您的位置: 专家智库 > >

任翠兰

作品数:9 被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学院上海应用物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域:核科学技术自动化与计算机技术化学工程理学更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇核科学技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇第一性原理
  • 2篇动力学
  • 2篇多壁碳纳米管
  • 2篇碳纳米管
  • 2篇中子
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 2篇金属
  • 2篇分子
  • 2篇分子动力学
  • 2篇辐照损伤
  • 1篇电场
  • 1篇电池
  • 1篇电荷态
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子结构计算
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇电子性质
  • 1篇动力学研究

机构

  • 9篇中国科学院上...
  • 4篇上海科技大学
  • 4篇中国科学院大...
  • 3篇中国科学院上...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇常州工学院
  • 1篇西南石油大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇苏州热工研究...

作者

  • 9篇任翠兰
  • 5篇怀平
  • 2篇竺建康
  • 2篇王震遐
  • 2篇张伟
  • 1篇许子健
  • 1篇王刚
  • 1篇施海宁
  • 1篇傅瑶
  • 1篇李欣年
  • 1篇邹杨
  • 1篇勇振中
  • 1篇王呈斌
  • 1篇方晓明
  • 1篇罗文芸
  • 1篇蔡翔舟
  • 1篇朱志远
  • 1篇陈金根
  • 1篇巩文斌
  • 1篇黄鹤飞

