黄国俊
- 作品数：6 被引量：14H指数：3
- 供职机构：西安工业大学光电工程学院陕西省薄膜技术与光电检测重点实验室更多>>
- 发文基金：陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 离子束辅助沉积非晶硅薄膜红外光学特性研究被引量：3
- 2011年
- 为了得到非晶硅（a-Si）薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系,采用Ar离子束辅助电子束热蒸发技术制备a-Si薄膜,并利用椭偏仪和分光光度计测量了薄膜的光学常数,分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对a-Si薄膜折射率和消光系数的影响.实验结果表明：影响a-Si薄膜光学常数的主要工艺因素是沉积速率和基底温度,工作真空度的影响最小.当沉积速率和基底温度升高时,薄膜的折射率先增大后减小;当工作真空度升高时,薄膜的折射率增大.在波长1~5μm之间,a-Si薄膜的折射率变化范围为2.47~3.28.
- 潘永强黄国俊
- 关键词：非晶硅薄膜电子束蒸发离子束辅助沉积
- 硅/锗掺杂类金刚石薄膜特性研究
- 类金刚石(diamond-like carbon，DLC)薄膜是一种亚稳态的非晶碳膜，它具有诸多类似于金刚石薄膜的优异性能。在光学方面，由于DLC薄膜在红外区透明，且具备高硬度、耐磨损等性能，因此常用作红外窗口的增透膜和...
- 黄国俊
- 关键词：类金刚石薄膜力学特性
- 离子束辅助沉积非晶硅薄膜红外光学特性研究
- 非晶硅（a-Si）薄膜是一种重要的红外光学薄膜材料,为了得到非晶硅（a-Si）薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系。在正交试验的基础上,采用Ar离子束辅助电子束热蒸发技术在K9光学玻璃上制备a-Si薄膜。利用美国J.A....
- 黄国俊潘永强
- 关键词：非晶硅薄膜电子束蒸发离子束辅助沉积
- 文献传递
- 锗掺杂类金刚石薄膜特性研究
- 类金刚石(diamond-like carbon,DLC)薄膜是一种亚稳态的非晶碳膜,它具有诸多类似于金刚石薄膜的优异性能。在光学方面,由于DLC薄膜在红外区透明,且具备高硬度、耐磨损等性能,因此常用作红外窗口的增透膜和...
- 潘永强黄国俊
- 文献传递
- 电子束热蒸发非晶硅薄膜红外光学特性被引量：5
- 2011年
- 采用Ar＋离子束辅助电子柬热蒸发技术制备非晶硅（a-Si）薄膜，利用正交实验研究了薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系。采用椭偏仪和分光光度计分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对非晶硅薄膜的折射率和消光系数的影响。实验结果表明：影响a-Si薄膜光学特性的主要因素是沉积速率和基底温度，工作真空度的影响最小。随着沉积速率和烘烤温度的升高，a-Si薄膜的折射率先增大后减小；工作真空度越高，薄膜的折射率越大。a—Si薄膜在波长1～5μm之间，折射率变化范围为2．65～3．38。当沉积速率为0．6nm／s、基底温为120oC、工作真空度是1．0×10吨Pa时，获得的a—Si薄膜的光学特性比较好，在3μm处薄膜的折射率为2．87，消光系数仅为1．67×10^-5。
- 潘永强黄国俊
- 关键词：非晶硅薄膜电子束蒸发
- 锗掺杂类金刚石薄膜特性研究被引量：6
- 2012年
- 为了降低类金刚石（DIE）薄膜的应力，使用脉冲真空电弧离子镀（PVAD）和电子束热蒸发相结合的复合沉积技术，在Si基底上制备了一系列不同锗含量（原子百分比）的Ge-DIE薄膜样片，研究了锗含量对DIE薄膜光学特性和力学特性的影响。研究结果表明：在1-5肿波段，当锗掺杂含量小于25％时，对DIE薄膜光学常数的影响不大；随着Ge含量的增加，DIE薄膜的折射率和消光系数都略微增大。随着DLC薄膜中ce含量的增加，薄膜的内应力和硬度均有所降低。当DLC薄膜中Ge含量约为8％时，Ge-DLC薄膜的内应力从6．3降至3．0GPa，而硬度仅从3875减小为3640kgf/mm2，几乎保持不变。硅基底上单面沉积Ge的含量为8％的DIE薄膜在红外3-5ban波段的透过率峰值约为63．15％。
- 潘永强黄国俊杭凌侠
- 关键词：光学常数应力
