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刘紫玉

作品数:9 被引量:2H指数:1
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域:理学文化科学更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇电阻
  • 5篇存储器
  • 4篇介质层
  • 2篇电压
  • 2篇电压范围
  • 2篇氧化物
  • 2篇显示器
  • 2篇显示器件
  • 2篇面电阻
  • 2篇界面电阻
  • 2篇可变电阻
  • 2篇发光
  • 2篇发光特性
  • 2篇非易失性
  • 2篇存储器件
  • 1篇低频噪声
  • 1篇电极
  • 1篇氧空位
  • 1篇热电效应
  • 1篇绝缘

机构

  • 9篇中国科学院
  • 1篇北京矿冶研究...
  • 1篇北矿新材科技...

作者

  • 9篇刘紫玉
  • 9篇孟洋
  • 8篇张培健
  • 6篇陈东敏
  • 6篇潘新宇
  • 5篇李栋
  • 5篇梁学锦
  • 4篇孟庆宇
  • 2篇杨丽丽
  • 2篇廖昭亮
  • 2篇苏涛
  • 2篇毛奇
  • 1篇王爱迪

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2009
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
透明的电阻型非易失性存储器
本发明公开了一种完全透明的非易失性存储器,该存储器包括:透明衬底,形成在所述衬底上面的透明的底部电极层,形成在所述底部电极上的透明记录介质层,以及形成在透明记录介质层上面的透明的顶部电极层,其中,透明衬底为绝缘体,透明记...
孟洋赵宏武张培健刘紫玉廖昭亮潘新宇梁学锦陈东敏
文献传递
具有发光特性的电阻存储器件及其操作方法和应用
本发明提供了一种电阻存储器件,包括:底电极;底电极上的介质层;介质层上的顶电极,其中介质层为具有电阻转变和发光特性的材料,底电极和顶电极中的至少一个对介质层所发出的光透明。本发明还提供一种根据本发明的电阻存储器件的操作方...
张培健赵宏武潘新宇孟洋刘紫玉李栋孟庆宇杨丽丽梁学锦陈东敏
文献传递
Au/SrTiO_3/Au界面电阻翻转效应的低频噪声分析被引量:2
2013年
本文研究了Au/SrTiO3/Au三明治结构中的双极电阻翻转效应,观察到高、低阻态的电阻弛豫现象.低频噪声测量表明高、低阻态的电阻涨落表现出1/f行为.对比试验表明,高阻态的低频噪声来源于反向偏置肖特基势垒和氧空位的迁移,强度较大,低阻态的噪声则源于类欧姆接触底电极区域的氧空位迁移导致的载流子涨落,强度较低.同时,界面上氧空位浓度的弛豫导致了高、低阻态的弛豫过程.
王爱迪刘紫玉张培健孟洋李栋赵宏武
关键词:低频噪声氧空位
界面电阻翻转对Nb 掺杂SrTiO3单晶热电效应的影响
了Nb 掺杂的SrTiO3 单晶在发生双极性电致电阻的高阻态和低阻态的热电性质,发现在120K到室温的范围内SrTiO3 单晶在高阻态和低阻态的赛贝克系数都随温度线性减小,高阻态赛贝克系数只比低阻态略大.在测量温度范围内...
张培建赵宏武孟洋刘紫玉李栋苏涛孟庆宇毛奇潘新宇陈东敏
关键词:RESISTIVITYSEEBECKSTRONTIUM
具有发光特性的电阻存储器件及其操作方法和应用
本发明提供了一种电阻存储器件,包括:底电极;底电极上的介质层;介质层上的顶电极,其中介质层为具有电阻转变和发光特性的材料,底电极和顶电极中的至少一个对介质层所发出的光透明。本发明还提供一种根据本发明的电阻存储器件的操作方...
张培健赵宏武潘新宇孟洋刘紫玉李栋孟庆宇杨丽丽梁学锦陈东敏
缺陷分布对Ag-SiO2薄膜电阻翻转效应的影响
2012年
通过改变制备条件,研究了Ag-SiO_2薄膜中的缺陷对电阻翻转效应的影响.对比不同的热处理实验条件,发现在120℃退火的样品经forming过程后具有稳定的电阻转变特性;另一方面,在Ar/O_2混合气氛下生长的SiO_2具有比在纯Ar下生长的样品更加稳定、重复的电阻转变特性.通过实验分析,表明热处理、电场作用和样品制备气氛可以改变、调节样品中的缺陷分布(Ag填隙原子和氧空位缺陷),从而导致Ag-SiO_2中基于缺陷的导电通道结构的形成和湮灭,提出了提高电阻翻转稳定性的必要条件.
张培健孟洋刘紫玉潘新宇梁学锦陈东敏赵宏武
ZnO紫外光电导中的低频噪声特性
采用磁控溅射方法制备了基于多晶氧化锌(ZnO)薄膜的紫外光电探测单元并在空气氛围下对样品进行了光电导和低频电流噪声测试.实验发现ZnO薄膜中的低频噪声谱具有1/f α特征(1<α<1.2),这一结论在黑暗或紫外光照下都是...
李栋孟洋张培健刘紫玉赵宏武
关键词:PHOTOCONDUCTANCELOWFREQUENCYSWEEPOUT
一种缩小存储节点的非易失性存储装置及其制造方法
本发明提供一种非易失性电阻存储器件,包括顶电极、底电极以及位于顶电极和底电极之间的阻变氧化物层,其特征在于底电极与阻变氧化物层连接的一端呈锥形,且锥形端部嵌入到阻变氧化物层中。本发明还提供一种非易失性电阻存储器件的制造方...
刘紫玉赵宏武张培健孟洋孟庆宇毛奇
文献传递
电阻存储器
本发明提供一种含有导电氧化层,并可提供给可变电阻存储介质氧元素的非易失性电阻存储器件。该非易失性电阻存储器件,包括:底电极;可变电阻存储介质层,该介质层为氧化物;充当氧库的导电氧化物;以及顶电极。通过插入的导电氧化层为介...
张培健赵宏武孟洋刘紫玉廖昭亮苏涛潘新宇梁学锦陈东敏
文献传递
共1页<1>
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