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于光明

作品数:9 被引量:6H指数:2
供职机构:清华大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 6篇振荡器
  • 5篇数控
  • 5篇LC振荡器
  • 4篇数字锁相
  • 4篇数字锁相环
  • 4篇锁相
  • 4篇锁相环
  • 4篇全数字
  • 4篇全数字锁相环
  • 3篇时钟
  • 3篇功耗
  • 3篇变容管
  • 3篇MOS变容管
  • 3篇参考时钟
  • 2篇噪声
  • 2篇数字转换模块
  • 2篇数字转换器
  • 2篇转换器
  • 2篇相位
  • 2篇相位噪声

机构

  • 9篇清华大学

作者

  • 9篇于光明
  • 8篇杨华中
  • 5篇王少华
  • 3篇汪玉
  • 2篇刘勇攀

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇清华大学学报...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 2篇2007
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种用于全数字锁相环的时间-数字转换装置及方法
本发明的实施例提出了一种用于全数字锁相环的时间-数字转换装置,包括功耗管理模块用于生成窗口信号,并根据窗口信号调制高频时钟,得到调制后的高频时钟以及时间-数字转换模块,用于根据调制后的高频时钟和参考时钟获取采样信号,并将...
于光明汪玉杨华中
文献传递
一个应用于PHS系统的低噪声低功耗全数控LC振荡器
2007年
针对PHS通信系统,综合采用了反型数控MOS变容管、数控MOS变容管单元矩阵、动态元素匹配、流水线MASHΣΔ调制器等多项旨在提高新型全数控LC振荡器(DCO)性能的电路技术,在SMIC0.18μmCMOS工艺下设计了一种低噪声低功耗的DCO.经测试得到,该DCO的中心振荡频率为3.1GHz,频率调节范围为120MHz,电源电压为1.8V,电流为2.8mA.当振荡在3.1GHz时,该DCO输出信号在100kHz与1.2MHz频偏处的相位噪声分别为-102.3和-122.6dBc/Hz.测试结果表明,该DCO与国际上DCO设计的最新水平相比,在相位噪声与功耗等方面具有较高的优势.
王少华于光明刘勇攀杨华中
关键词:CMOS集成电路相位噪声
快速锁定全数字锁相环的分析与设计
随着科技的发展,半导体集成电路技术已经进入到超深亚微米和纳米阶段,这给传统的模拟射频电路设计带来巨大的挑战,模拟电路数字化及数字辅助设计方法已经成为一种趋势。数字射频是实现模拟电路数字化的一个重要途径。由美国德州仪器公司...
于光明
关键词:全数字锁相环低功耗
文献传递
片上CMOS数控互补型低噪声LC振荡器
本发明属于无线通信系统收发机芯片设计技术领域,其特征在于:采用数字控制的新颖的互补型MOS变容管对来构成数控LC振荡器,从而减小振荡器的相位噪声和杂散,同时提高振荡器的调频精度,相比于已有方法,本发明所提出的方法能够有效...
王少华杨华中于光明
文献传递
使用背靠背串联型MOS变容管的低噪声数控LC振荡器
本发明属于无线通信系统收发机芯片设计技术领域,其特征在于:采用数字信号控制的新颖的背靠背串联型MOS变容管构成数控LC振荡器的主要变容部分,减小了从振荡器中的幅度噪声所转变而来的相位噪声,提高了振荡器对于来自电流源的噪声...
王少华于光明杨华中
文献传递
一种用于全数字锁相环的时间-数字转换装置及方法
本发明的实施例提出了一种用于全数字锁相环的时间-数字转换装置,包括功耗管理模块用于生成窗口信号,并根据窗口信号调制高频时钟,得到调制后的高频时钟以及时间-数字转换模块,用于根据调制后的高频时钟和参考时钟获取采样信号,并将...
于光明汪玉杨华中
一种用于减小全数字锁相环锁定时间的模式切换控制器
本发明提供了一种用于减小全数字锁相环锁定时间的模式切换控制器,该控制器包括,有限状态机,用于对应所述数控振荡器输出频率跳转的状态;计数器,用于记录所述数控振荡器的输出频率在同一个频率上停留的参考时钟的周期数。一种采用上述...
于光明汪玉杨华中
文献传递
使用背靠背串联型MOS变容管的低噪声数控LC振荡器
本发明属于无线通信系统收发机芯片设计技术领域,其特征在于:采用数字信号控制的新颖的背靠背串联型MOS变容管构成数控LC振荡器的主要变容部分,减小了从振荡器中的幅度噪声所转变而来的相位噪声,提高了振荡器对于来自电流源的噪声...
王少华于光明杨华中
文献传递
使用背靠背MOS变容管的低噪声全数控LC振荡器被引量:2
2008年
为了解决全数控电感电容振荡器(fully digitallycontrolled inductor-capacitor oscillator,DCO)大信号工作时所引起的数控变容管的非线性问题,在对该种非线性进行分析的基础上,提出一种背靠背串联数控金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor,MOS)变容管。该结构通过将两支MOS变容管反方向串联,有效改善了非线性,从而降低了DCO的相位噪声。在中芯国际0.18μm互补MOS工艺下设计了采用背靠背串联数控MOS变容管的DCO。仿真结果表明:当该DCO振荡在3.4 GHz的中心频率时,在1.2 MHz频偏处的相位噪声为-129.4 dBc/Hz,与使用普通数控MOS变容管的DCO相比,其相位噪声最多可改善8.1 dB。
王少华于光明刘勇攀杨华中
关键词:电感电容振荡器变容管
共1页<1>
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