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黄金华

作品数:45 被引量:17H指数:2
供职机构:中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金宁波市自然科学基金宁波市国际科技合作项目更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 37篇专利
  • 8篇期刊文章

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 20篇透明导电
  • 17篇导电薄膜
  • 17篇透明导电薄膜
  • 13篇电池
  • 10篇太阳电池
  • 6篇溅射
  • 5篇电阻率
  • 5篇氧化锌
  • 5篇陶瓷
  • 5篇透过率
  • 5篇硅薄膜
  • 5篇硅基
  • 5篇硅基薄膜
  • 4篇氧化锌陶瓷
  • 4篇退火
  • 4篇网格
  • 4篇锌层
  • 4篇薄膜太阳电池
  • 4篇波长
  • 4篇波长范围

机构

  • 42篇中国科学院宁...
  • 8篇宁波大学
  • 2篇上海大学
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇宁波材料所杭...

作者

  • 45篇黄金华
  • 42篇宋伟杰
  • 24篇杨晔
  • 20篇李佳
  • 12篇兰品军
  • 10篇王维燕
  • 10篇鲁越晖
  • 8篇谭瑞琴
  • 6篇曾俞衡
  • 6篇朱科
  • 5篇张贤鹏
  • 3篇朱超挺
  • 2篇刘超
  • 2篇翟小利
  • 2篇李佳
  • 2篇王林青
  • 2篇张宇龙
  • 2篇许炜
  • 2篇黄俊俊
  • 2篇冯泉妤

传媒

  • 5篇材料导报
  • 1篇化学进展
  • 1篇宁波大学学报...
  • 1篇中国科学:技...

