顾永俶
- 作品数：13 被引量：2H指数：1
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院射线束技术与材料改性实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信金属学及工艺更多>>
- 超强圆极化激光脉冲中氢原子阈上电离谱
- 由于激光技术的发展,在实验室中人们已可使聚焦激光束斑的光强达到10 W/cm．这个光强中激光电场比氢原子基态电子所感受到的库仑电场高出数百倍．这是目前人们在实验室中能获得的最高强度的电场．而光强为10w/cm的强激光,预...
- 陈宝振顾永俶
- 文献传递
- 一种新的用于强激光场中原子过程的微扰方法
- 从激光场中氢原子 Schrodinger 方程的空间平移和位相变换形式出发,分析了修饰库仑势的特性,给出了一种新微扰方法。这种方法和以前的方法相比较,以及用这种方法得到的结果与实验结果相比较,都显示了这种新方法的优点。
- 陈宝振顾永俶
- 文献传递
- 激光场中氢原子准能级的数值计算(英文)
- 1997年
- 讨论了外激光场中氢原子修饰势的奇点．为了解Schrodinger方程，提出了一种新的迭代方法．对于圆偏振情况，引进了一种旋转坐标，从而消去了哈密顿量中的时间变量，因此Schrodinger方程变成定态形式．对激光场中氢原子修饰态的准能级进行了数值计算．基态和低激发态的准能级随外激光场参量αc的变化比较显著，而高激发态的准能级则变化很慢．
- 田人和李介平顾永俶
- 关键词：激光场氢原子
- 强束流离子注入形成SOI结构时的温升效应的计算被引量：1
- 1993年
- 本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量大于150keV和注入剂量率超过1×10^(15)/cm^2·s时,对于一般的散热系统来说(传热系数H≈2×10^(-2)W/cm^2K),温升效应将是严重的。恒流、脉冲、扫描三种注入方式比较起来,以扫描注入的温升和温度波动为最严重,恒流注入为最低。目前,在低束流情况下,大多采用热靶(400—700℃)来制造 SIMOX或SIMNI材料,本文的计算结果指出,当剂量率超过8×10^(14)/cm^2·s时,晶片温度将超过1000K(H取2×10^(-2)W/cm^2K),这时将没有必要再用热靶,用室温靶就能满足温度要求。本文给出的理论计算方法对其它材料(如金属、陶瓷等)仍可应用。
- 田人和顾永俶卢武星张荟星
- 关键词：离子注入SOI结构
- 圆偏振激光场中氩原子的准能级计算
- 用旋转坐标方法消除了圆偏振激光场中氢原子哈密顿量中的时间变量。定态薛定谔方程经变量分离后可用来计算光场中氢原子的准能级值。用 Numerov 方法计算了低频圆偏振激光场中氢原子准能级随光场参数 a的变化。a=A/cω,式...
- 田人和李介平顾永俶
- 文献传递
- X射线通过圆柱型空心导管传输时的理论研究
- ＜正＞近一二十年以来,由于同步辐射的广泛应用,以及超大规模集成电路光刻向短波长发展和激光等离子体相互作用诊断（特别是惯性约束聚变和 X 射线激光）的需要等原因激发了 X 射线光学研究从长期沉寂走向复苏,开辟了 X 射线在...
- 陈宝振顾永俶
- 文献传递
- 金属中强束流离子注入的温升效应
- 1993年
- 根据非线性热传导方程,用有限差分方法计算金属中强束流离子注入的温升效应给出了温升和温度分布曲线,以及样品表面温度与离子能量、剂量率、靶座温度。
- 田人和顾永俶卢武星林文廉张通和张荟星
- 关键词：离子注入碳素钢工具钢
- Ti＋C双离子注入GCr15钢表面改性工艺研究被引量：1
- 2008年
- 采用Ti＋C双离子注入GCr15轴承钢，使其表面硬度增加，摩擦系数降低，增强了GCr15钢表面抗磨损特性。同时发现，离子注入时金属基体的温升效应对表面改性效果具有显著的影响。通过对比分析，获取了最佳处理工艺参数。
- 顾永俶丁晓纪顾畅
- 关键词：离子注入表面改性回火
- 后注Ar^+对高能注P^+硅中二次缺陷的影响
- 1992年
- 用剖面的电子显微术(XTEM)研究了后注Ar^+对高能注P^+硅中二次缺陷的影响。结果表明,后注Ar^+像后注Si^+一样能够减少高能注P^+硅中的二次缺陷。但这种效果与退火过程密切相关,退火应该在后注Ar^+之后,而不是在其之前。实验还发现,在适当退火条件下,后注Ar^+产生的新二次缺陷比后注Si^+产生的要少一些。物理机制分析认为,后注Ar^+减少二次缺陷的物理机制与后注Si^+的是相似的。
- 田人和卢武星顾永俶高愈遵
- 关键词：离子注入硅
- 强流离子束辐照加热过程的数值计算
- 1992年
- 考虑瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了强流恒定离子束辐照过程的温度效应.由温升曲线的计算可知,对中等以上的注量率(>10^(13)cm^(-2)s^(-1))来说,快速注入过程都将是非稳态的,由此可知对强流离子束辐照过程进行瞬态热传导分析是必要的.若注量固定,晶片表面温度与离子能量的关系在低能部分(<100keV)很平缓,在高能部分很陡峭,在大注量注入情况下,降低靶座温度以抑制晶片表面温升是可行的方法之一.
- 田人和顾永俶贺凯芬卢武星张荟星
- 关键词：离子注入离子束辐照
