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冷文建

作品数:7 被引量:20H指数:3
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金青年科技基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇溅射
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇射频磁控
  • 3篇射频磁控溅射
  • 3篇晶化
  • 3篇钙钛矿结构
  • 3篇BST
  • 2篇钛酸锶
  • 2篇钛酸锶钡
  • 2篇BST薄膜
  • 2篇BA
  • 1篇电光
  • 1篇电光材料
  • 1篇液晶
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇射线衍射
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇退火

机构

  • 7篇电子科技大学

作者

  • 7篇冷文建
  • 7篇杨传仁
  • 6篇符春林
  • 6篇廖家轩
  • 6篇陈宏伟
  • 5篇张继华
  • 3篇唐章东
  • 1篇姬洪
  • 1篇罗世希
  • 1篇高志强
  • 1篇赵莉
  • 1篇梁鸿秋
  • 1篇宋秀娟

传媒

  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电工材料
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2004
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
BST铁电薄膜的微观结构研究
本文采用RF磁控溅射法在Pt(111)/Ti/SiO<,2>/Si(100)衬底上制备(Ba<,x>Sr<,1-x>)TiO<,3>(BST<,-x>)薄膜.我们采用了微波晶化法对BST<,-x>薄膜进行退火.和气氛炉退...
冷文建杨传仁罗世希符春林陈宏伟廖家轩
关键词:BST铁电薄膜X射线衍射原子力显微镜微观结构磁控溅射法
文献传递
射频磁控溅射Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜表层的XPS研究被引量:1
2006年
用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si基体上沉积Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,用X射线光电子能谱(XPS)研究BST薄膜表层在常规晶化和快速晶化条件下的结构特征.结果表明, 常规晶化时,BST薄膜表层约3—5nm厚度内含有非钙钛矿结构的BST,随着温度的升高该厚度增加;快速晶化时,该厚度减薄至1nm内,随着温度的升高没有明显增加.元素的化学态分析结果表明,非钙钛矿结构的BST并非来自薄膜表面吸附的CO和CO2等污染物,而与表面吸附的其他元素(如吸附氧)对表层结构的影响有关. GXRD和AFM表明,致密的表面结构能有效的阻止表面吸附元素在BST膜体中的扩散,从而减薄含非钙钛矿结构层的厚度.
唐章东杨传仁廖家轩张继华冷文建陈宏伟符春林
关键词:BST钙钛矿结构XPS
射频磁控溅射Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜表层结构研究
用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si基体上,沉积了Ba.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,随后对其进行常规晶化和快速晶化,用XPS,GXRD和AFM研究了薄膜表层的结构特征.XPS表明,常规晶化的BST薄膜表层约...
廖家轩杨传仁张继华陈宏伟符春林唐章东冷文建
关键词:BST晶化钙钛矿结构
文献传递
退火工艺对钛酸锶钡薄膜结构的影响被引量:11
2004年
采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜,在500~750℃之间对薄膜快速退火.XRD分析表明:500℃时BST薄膜开始晶化为ABO3型钙钛矿结构,温度越高结晶越完整,晶粒越大.理论计算表明,薄膜在低温退火后无择优取向,高温退火后在(111)、(210)晶面有择优取向.退火气氛、保温时间、循环次数等因素对薄膜晶粒大小无明显影响,但对表面粗糙度和结晶程度影响较大.
赵莉杨传仁冷文建陈宏伟符春林廖家轩高志强
关键词:BST薄膜退火RMSXRDAFM
电光材料在光学相控阵技术中的应用被引量:5
2007年
综述了光学相控阵的发展背景,对不同电光材料铌酸锂(LiNbO3)、砷化镓铝(AlGaAs)、锆钛酸铅镧(PLZT)陶瓷和液晶制作的光学相控阵进行了阐述,简要介绍了近期的一些研究成果,并对光学相控阵技术的发展前景进行了展望。
梁鸿秋杨传仁张继华冷文建宋秀娟
关键词:光学相控阵液晶电光材料
射频磁控溅射Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜表层结构研究被引量:3
2005年
用射频磁控溅射在Pt/Ti/Si O2/Si基体上,沉积了Ba0.6Sr0.4Ti O3(BST)薄膜,随后对其进行常规晶化和快速晶化,用XPS,GXRD和AFM研究了薄膜表层的结构特征.XPS表明,常规晶化的BST薄膜表层约3nm~5nm厚度内含有非钙钛矿结构的BST,随着温度的升高该厚度增加;而快速晶化时,该厚度减薄至1nm内,随着温度的升高没有明显增厚.元素的化学态表明非钙钛矿结构的BST并非来自薄膜表面吸附的含碳污染物(如CO2等),而与吸附的其他元素(如吸附氧等)对表层的影响有关.GXRD和AFM表明,致密的表面结构能有效地阻止吸附元素在BST膜体中的扩散,从而减薄含非钙钛矿结构层的厚度.
廖家轩杨传仁张继华陈宏伟符春林唐章东冷文建
关键词:BST晶化钙钛矿结构
BST薄膜的残余应力分析
2005年
采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜,利用气氛炉对薄膜进行晶化处理,晶化后薄膜的应力采用XRD表征。研究其残余应力随晶化温度变化的趋势。结果表明:在550,650,700℃晶化后的BST薄膜宏观残余应力表现为压应力,且随着晶化温度的升高,呈线性变大。
尹开锯杨传仁冷文建廖家轩符春林张继华陈宏伟姬洪
关键词:无机非金属材料钛酸锶钡薄膜晶化残余应力
共1页<1>
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