史国良
- 作品数：41 被引量：41H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程生物学更多>>
- 半导体磁光理论和红外磁光光谱研究进展被引量：1
- 1997年
- 本文主要报告我们近几年在发展磁光光谱实验技术、研制红外磁光测试系统和通过红外磁光光谱研究HgCdTe、GaAs、Si等半导体的能带结构、杂质缺陷、声子及其它元激发行为等工作中取得的成果，同时对有关理论作一般性介绍。
- 刘普霖石晓红陈张海胡灿明史国良陆卫沈学础
- 关键词：元激发半导体
- 几种掺杂浓度的GaAs表面Si-δ掺杂结构研究
- 1998年
- 本文利用了光调制光谱（ＰＲ），原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同掺杂浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁，观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动，而后达到饱和．用简单的三角势模型，在理论上计算了面掺杂浓度２．４×１０１４ｃｍ－２时，半Ｖ－形势阱中子带的能级位置，波函数的分布及光吸收系数，与实验结果相一致．
- 刘兴权陆卫陈效双乔怡敏史国良沈学础
- 关键词：砷化镓掺杂PR
- 赝形In_xGa_(1-x)As/In_(0.52)Al_(0.48)As异质结构中二维电子气的回旋共振光谱研究
- 1998年
- 采用回旋共振光谱方法，同时获得了具有较高电子气浓度的赝形Ｉｎ０８０Ｇａ０２０Ａｓ／Ｉｎ０５３Ｇａ０４７Ａｓ／Ｉｎ０５２Ａｌ０４８ＡｓＨＥＭＴ结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、散射时间和迁移率．观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应。
- 陈张海胡灿明陈建新陈建新史国良沈学础刘普霖
- 关键词：铟镓砷
- 一种原位检测直接带隙AlxGa<Sub>1-x</Sub>As分子束外延薄膜材料组分方法和装置
- 本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>As组分检测技术,它把分子束外延系统的超高真空条件,与调制光谱系统有机地结合起来,形成了一个测量Al<Sub>x<...
- 陆卫刘兴权穆耀明杜捷查访星乔怡敏史国良严立平欧海疆万明芳陈效双吴小平沈学础
- 文献传递
- Si_(1-x)Ge_x合金的红外透射光谱被引量：1
- 1996年
- 本文报道了4.2～300K 温度范围的富含 Si 的 Si_(1-x)Ge_x 合金的晶格振动红外透射光谱.实验首次观察到 Ge 杂质诱发的一个新的共振模吸收.结果还表明,直拉法生长的Si_(1-x)Ge_x 合金存在严重的氧沾污,且氧的振动峰随温度的降低向高频方向移动.
- 石晓红刘普霖史国良沈学础
- 关键词：硅锗合金红外透射光谱
- CdTe:Sm晶体的红外光谱
- 1991年
- 对掺Sm的CdTe(CdTe:Sm)晶体的红外光谱(400～5000cm^(-1))研究表明其中存在Sm^(2+)和Sm^(3+)两种价态的Sm离子,Sm^(2+)处于晶体的间隙位置,周围为非立方对称的晶体场;Sm^(3+)可以取代Cd原子而位于晶格格点处(C中心),也可以处于晶格间隙位置依其次近邻是否存在Cd空位而分别构成A中心和B中心。B中心和C中心均处于立方对称的晶体场中,经退火(Cd气氛,～600°)A中心消失。
- 韩平马可军刘普霖史国良朱景兵刘卫军沈学础
- 关键词：红外光谱晶体场
- GaAs体材料折射率红外椭圆偏振光谱研究被引量：5
- 1999年
- 报道了采用红外椭圆偏振光谱术测量ＧａＡｓ体材料折射率，测量范围为２．５～１２．５μｍ，并将所得实验数据与理论计算和其它实验结果进行了对比，表明了实验结果的可靠性．
- 黄志明季华美陈敏挥史国良陈诗伟陈良尧褚君浩
- 关键词：红外椭圆偏振光谱折射率砷化镓
- CdTe:Sm晶体红外吸收光谱的研究
- 1992年
- 本文报道了CdTe: Sm晶体红外吸收光谱的研究结果.根据立方晶体场理论和Sm离子4f能级间的跃迁特性,分析确定了 CdTe:Sm晶体中 Sm^(2+)、Sm^(3+)离子在晶格中的位置类型及其晶体场特性,用点电荷模型计算了不同位置的Sm^(3+)周围的晶体场参数.
- 韩平马可军刘普霖史国良朱景兵刘卫军沈学础
- 关键词：晶体场红外吸收光谱能级跃迁
- 一种原位检测直接带隙Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1－x</Sub>As分子束外延薄膜材料组分方法和装置
- 本发明提供了一种在超高真空条件下非接触式的原位Al<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As组分检测技术，它把分子束外延系统的超高真空条件，与调制光谱系统有机地结合起来，形成了一个测量Al<Sub>x<...
- 陆卫刘兴权穆耀明杜捷查访星乔怡敏史国良严立平欧海疆万明芳陈效双吴小平沈学础
- 文献传递
- GaAs中与施主高激发态有关的共振极化子效应被引量：1
- 1997年
- 报道了ｎ型ＧａＡｓ的杂质磁光电导谱．在相对低的磁场下观察到束缚电子高激发态与ＬＯ声子的共振相互作用；讨论了共振极化子光电导响应随磁场强度变化的行为。
- 陈张海陈忠辉刘普霖石晓红史国良沈学础
- 关键词：砷化镓施主高激发态
