冯贞健
- 作品数：9 被引量：18H指数：3
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国土资源部地质大调查项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程环境科学与工程更多>>
- a-Si:H薄膜的MW ECR CVD沉积与FTIR分析
- 采用Si和石英玻璃为衬底,微波功率为300W.气体采用SiH<,4>和H<,2>,沉积时间为60分,工作气压为0.5pa制备了a-Si:H薄膜,并用FTIR1020傅立叶转换红外光谱仪对其进行了测...
- 宋道颖宋雪梅陈蔚忠冯贞健芦奇力鲍旭红陈光华
- 关键词：化学气相沉积红外光谱
- 粉煤灰中植物营养元素赋存状态及应用被引量：4
- 2002年
- 土壤化学分析表明 ,粉煤灰中一般含有丰富的矿质营养元素。这些营养元素的赋存状态决定了粉煤灰的供养能力和供养特点。通过对粉煤灰的粉晶X 射线衍射分析、扫描电镜观察以及透射电镜分析、电子探针分析 ,揭示了粉煤灰中元素的赋存状态。粉煤灰中的营养元素主要赋存于玻璃相中。由于粉煤灰的玻璃质颗粒和矿物析晶体粒径细小、结构不稳定、活性很大 ,其中的营养元素易溶出。
- 李广慧孙岱生冯贞健
- 关键词：植物营养元素粉煤灰元素赋存状态土壤化学
- MWECRCVD法高速沉积α-Si:H薄膜的红外光谱研究
- 2002年
- 应用微波电子回旋共振化学气相沉积 (MWECRCVD)方法 ,在较高速度下沉积了α Si:H薄膜 ,用FTIR红外谱仪研究了α Si:H薄膜的结构特性随H2 /SiH4 、沉积温度和沉积速率变化关系 ,并对 2 0 0 0cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析 ,获得了沉积高质量α Si:H薄膜的最佳工艺条件。
- 宋雪梅宋道颖陈蔚忠芦奇力冯贞健鲍旭红邓金祥陈光华
- 立方氮化硼(c-BN)薄膜的光学带隙被引量：1
- 2003年
- 用两步射频溅射法在n型Si(111)片和熔融石英片上沉积出不同体积分数的立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶红外吸收谱标识;用紫外-可见分光光度计测量了沉积在石英片上的BN薄膜的透射光谱T_e(λ)和反射光谱R_e(λ),薄膜的厚度用台阶仪测得。由透射、反射光谱计算了薄膜的光吸收系数a,进而采用有效的中间形式,确定了氮化硼薄膜的光学带隙。结果表明:随着c-BN体积分数的增加,光学带隙随之增大。确定出的光学带隙和经验公式的计算结果相吻合。
- 冯贞健于春娜陈光华
- 关键词：立方氮化硼薄膜射频溅射光学带隙
- 高质量立方氮化硼薄膜的制备及其光电特性研究
- 该文主要研究cBN薄膜的制备、光学带隙以及BN(n-type)/Si(p-type)异质结的特性.使用射频溅射(RF)系统,靶材为烧结的六角氮化硼(hBN),工作气体为氩气(或氩气和氮气的混合气),在硅衬底上沉积氮化硼薄...
- 冯贞健
- 关键词：立方氮化硼薄膜射频溅射两步法光学带隙异质结
- 文献传递
- 射频溅射两步法制备立方氮化硼(c-BN)薄膜被引量：3
- 2004年
- 冯贞健邢光建陈光华于春娜荣延栋
- 关键词：立方氮化硼薄膜射频溅射两步法
- 纳米金刚石薄膜的制备及场电子发射研究
- 本文研究了纳米金刚石薄膜的制备方法和结构特征,并研究了它的场电子发射特性。结果表明:我们制备的纳米金刚石薄膜具有更低的开启电压和更高的场发射电流密度。文中还对这种结果给予了进一步的理论说明。
- 蔡让岐陈光华宋雪梅邢光建冯贞健阴生毅贺德衍
- 关键词：纳米金刚石薄膜场电子发射
- 文献传递
- 纳米金刚石涂层上化学气相沉积金刚石薄膜的场电子发射被引量：7
- 2003年
- 在爆炸法合成的纳米金刚石粉涂层上,用微波等离子体化学气相沉积法制备了含有大量纳米晶的金刚石薄膜。应用XRD,Raman和SEM对其结构进行了分析。应用平面薄膜二极式结构研究了它的场电子发射特性,结果表明:这种含有纳米金刚石的薄膜具有更低的开启电压(1.8V/μm)和更高的场发射电流密度(50mA/cm^2)。应用纳米金刚石晶粒的量子尺寸效应对这种实验结果给予了理论说明。
- 蔡让岐陈光华宋雪梅邢光建冯贞健贺德衍
- 关键词：纳米金刚石薄膜场电子发射量子尺寸效应
- cBN/SiN-p异质结的电学性质研究被引量：3
- 2002年
- 用射频溅射系统成功制备出 c BN/ Si N-p异质结 ,并系统研究了其电学性质。掺硫 (S)的 n型 c-BN薄膜用 1 3 .5 6MHz射频溅射系统沉积在 P型 Si(1 0 0 ) (8～ 1 5 Ω·cm)衬底上 ,靶材为 h-BN靶 (纯度达 99.99% )。溅射气体为氩气和氮气混合而成 ,固态硫 (S)通过加热蒸发混入工作气体 ,改变硫的加热温度可改变硫的掺杂剂量。为了测量异质结的电学性质 ,用真空蒸镀法在异质结表面蒸镀了 1 .5 mm× 2 .0 mm的铝电极。实验结果表明 ,c BN/ Si N-p异质结的 I-V曲线具有明显的整流特性 ,其正向导电特性的拟合结果表明异质结的电流输运符合安德森理论 ,c BN/ Si N-p异质结的 C-V曲线也和理想异质结的 C-V特性非常接近。得到的 c BN/ Si N-p异质结的自建势为 4.71 V,c-BN薄膜层中的施主浓度为 6.5 0× 1 0 1 4/ cm3。
- 陈光华邓金祥宋雪梅李茂登于春娜冯贞健
- 关键词：伏-安特性电容-电压特性