传媒

  • 5篇核技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇中国科学(E...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2016
  • 2篇2009
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
金属镍、铁和钨初级辐照损伤演化的分子动力学研究被引量:1
2023年
镍、铁和钨基合金常被用来作为反应堆的候选结构材料,在反应堆中面临中子辐照的严苛服役环境。本文采用分子动力学方法研究了金属镍、铁、钨三种金属材料的辐照级联过程,获得材料在不同温度(300~500 K)下、不同初级碰撞原子(Primary Knock-on Atom,PKA)能量(<20 keV)沿不同晶格方向(<135>、<122>和<100>)入射的辐照级联损伤过程。结果表明:金属镍和铁的稳态辐照缺陷数相当,当PKA能量较低(<5 keV)时,金属镍的稳态缺陷数比金属铁略少;而当PKA能量较高(>5 keV)时,金属镍的稳态缺陷数逐渐超过铁;在相同辐照条件下,金属钨的稳态辐照缺陷数最少,表现出更为良好的抗辐照性能。通过分析三种金属辐照级联过程中不同阶段的缺陷复合率及缺陷存活率,进一步理解其耐辐照损伤能力的差异。相关计算结果为理解不同金属的辐照性能提供数据支撑,作为金属初级辐照损伤数据集,为更大尺度的速率理论和团簇动力学等模拟材料辐照效应提供微观缺陷结构和参数。
应红温阿利周岁茹海雪章文峰任翠兰任翠兰施海宁
关键词:中子辐照分子动力学
一种稀土镍合金材料及其建模方法和制备方法
本发明公开了一种稀土镍合金材料及其建模方法和制备方法。稀土镍合金材料的建模方法包括如下步骤:S1、采用蒙特卡洛法计算稀土元素的含量;S2、将镍基合金划分为空间网格,计算空间网格的尺寸和数量;S3、沿稀土镍合金厚度方向将空...
李晓晓崔德阳邹春燕任翠兰蒋力傅瑶陈金根邹杨蔡翔舟
内嵌金属的多壁碳纳米管辐射损伤研究被引量:1
2016年
辐射损伤性能是制约核电池效能和使用寿命的重要因素。美国研究者Popa-Simil提出基于碳纳米管、金属复合结构材料的概念核电池,可实现核能到电能的高效转换,其设计中利用了碳纳米管的抗辐射损伤特性。本文通过建立包覆金属铜的多壁碳纳米管模型,采用分子动力学方法,对内嵌金属的多壁碳纳米管体系进行了辐射损伤的模拟研究。从配位缺陷数、溅射原子数、完美结构缺陷(Perfect structure defect,PST)原子数以及总的辐射损伤量等方面,与无内嵌金属的碳纳米管体系进行了分析对比。发现在有金属铜内嵌的情况下,溅射原子产额与无金属内嵌情况差别不大,但配位数缺陷和PST缺陷减小。表明内嵌金属起到支撑的效果,降低多壁碳纳米管在辐照下的形变,增强了其自修复能力,从而使得辐照耐受性能有所增强。
马佳文巩文斌张伟许子健王呈斌任翠兰怀平朱志远
关键词:碳纳米管分子动力学核电池
AISL:一个基于LAMMPS的XFEL辐照损伤自动化模拟程序
2024年
在高强度X射线辐照下,X射线自由电子激光(X-ray Free-electron Laser,XFEL)装置的光学元件薄膜产生的大量辐照缺陷会导致材料结构损伤,引起宏观性能退化,从而影响其服役寿命,进而影响到XFEL装置的可靠性和稳定性。为了研究材料辐照缺陷过程以及方便耐辐照材料的数据积累,提供了一种基于Python语言的自动化辐照模拟程序AISL(Automatic Irradiation Simulation based on LAMMPS),以支持采用分子动力学方法模拟XFEL对材料的辐照损伤进行微观研究。AISL实现了模拟任务的自动化工作流管道,包括高通量计算任务的管理和执行,计算数据的高可靠存储和热力学信息的后处理。基于AISL在XFEL光学元件金属薄膜辐照损伤模拟的应用实例研究,表明了AISL是一种便捷开展高通量自动化的辐照模拟研究的有效方法,能够显著提高基于LAMMPS的材料辐照损伤模拟计算效率。
周悦海雪任翠兰殷亚茹商琨琳雷蕾怀平
关键词:XFEL辐照损伤工作流数据库
DC-SQUID串联阵列直流特性研究
2021年
为更好地研究直流超导量子干涉器件(Direct Current Superconducting Quantum Interference Device,DCSQUID)串联阵列的直流特性,我们基于约瑟夫森结RSJ(Resistively Shunted Junction)模型建立了适用于DCSQUID串联阵列的直流关系方程,并通过求解等效福克-普朗克方程,获得了高斯白噪声影响下DC-SQUID串联阵列直流特性的解析表达式。DC-SQUID串联阵列的实测结果验证了本文所提理论公式的正确性。实验结果表明:DC-SQUID串联阵列在低温下具有超高的Fano因子,亟待进一步深入研究。
姜稣仆杨瑾屏张硕任翠兰怀平伍文涛
关键词:约瑟夫森结高斯白噪声
多壁碳纳米管上的银纳米晶生长及Ag-C管的相互作用
2009年
针对Ag-纳米晶颗粒(Ag-NCP)与碳纳米管(CNTs)杂化结构中Ag-NCPs/CNTs的相互作用进行了实验探索,使用热蒸发沉积方法实现了在多壁碳纳米管(MWCNT)上生长Ag-NCP.高分辨透射电子显微镜和X射线衍射研究表明,Ag-NCP具有面心立方Ag晶体的相结构特征,Ag-NCP生长引起了CNT的横截面形变.实验结果显示:合成的Ag-NCP/MWCNT杂化结构是准一维纳米线,并包含着Ag-NCP/CNT异质结;在Ag-NCP/CNT异质结界面处,CNTs存在着局部横截面形变.
王震遐李欣年任翠兰勇振中竺建康罗文芸方晓明
VaspCZ:一个提高效率的VASP计算辅助程序被引量:4
2020年
VASP(Vienna Ab-initio Simulation Package)是基于密度泛函理论的通用材料计算模拟软件。随着高性能计算平台的广泛使用和高通量计算的兴起,VASP计算任务的复杂性和数据量也大幅度提升。为了提高材料理论计算的方便程度,减少大量重复的指令和结果检查的复杂性,本文提供了一个基于Python语言的VASP计算辅助程序VaspCZ,能够大幅提高研究者的科研效率。该程序包含软件部分和API部分,软件部分提供了命令行用户界面,基于基本的Linux命令即可一键完成VASP计算的相关操作,为无编程语言基础的研究人员提供了便利。应用程序接口部分服务于具有Python语言基础的研究者,提供了底层库,使得自定义计算(如高通量计算、编写高级应用等)更为简单快捷。本程序包可以显著提高VASP的计算效率,并已经通过Github开源项目公开,提供了详细的使用文档、使用示例和API接口,有望能为广大材料理论研究者提供便利。
张正德谈蒙露任翠兰怀平
关键词:第一性原理VASP电子结构计算
C59N和C19N晶体的合成
2009年
通过溶解C60的CCl4溶液在大气中的慢蒸发可以合成C59N和C19N晶体,这项实验结果为CnN(n≤59)晶体研究开辟了一种简单而有效的途径.
王震遐竺建康任翠兰张伟
关键词:飞行时间质谱透射电子显微镜X射线光电子能谱
电场、应力和电荷态对Ti2CO2电子性质调控的理论研究被引量:2
2020年
MXene是一类具备丰富物理化学性质的新型二维过渡金属碳化物,在储能、催化、复合材料、发光材料等领域都表现出潜在的应用前景。元素掺杂、结构缺陷、表面功能化、外加电场、外加应力等方法是调节二维材料性能的有效手段。作为厚度最小和最轻的含钛MXene材料,Ti2CO2具有间接半导体特性,本工作研究外加电场、外加应力和电荷态等条件对Ti2CO2电学性能的调控。结果表明:无缺陷Ti2CO2原胞的带隙随着外加电场的增强而变小。在Ti2CO2体系中,碳空位较易形成。研究发现拉伸应力可以改变含碳空位体系的导电能力,费米能级附近的能带随着拉伸应力的增大而逐渐平滑。研究还发现电荷态会改变含碳空位2×2×1 Ti2CO2超胞的能带结构,随着电荷态的增加,体系费米能级的位置逐渐降低,且电荷态为+2时,含碳空位2×2×1 Ti2CO2超胞表现出半导体特性,带隙类型转变为直接带隙,带隙值为0.489 eV。
王昌英路宇畅任翠兰王刚怀平
关键词:第一性原理电场应力电荷态电子性质
共1页<1>
聚类工具0