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兰贵林

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇噪声
  • 2篇噪声性能
  • 2篇铟镓氮
  • 2篇物理模型
  • 2篇铝镓氮
  • 2篇放大器
  • 2篇高频
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化镓
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇噪声特性
  • 1篇声特性
  • 1篇势阱
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇兰贵林
  • 4篇国云川
  • 4篇徐跃杭
  • 3篇徐锐敏
  • 2篇邱义杰
  • 2篇延波
  • 1篇武鑫
  • 1篇付文丽
  • 1篇卢啸
  • 1篇陈勇波

传媒

  • 1篇第一届全国太...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2013
  • 1篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
本发明涉及一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括从下往上依次层叠的衬底、位于衬底之上的氮化铝成核层、位于氮化铝成核层之上的氮化镓缓冲层，其特征在于，所述氮化镓缓冲层之上还依次层叠有用于改善器件界面粗糙程度的铟...
徐跃杭兰贵林国云川邱义杰延波徐锐敏
GaN HEMT低噪声器件建模与高效率放大器设计
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）具有二维电子气（2DEG）密度高，击穿电压高等优点，非常适合功率放大器。由于GaN HEMT能够承受较高的输入功率，做为低噪声放大器在接收组件中可减少限幅电路的使用，基于此可实...
兰贵林
关键词：物理模型
毫米波GaN高电子迁移率晶体管高频噪声特性影响研究
建立了毫米波GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)数值物理模型,模型中包含了GaN HEMT器件所特有的表面态、界面态、极化、陷阱等效应.模型模拟出的 DC 与RF 结果与实验测试数据吻合良好.基于建立的物理模型研究了槽...
兰贵林徐跃杭陈勇波付文丽武鑫国云川
关键词：槽栅物理模型
文献传递
一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
本发明涉及一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括从下往上依次层叠的衬底、位于衬底之上的氮化铝成核层、位于氮化铝成核层之上的氮化镓缓冲层，其特征在于，所述氮化镓缓冲层之上还依次层叠有用于改善器件界面粗糙程度的铟...
徐跃杭兰贵林国云川邱义杰延波徐锐敏
文献传递
L波段GaN高效率功率放大器技术研究
宽禁带半导体材料GaN以其高击穿电场强度、高热导率等优点成为高频大功率器件的研究热点。采用微带线和并联电容匹配电路方式设计制作了一款工作在1.15 GHz的GaNHEMT高效率功率放大器。测试实验结果表明,在1.15GH...
卢啸徐跃杭兰贵林国云川徐锐敏
关键词：GAN功率放大器L波段
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