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伍青青

作品数：50 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 48篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 28篇晶体管
  • 17篇体效应
  • 17篇浮体效应
  • 12篇SOI
  • 10篇芯片
  • 10篇芯片面积
  • 9篇欧姆接触
  • 8篇化物
  • 8篇硅化物
  • 7篇离子注入
  • 6篇电学
  • 6篇电学特性
  • 6篇截止频率
  • 6篇场效应
  • 5篇阈值电压
  • 5篇场效应晶体管
  • 5篇传输门
  • 5篇存储器
  • 4篇定制
  • 4篇端口

机构

  • 50篇中国科学院

作者

  • 50篇伍青青
  • 50篇罗杰馨
  • 50篇陈静
  • 42篇王曦
  • 28篇柴展
  • 14篇余涛
  • 6篇吕凯
  • 4篇何伟伟
  • 2篇薛忠营
  • 2篇宁冰旭
  • 2篇周建华

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 14篇2012
  • 8篇2011
  • 8篇2010
共 50 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法
本发明提供一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法。根据本发明的方法，先在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；随后，对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；最后再在进行了...
罗杰馨陈静伍青青柴展余涛吕凯王曦
文献传递
一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法
本发明提供一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该方法通过在所述外基区注入杂质由硼改为氟化硼，并将注入能量和剂量限定在特定范围内，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGe-HBT器件的集电极电阻...
柴展陈静罗杰馨伍青青王曦
一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法
本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，属于存储器设计及制造技术领域，所述存储器单元包括两个反相器及传输门，所述反相器由一结构对称的NMOS晶体管及结构对称的PMOS晶体管互连组成，所述传输门由两个源漏结构...
陈静伍青青罗杰馨柴展余涛王曦
文献传递
利用MOSFET输入输出特性确定MOSFET BSIM模型参数宽度偏移量的方法
本发明提供一种利用MOSFET输入输出特性确定MOSFET BSIM模型参数宽度偏移量的方法。首先利用半导体参数测试仪测量至少3个拥有相同沟道长度、不同沟道宽度的MOSFET器件的I<Sub>ds</Sub>-V<Sub...
陈静伍青青罗杰馨肖德元王曦
文献传递
实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法
本发明公开了一种实现源体欧姆接触的SOI MOS器件制作方法，先制作栅区，进行高剂量的源区和漏区轻掺杂，形成较高浓度的轻掺杂N型源区和轻掺杂N型漏区，之后在栅区周围制备侧墙隔离结构，进行源区和漏区离子注入，通过一道在源区...
陈静伍青青罗杰馨肖德元王曦
一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法
本发明提出了一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该制备方法通过在基于SOI的SiGe-HBT工艺流程中增加使用一个特定的光刻版，将外基区注入限定在指定的区域，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的S...
柴展陈静罗杰馨伍青青王曦
BJT等效电路模型的发展被引量：4
2010年
随着BJT尺寸的缩小以及BJT广泛应用于高速和RF电路,有效及准确的BJT电路设计要求更加精确的等效电路模型。通过介绍模型的基本原理及其对BJT器件关键物理效应的模拟,描述不同模型开发者采用的方式,结合仿真结果分析不同模型的特点。主要从以下几个方面展开:模型的大信号等效电路图;归一化电荷的计算,转移电流表达式;晶体管二阶效应模型,包括基区宽度调制效应(即Early效应)、大注入效应等;大电流条件下的Kirk效应,准饱和效应等。
罗杰馨陈静伍青青肖德元王曦
关键词：等效电路模型BJT
一种SOI双端口SRAM单元及其制作方法
本发明提供一种SOI双端口SRAM单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第六NMO...
陈静何伟伟伍青青罗杰馨王曦
文献传递
一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法
本发明公开了一种SOI纵向双极晶体管及其制作方法，该双极晶体管包括SOI衬底，所述SOI衬底由下至上依次为SOI衬底体区，SOI衬底隐埋氧化层，顶层硅膜，所述SOI衬底上采用集成电路STI工艺在顶层硅膜位置处形成有有源区...
陈静罗杰馨伍青青周建华肖德元王曦
文献传递
一种无电容动态随机存储单元及其制作方法与存储方法
本发明提供一种无电容动态随机存储单元及其制作方法与存储方法，所述存储单元采用两个金属-氧化物-半导体场效应管组合，其中一个具有P型掺杂源区的场效应管作为电荷的提供者和存储者，另一个场效应管则作为存储状态的感知者。本发明的...
陈静伍青青罗杰馨余涛柴展王曦
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