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丁照崇: 作品数：16 被引量：40H指数：3; 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>; 发文基金：北京市科技新星计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：冶金工程一般工业技术理学电子电信更多>>

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垂直磁记录介质中间层用镍基合金靶材及其制造方法: 本发明公开了一种垂直磁记录介质中间层用镍基合金靶材，该镍基合金靶材的合金成分质量百分比为：钨15～35％，铬5～15％，其余为镍。靶材制造步骤包括：按靶材设计成分配比，分别称重纯度均为99.9％以上的Ni、W、Cr三种原...; 丁照崇朱晓光蒋宇晖刘书芹董亭义孙秀霖白鸽玲尚再艳; 文献传递

钌金属溅射靶材烧结工艺研究被引量：16: 2012年; 采用热压、放电等离子烧结及直接热压等粉末冶金工艺制备了钌金属溅射靶材,通过对致密度、晶粒度与氧含量分析研究了工艺过程对钌金属靶材制备的影响,并对比分析了三种方法制备钌靶的特点。结果表明:通过工艺优化利用三种方法均能制备出相对密度达到99%以上的高密度钌靶;随着制备温度的升高,钌靶氧含量降低,晶粒尺寸增大;热压工艺制备周期最长,钌靶表面有晶粒粗大层;放电等离子烧结与直接热压工艺都具有快速、近净成形的特点。; 罗俊锋丁照崇董亭义何金江王欣平江轩; 关键词：钌溅射靶材热压烧结放电等离子烧结

高纯致密氧化镁陶瓷的常压和真空烧结被引量：9: 2018年; MgO为重要的功能型材料,磁隧道结（MTJ）以MgO薄膜作为势垒层时在室温下具有巨大的隧穿电阻效应。实验采用冷等静压（CIP）工艺将高纯MgO粉末（纯度〉99.99%）压制成相对密度为60%左右的坯体,再在500℃充分煅烧后分别进行常压烧结和真空烧结。通过优化烧结工艺参数,可制备得到用于溅射沉积MgO薄膜的高纯高致密MgO陶瓷靶。为了探讨烧结温度、保温时间、烧结气氛对MgO陶瓷致密化和晶粒生长的影响,对烧结后的MgO陶瓷进行取样,并对试样进行金相（OM）观察、X射线衍射（XRD）测试、断面扫描电镜（SEM）观察。结果表明：与常压烧结气氛相比,真空烧结气氛能明显提高MgO陶瓷的致密度,且在烧结中后期封闭气孔形成后真空烧结的作用更显著;在真空气氛进行1500℃保温4 h烧结,可得到相对密度为99.12%,平均晶粒尺寸11.71μm的高纯MgO陶瓷;真空烧结的MgO陶瓷晶粒尺寸更均匀,尺寸标准差低于4.8μm,晶粒沿（200）方向择优生长的趋势更明显,而常压烧结的MgO陶瓷晶粒尺寸分布范围较广,晶粒的择优生长趋势不明显。; 陈淼琴何金江张玉利丁照崇贺昕; 关键词：常压烧结真空烧结致密化

钌金属溅射靶材烧结工艺研究: 采用热压、放电等离子烧结及直接热压等热压烧结工艺制备了钌金属溅射靶材，通过对致密度、晶粒度与氧含量分析研究了工艺过程对钌金属靶材制备的影响，并对比分析了三种方法制备钌靶的特点。结果表明：通过工艺优化利用三种方法均能制备出...; 罗俊锋丁照崇董亭义何金江王欣平江轩; 关键词：溅射靶材性能表征; 文献传递

圆形铁磁性靶材多圆周PTF检测装置: 本实用新型属于PTF检测设备领域，具体涉及一种圆形铁磁性靶材多圆周PTF检测装置。其结构主要包括：做为磁源的马蹄形永久磁铁，既能平移又能旋转的样品台，与马蹄形永久磁铁位置相对固定且能竖直移动的霍尔探头/高斯计，控制样品台...; 丁照崇董亭义范亮蒋宇晖万小勇; 文献传递

纳米硅层状薄膜及其p-i-n太阳能电池的研制被引量：1: 2007年; 通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法分别制备了本征、掺磷和掺硼的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),并制备出纳米硅复合层状薄膜.对薄膜样品进行了喇曼(Raman)散射谱,X射线衍射等分析测试.结果表明:掺杂元素对纳米硅薄膜的晶态比和晶粒大小存在不同程度的影响;通过薄膜表面衍射(XRD)可得到硅的(111),(220)和(311)三个晶面衍射峰;并在制得的纳米硅复合层状薄膜的基础上,制备了结构为Al/ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Al/Ag的太阳能电池.该电池的开路电压、短路电流和填充因子与非晶硅太阳电池相比,均得到很大的提高.; 金飞张维佳贾士亮丁照崇闫兰琴王天民李国华; 关键词：PECVD 太阳能电池半导体薄膜

掺NbITO膜的光电性能研究: 本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的ITO靶来制备掺铌ITO膜.研究分析了基片温度、氧氩比O2:Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样品的光学性能和电学性能的影响.通过四探针测试仪、紫外分光光度计、X射线衍射(XRD)及...; 丁照崇张维佳金飞闫兰琴张心强武美伶贾士亮王天民; 关键词：光电性能直流磁控溅射法; 文献传递

掺铌纳米ITO粉末制备及其ITO膜光电性能研究: 2008年; 采用均相共沉淀法制备出掺铌纳米ITO粉末，粉末经模压、高温烧结成高密度ITO靶（相对密度达99％以上），用直流磁控溅射法制备掺铌铟锡氧化物薄膜（Indium Tin Oxides简称ITO膜）。通过样品电阻实时监测装置，研究分析了溅射成膜时电阻变化规律及真空环境等对样品光电性能的影响。采用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计、X射线衍射（XRD）及电子能谱仪（EDX）对样品进行了测试分析，结果表明：掺铌ITO膜的电阻率最小可达到2．583×10^-4 Ω·cm，可见光范围（400—800nm）平均透过率最高可达到93％。; 刘浩张维佳丁照崇贾士亮郭卫吴倞; 关键词：ITO膜光电性能实时监测

掺NbITO膜的光电性能研究: 本文采用直流磁控溅射法溅射掺铌Nb的ITO靶来制备掺铌ITO膜。研究分析了基片温度、氧氩比O2:Ar、工作气压、溅射功率等工艺参数对样品的光学性能和电学性能的影响。通过四探针测试仪、紫外分光光度计、X射线衍射（XRD）...; 丁照崇张维佳金飞闫兰琴张心强武美伶贾士亮王天民; 关键词：ITO膜光电性能; 文献传递