乔明
- 作品数：575 被引量：118H指数：6
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- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学电气工程医药卫生更多>>
- 一种高压JFET器件及其制造方法
- 本发明提供一种高压JFET器件及制造方法，包括p型衬底、n型漂移区阱，p型阱区、中部及右侧重掺杂层降场层交替结构；中部及右侧重掺杂层降场层交替结构中，重掺杂层和降场层上下交替设置，且重掺杂层和降场层依次为交替设置的第一导...
- 高巍李欣键乔明张波
- 一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法
- 本发明提供一种分离栅功率MOSFET器件的制造方法，控制栅制备包括：控制栅与分离栅之间的介质层形成后，热生长牺牲氧并淀积氮化硅，其中氮化硅与硅层通过上述牺牲氧隔离开；淀积氧化层并回刻至低于MESA区氮化硅上表面，使用MA...
- 乔明王正康马涛张波
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- 一种部分SOI超结高压功率半导体器件
- 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种部分SOI超结高压功率半导体器件。本发明所述的一种部分SOI超结高压功率半导体器件，其特征在于，还包括多个N+岛和P型电场屏蔽层，所述多个N+岛均匀嵌入设置在P型衬底中，所述P型电...
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- 一种SOI LIGBT器件
- 一种SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在器件阴极侧增加一个收集阳极注入空穴的深结P<Sup>+</Sup>掺杂区(15)，以降低流过阴极N<Sup>+</Sup>区(11)下P型体区(8)中的...
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- 一种横向高压功率器件的结终端结构
- 本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构，直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分，在Y方向，P型埋层超出N型漂移区距离为5微米；同时P型埋层还超出N型掺杂层3微米。在实际工艺中...
- 乔明王裕如代刚张晓菲周锌何逸涛张波
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- 一种多片式高压驱动电路
- 本发明提供了一种多片式高压驱动电路，属于半导体功率器件技术领域。包括低端电路、横向功率器件、高端电路、键合金属线、第一芯片、第二芯片，所述低端电路和横向功率器件集成在第一芯片上，第一芯片的衬底具有逻辑地电位，高端电路集成...
- 乔明张昕马金荣齐钊张波
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- 一种高侧功率开关的输出短路保护电路被引量：3
- 2021年
- 提出了一种智能高侧功率开关的短路保护电路,包括输出短路检测电路、延时信号产生电路和栅源电压限制电路。采用NMOS管用作功率管,使电路短路时仍处于安全工作区内,提升了高侧功率开关的可靠性。采用0.6μm HV SOI工艺对该短路保护电路进行了仿真验证。仿真结果表明,在硬开关故障和负载短路两种情况下,功率管保持处于安全工作区内。
- 梁怀天方舟罗攀易子皓甄少伟乔明张波
- 关键词：短路保护安全工作区
- 局域寿命控制NPT-IGBT瞬态模型被引量：3
- 2006年
- 提出了局域寿命控制下NPT IGBT的瞬态模型,并与数值分析结果进行了对比,验证了模型的正确性.该模型采用了准静态近似,将关断过程分为快速下降阶段和缓慢下降阶段分别加以求解而得到.基于该模型,详细讨论了局域低寿命区参数对关断时间的影响.该模型将有助于理解局域寿命控制NPT IGBT的关断过程物理图像,同时也可以用于指导该类器件的设计和优化.文中所采用的分析方法具有一定的普适性,其他类似结构和器件亦可采用此方法进行分析.
- 方健吴超乔明张波李肇基
- 关键词：局域寿命控制NPT-IGBT关断时间电导调制
- 具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法
- 本发明提供一种具有体内场板的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型半导体源接触区、第一导电类型半导体漂移区、第二导电类型半导体源接触区、第二导电类型半导体阱区、多晶硅体内场板、栅电极...
- 章文通叶力方冬李珂林祺乔明张波
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- 一种横向高压MOS器件及其制造方法
- 本发明涉及半导体功率器件技术领域，涉及一种横向高压MOS器件及其制造方法。本发明的横向高压器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底中的第二导电类型半导体注入漂移区以及源区和漏区，在第二导电...
- 乔明李燕妃代刚文帅周锌张波
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