吴兵朋
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
- 本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理...
- 王鹏飞吴东海吴兵朋熊永华詹峰黄社松倪海桥牛智川
- 文献传递
- GaAs基1.55μm波段InAs自组织量子点分子束外延生长
- GaAs基InAs自组织量子点材料具有独特和优越的光电性质，是二十多来半导体低维材料领域的研究重点之一。其主要研究目标包括光通信集成光电子器件、单光子发射等新型量子器件的应用等。如何拓展GaAs基InAs量子点发光波长至...
- 吴兵朋
- 关键词：GAAS
- 双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究被引量：4
- 2012年
- 研究了双层堆垛InAs/GaAs/InAs自组织量子点的生长和光致发光(PL)的物理性质。通过优化InAs淀积量、中间GaAs层厚度以及InAs量子点生长温度等生长条件,获得了室温光致发光1391～1438nm的高质量InAs量子点。研究发现对量子点GaAs间隔层实施原位退火、采用Sb辅助生长InGaAs盖层等方法可以增强高密度(2×1010 cm-2)InAs量子点的发光强度,减小光谱线宽,改善均匀性和红移发光波长。
- 魏全香吴兵朋任正伟贺振宏牛智川
- 关键词：INAS量子点光致发光分子束外延
- 异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点
- 2008年
- GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。提出了在GaAs基In0.05Ga0.95As异变过渡层上生长InAs/GaAs/InAs双层耦合量子点结构,同时利用InGaAs盖层中引入Sb辅助生长的方法,通过改变生长温度、淀积量以及In组分等生长参数,最终得到了室温光致发光波长为1533nm的InAs量子点结构,谱线半高宽为28.6meV,经原子力显微镜测试表明,其密度为(4~8)×109cm-2。预计进一步提高量子点密度后,此技术可应用于长波长量子点激光器材料的分子束外延生长。
- 王鹏飞熊永华吴兵朋倪海桥黄社松牛智川
- 关键词：分子束外延INAS量子点光致发光谱
- 异变生长GaAs基长波长InAs垂直耦合量子点
- GaAs基InAs自组织量子点在通信集成光电子以及新兴单光子器件中有着广泛应用,利用分子束外延生长方法获得长波长的InAs/GaAs量子点结构。提出了在GaAs基In0.05Ga0.95As异变过渡层上生长InAs/Ga...
- 王鹏飞熊永华吴兵朋倪海桥黄社松牛智川
- 关键词：分子束外延INAS量子点光致发光谱
- 文献传递
- 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
- 本发明公开了一种在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法，包括如下步骤：步骤1：选取(100)面偏向<111>方向6°或9°的Ge衬底；步骤2：对Ge衬底进行除气脱氧及退火处理；步骤3：将进行退火处理...
- 王鹏飞吴东海吴兵朋熊永华詹峰黄社松倪海桥牛智川
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