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黄建亮

作品数：28 被引量：15H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国航空科学基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生核科学技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 10篇会议论文
  • 6篇期刊文章

领域

  • 18篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 24篇探测器
  • 18篇红外
  • 13篇红外探测
  • 13篇红外探测器
  • 8篇光电
  • 8篇INAS/G...
  • 8篇超晶格
  • 7篇光电探测
  • 7篇光电探测器
  • 6篇晶格
  • 5篇锑化物
  • 4篇红外光
  • 4篇半导体
  • 4篇波段
  • 3篇电极
  • 3篇钝化层
  • 3篇雪崩
  • 3篇雪崩光电探测...
  • 3篇微米
  • 3篇分子束

机构

  • 28篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...

作者

  • 28篇黄建亮
  • 27篇马文全
  • 24篇张艳华
  • 12篇曹玉莲
  • 7篇卫炀
  • 6篇崔凯
  • 6篇黄文军
  • 6篇刘珂
  • 5篇郭晓璐
  • 3篇杨涛
  • 3篇李琼
  • 2篇陈良惠
  • 2篇罗帅
  • 1篇陈涌海
  • 1篇霍永恒
  • 1篇邵军
  • 1篇赵成城

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇第十一届全国...
  • 1篇光子学报
  • 1篇航空兵器
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇第十届全国分...

年份

  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
共 28 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
长波及窄带双色InAs/GaSb二类超晶格红外探测器
我们已经生长出质量极高的两种不同界面类型的长波超晶格材料，其中InSb界面类型和混合界面类型的长波p-i-n型器件结构的X射线双晶衍射卫星峰半宽分别为24和17弧秒(图1)，应变在10-4量级，材料的XRD半宽是目前世界...
张艳华马文全卫炀黄建亮曹玉莲崔凯郭晓璐
一种抑制锑化物超晶格红外探测器表面泄露电流的方法
一种抑制锑化物超晶格红外探测器表面泄露电流的方法，包括以下步骤：S1：在衬底上依次生长缓冲层、下欧姆接触层、光吸收层、上欧姆接触层和掩膜层，形成整体器件；S2：所述整体器件包含多个周期阵列排布的单元器件，去除单元器件部分...
黄建亮马文全张艳华
文献传递
基于Ⅱ类超晶格的中波红外带间级联探测器(特邀)
2023年
为了提高红外探测器的工作温度,基于InAs/GaSb II类超晶格材料设计了一种五级带间级联结构中波红外光电探测器,并采用分子束外延技术和标准化光刻及刻蚀技术进行了器件的制备。在77 K时,该器件的50%截止波长是4.02μm,在0 V时峰值探测率为1.26×10^(12) cm·Hz^(1/2)/W;在300 K零偏压下,该器件的50%截止波长是4.88μm,峰值探测率为1.28×10^(9) cm·Hz^(1/2)/W,实现了高温探测。从180 K到300 K,器件的暗电流主要由扩散电流主导。在77 K到220 K温度范围的暗电流曲线中观察到了负微分电阻现象,并解释了峰谷电流比相对于温度变化的趋势。研究结果表明,具有带间级联结构的T2SL探测器可以进行室温工作,在中波范围内有比较明显的优势。
薛婷黄建亮鄢绍龙张艳华张艳华
关键词：半导体探测器分子束外延INAS/GASB超晶格
中远红外雪崩光电探测器
本发明公开了一种中远红外雪崩光电探测器，包括：至下而上依次连接的衬底、缓冲层、下欧姆接触层、倍增层、电荷层、渐变层、吸收层和上欧姆接触层，且衬底和缓冲层的掺杂类型为n型；或至下而上依次连接的衬底、缓冲层、第二欧姆接触层、...
黄建亮马文全
文献传递
GaSb/GaAs二型自组装量子点材料生长及光学性质
零维结构的量子点,能够在三个生长方向限制电子或空穴,具有独特的光学和电学性质,因此被广泛应用于激光器、探测器以及存储器的研究中。相对于研究较为成熟的一型异质结构(type-Ⅰ)InAs/GaAs量子点体系,GaSb/Ga...
崔凯马文全卫炀黄建亮张艳华曹玉莲郭晓璐
关键词：量子点材料光电性质
含有AlGaAs插入层的InAs/GaAs三色量子点红外探测器被引量：1
2016年
本文报道了采用分子束外延技术制备的三色In As/Ga As量子点红外探测器.器件采用nin型结构,吸收区结构是在In Ga As量子阱中生长含有Al Ga As插入层的In As量子点,器件在77 K下的红外光电流谱有三个峰值:6.3,10.2和11μm.文中分析了它们的跃迁机制,并且分别进行了指认.因为有源区采用了不对称结构,所以器件在外加偏压正负方向不同时,光电流谱峰值的强度存在一些差异.不论在正偏压或者负偏压下,当偏压达到较高值,再进一步增大偏压时,都出现了对应于连续态的跃迁峰强度明显下降的现象,这是由量子点基态与阱外连续态的波函数交叠随着偏压进一步增大而迅速减小导致的.
刘珂马文全黄建亮张艳华曹玉莲黄文军赵成城
关键词：量子点红外探测器光电流谱分子束外延
超短波至中波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的研究
本文报道了采用分子束外延设备(MBE)在非有意掺杂的GaSb衬底生长InAs/GaSb二类超晶格红外探测器,分别实现了超短波(＜2微米),短波(2-3微米)以及中波(3-5微米)红外探测.在77 K下,超短波范围内对应的...
黄建亮马文全张艳华曹玉莲刘珂黄文军陆书龙
基于InAs/GaSb二类超晶格材料的1-5微米红外探测器研究
本文采用分子束外延设备(MBE)在非有意掺杂的GaSb 衬底生长InAs/GaSb 二类超晶格红外探测器,分别实现了超短波(<2 微米),短波(2-3 微米)以及中波(3-5 微米)红外探测.在77 K 下,超短波范围内...
黄建亮马文全张艳华曹玉莲刘珂黄文军陆书龙
把二类超晶格探测器的探测波长推到1微米
We report on a short wavelength p-i-n detector using InAs/GaAsSb type-Ⅱ superlattices(T2SL)with inserting AlSb...
张艳华马文全黄建亮曹玉莲刘珂黄文军赵成诚
近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法
本发明公开了一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值<Image file="DDA0000483533920000011.GIF" he="...
李琼马文全张艳华黄建亮
文献传递
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共3页<123>
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