输系统VSR(VeryShortReach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成 (OEIC)
- 毛陆虹韩建忠粘华高鹏李炜陈永权
- 关键词：CMOS电路甚短距离传输同步光网络多模光纤互补金属氧化物半导体
- 光子晶体微腔半导体激光器的研究进展
- 2003年
- 概述了光子晶体微腔半导体激光器的研究进展 ,从物理机理、数值模拟、以及工艺实现方法等方面作了详细的叙述 ,并对其在光子集成中的应用前景进行了展望。
- 高鹏毛陆虹李斌桥陈弘达孙增辉陈永权
- 关键词：PBG垂直腔面发射激光器VCSEL光子禁带