年份

  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
45 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅纳米晶的制备及其在太阳电池中的应用研究被引量:1
2015年
硅纳米晶由于量子限域效应的作用而产生了多种不同于体硅材料的新特性,如荧光效应显著、光学带隙可调等,因而在微电子、光伏、生物医学等领域受到极大的重视。本文介绍了分立的硅纳米晶颗粒和硅纳米晶薄膜的制备方法,并对比了不同方法制备硅纳米晶体的优缺点。着重介绍了硅纳米晶体在太阳电池中应用的几种方式,包括利用纯硅纳米晶薄膜制备太阳电池、硅纳米晶体与有机薄膜基质结合形成复合结构太阳电池、含有硅纳米晶颗粒的硅墨水在太阳电池中的应用等。
刘超谭瑞琴曾俞衡王维燕黄金华宋伟杰
关键词:硅纳米晶硅量子点太阳电池
一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法
本发明公开了一种超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜及其制备方法,该超薄铝掺杂氧化锌透明导电薄膜从下至上依次包括基片、AZO籽晶层和AZO主体层,AZO籽晶层厚度为5~20nm,AZO主体层厚度为100~180nm,该超薄铝掺杂...
杨晔王木钦朱科黄金华兰品军宋伟杰
文献传递
超薄金属透明导电膜及其应用研究进展被引量:8
2019年
透明导电薄膜被广泛地应用于显示、太阳能电池、发光二极管等光电子器件。近年来,随着信息技术和新材料的不断革新,柔性电子器件在显示、能源及可穿戴等领域得以迅速发展,这对透明导电薄膜的柔性化提出了新的挑战。相比于其他类型柔性透明导电薄膜,超薄金属导电薄膜具有柔性好、导电性好、光电性能均匀、稳定性好、成本低和可大规模制备等优点,有望成为替代ITO的理想材料。超薄金属薄膜的生长和其光电特性息息相关。与常规电介质衬底相比,金属普遍具有较大的表面能,因而金属薄膜在衬底表面通常按照岛状模式生长,阈值厚度高。对薄膜厚度低于阈值厚度的金属薄膜而言,在电学特性方面,纳米团簇形貌使电子在薄膜晶界和表面被过多散射,电子迁移率受到抑制,从而导致电阻率较高。而在光学特性方面,离散的纳米团簇也会引起局域表面等离子体共振,使超薄金属薄膜的透过率曲线在特定波长处明显下降。尽管进一步增加薄膜厚度可以降低电阻率,但厚度的增加会使透过率下降。因此,金属薄膜的超薄、低阈值厚度连续生长是同时获得良好的光学和电学特性的关键。已有的降低超薄金属薄膜阈值厚度的方法包括添加氧化物缓冲层和金属种子层、表面处理、掺杂及低温沉积等。其中添加氧化物的方法因可选择材料种类丰富、制备工艺简单可控等优点,成为制备超薄金属薄膜最普遍的方法;引入金属种子层和掺杂的方法可有效提高金属薄膜的润湿性,然而,其他金属的引入会带来薄膜光学损耗的问题;表面处理的方法对薄膜光学性能的影响较小,其利用聚合物分子层的官能团与金属原子间的键合作用抑制金属原子的扩散;对温度精确控制的要求较高和设备昂贵使低温沉积法的推广面临挑战。本文概述了超薄金属透明导电薄膜的最新研究进
许君君黄金华盛伟王肇肇赵文凯李佳杨晔万冬云宋伟杰
一种高载流子浓度的超薄AZO透明导电薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高载流子浓度的超薄AZO透明导电薄膜及其制备方法,该超薄AZO透明导电薄膜从下至下依次包括基片、锌层和AZO层,锌层和AZO层的总厚度小于120nm,其中锌层的厚度为2~10nm,AZO层的厚度为35~1...
杨晔王木钦黄金华兰品军宋伟杰
文献传递
硅异质结太阳能电池用透明导电氧化物薄膜的研究现状及发展趋势
2023年
硅异质结(SHJ)太阳能电池是目前光伏产业中的重要组成部分,其由于具有高开路电压(V_(oc))等优点而引起了广泛的关注。在硅异质结太阳能电池中,透明导电氧化物(TCO)薄膜层的光学性能和电学性能分别影响着电池的短路电流(J_(sc))、填充因子(FF),进而影响电池的转换效率。近年来,SHJ电池中TCO层的研究主要集中于掺杂的In 2O 3和ZnO体系。本文从硅异质结太阳能电池的不同结构出发,概述了TCO薄膜的光电性能(透过率、禁带宽度、方块电阻、载流子浓度、迁移率和功函数)以及与相邻层的接触对电池性能的影响,介绍了不同体系的透明导电氧化物薄膜在硅异质结太阳能电池中的应用及研究现状,并展望其未来的发展趋势。
夏鹏傅萍黄金华李佳宋伟杰
关键词:透明导电氧化物薄膜迁移率
一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法
本发明公开了一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法,采用离子束辅助磁控溅射技术,以硼原子的掺杂量为0.02~0.2at%的硼掺杂单晶硅作为磁控溅射靶材进行溅射,本底真空度为10<Sup>?4</Sup>~10<S...
王维燕王林青黄金华黄俊俊曾俞衡宋伟杰谭瑞琴
文献传递
一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法
本发明公开了一种双结构绒面ZnO基透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)获得含有大颗粒的溶液A;2)获得含有小颗粒的溶液B;3)将溶液A和溶液B混合,搅拌,获得混合溶液C;4)将混合溶液C涂覆在光伏玻璃基底的一侧,之...
李佳黄金华鲁越晖宋伟杰兰品军
文献传递
一种具有单层结构的透明导电薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种具有单层结构的透明导电薄膜及其制备方法和应用,其制备包括:将清洗后的基底装入真空磁控溅射设备的真空腔室中,当腔室的真空度为1×10<Sup>‑4</Sup>~7×10<Sup>‑4</Sup>Pa时,充入...
宋伟杰许君君李佳黄金华杨晔盛伟
文献传递
一种氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法
本发明公开了一种氧化锌基透明导电薄膜及其制备方法,将制得的浆料通过成型、冷等静压的方法得到陶瓷胚体,再通过调节烧结过程中的升温程序得到高质量的靶材,然后通过磁控溅射方法得到含钛共掺杂的氧化锌基导电薄膜,所得到的导电薄膜具...
宋伟杰魏铁峰杨晔张贤鹏黄金华兰品军朱科
文献传递
一种透明超宽带电磁屏蔽器件
本发明提供了一种透明超宽带电磁屏蔽器件,该器件由设置于透明衬底外表面的透明导电层,以及夹层于多层透明衬底之间的间隔屏蔽层组成。由于对称设置于衬底外表面的两层透明导电层对微波电磁波都具有强反射性,它们之间可形成一个微波法布...
宋伟杰袁昌卫鲁越晖黄金华李佳
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