信思树
- 作品数：19 被引量：25H指数：3
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省教育厅科学研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 一种新型的正胶剥离技术及其应用被引量：2
- 2006年
- 介绍了在金属微细图形化制作中常用的两种方法：刻蚀和剥离,并比较了两者的优劣。开发了一种新型的正胶剥离技术,着重解决了传统的正胶剥离技术中所存在的较为严重的“二次污染”问题,提高了其剥离精度,达到2μm。最后介绍了新型的正胶剥离技术在实际工作中的应用。
- 信思树普朝光杨明珠杨培志
- 关键词：正胶二次污染
- 外加偏压下BST薄膜/体材料热释电系数测试
- 本文利用基于已授权专利——动态法热释电系数测试装置(专利号:ZL200420033536.5)所研制出的一台新型的、采用计算机自动控制、居于动态法原理的热释电系数测试系统,在外加偏压下对钛酸锶钡(BST)体材料及薄膜材料...
- 赵维艳普朝光信思树杨培志
- 文献传递
- 热释电红外探测器PZT晶片粘接质量控制被引量：3
- 2013年
- 热释电红外探测器芯片研制中,晶片粘接是芯片研制中的关键工艺之一。本文详细论述了粘接胶的选择依据及晶片粘接质量控制。确定了适合器件研制的粘接胶和粘胶工艺流程。对粘接中出现的问题及解决办法进行了讨论。研制出了完全能满足器件工艺要求的热释电探测器PZT晶片。
- 黄江平冯江敏王羽苏玉辉信思树李玉英
- 关键词：热释电红外探测器
- 耐高过载高灵敏度平面电极结构热释电探测器
- 耐高过载高灵敏度平面电极结构热释电探测器，其特征在于在热释电晶片的下表面上制备一层全反射电极，在全反射电极的下表面上制备一层绝热层，绝热层的下表面与衬底用粘接胶粘接；在热释电晶片的上表面的中心位置制备红外吸收层，从红外吸...
- 太云见袁俊信思树龚晓霞何雯瑾
- 文献传递
- 锑基高工作温度红外探测器研究进展被引量：6
- 2017年
- 锑基红外光敏材料具有优越的光电转换效率,材料结构稳定、可生产性强,并具备低暗电流和高工作温度(HOT)的优势,符合未来红外探测系统小尺寸、轻重量、低功耗(SWa P)的要求。目前,工程化研制高工作温度红外探测器的锑基材料主要有3类:InSb、锑基II类超晶格和InAsSb,国外已报道了640×512、1024×1024和2040×1156规格的焦平面阵列,工作温度提高到150 K以上。本文从材料特性和器件结构、像元尺寸及工艺技术来阐述国内外锑基高工作温度红外探测器的研究状况。
- 邓功荣赵鹏袁俊信思树龚晓霞黎秉哲马启杨文运普朝光
- 关键词：SBSB
- 单多元红外探测器的发展及应用
- 2023年
- 单多元红外探测器由于其制备工艺和结构简单、成本低廉,易于实现小型化和便捷性等特点,在民用和军事领域拥有广阔的应用前景。综述了国内外单多元红外探测器的研发现状,及所涉及的一些关键技术,并且对其在红外测温、光谱应用、气体探测、监测预警、军用弹道导弹、反导预警等应用领域进行详细介绍。最后进行了总结和展望,我国应该根据市场需求的不同,开发新材料,加强技术创新,研制出性能更优、竞争力更强、价格更低的单多元红外探测器。
- 胡安亚杨雪艳李志华信思树尹敏杰杨丽仙刘杰闫常善袁俊
- 关键词：红外探测器
- InSb红外探测器表面钝化工艺研究
- 2020年
- 本文工作主要研究了InSb红外探测器表面钝化工艺问题,逐一探讨了射频功率、R(SiH4:N2O)配比、沉积温度、工作压强等工艺参数对InSb芯片表面钝化工艺的影响。将不同条件下获得的材料分别制成MIS结构和红外探测器并进行C-V和I-V测试,结果表明在射频功率为80 W、R配比为20:10、沉积温度为200℃、工作压强为10 Pa时,钝化后的试样C-V特性曲线良好,I-V特性曲线反向平缓,性能较好,满足探测器芯片研制的要求,进一步证实了该条件下的钝化效果较佳。
- 信思树黎秉哲郭胜袁俊孙翔乐王甜姗
- 关键词：表面钝化INSBPECVD
- 一种铂钛金属薄膜图形化方法
- 本发明公开了一种铂钛金属薄膜图形化方法，属于金属薄膜光刻图形化领域。其主要技术特征是：在光刻工序之后，将曝光过的硅片放在一氯甲苯溶剂中，浸泡30分钟后取出，再经烘干工序后，在显影液中浸泡2-3分钟，光刻胶在硅片上形成“倒...
- 信思树普朝光王忠华杨明珠杨培志
- 文献传递
- 一种红外探测器材料的势垒层及其制备方法
- 本发明涉及一种红外探测器材料的势垒层及其制备方法，属于光电子材料与器件技术领域。所述红外探测器材料结构从上向下依次为顶电极接触层、势垒层、吸收层、底电极接触层、缓冲层以及衬底；势垒层材料为掺杂5×10<Sup>15</S...
- 陈冬琼邓功荣杨文运朱琴信思树戴欣冉赵宇鹏余瑞云尚发兰太云见赵鹏黄晖
- 文献传递
- 用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结被引量：3
- 2019年
- 能够直观地“看到”半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47μm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。
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- 关键词：肖特基结P-N结
