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吴胜利

作品数：141 被引量：56H指数：4
供职机构：西安交通大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金陕西省科技攻关计划中国科学院科研项目更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 86篇专利
  • 27篇期刊文章
  • 25篇会议论文
  • 3篇学位论文

领域

  • 49篇电子电信
  • 9篇理学
  • 5篇化学工程
  • 5篇自动化与计算...
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 3篇医药卫生
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 52篇电子发射
  • 26篇二次电子
  • 24篇二次电子发射
  • 19篇电子倍增器
  • 19篇显示器
  • 19篇溅射
  • 11篇导电
  • 11篇电子发射性能
  • 11篇电子源
  • 11篇磁控
  • 11篇磁控溅射
  • 11篇打拿极
  • 10篇电极
  • 10篇电子器件
  • 10篇表面传导电子...
  • 10篇传导电子
  • 9篇氧化镁
  • 9篇纳米
  • 8篇真空
  • 8篇显示器件

机构

  • 141篇西安交通大学
  • 5篇中国科学院
  • 1篇山西大学
  • 1篇日本庆应大学
  • 1篇华为技术有限...
  • 1篇北京东方计量...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 141篇吴胜利
  • 63篇胡文波
  • 51篇张劲涛
  • 29篇李洁
  • 19篇刘纯亮
  • 12篇魏强
  • 10篇王晓
  • 10篇王宏兴
  • 9篇徐伟军
  • 9篇王文江
  • 7篇封学民
  • 7篇李永东
  • 7篇赵令国
  • 7篇熊斯梁
  • 7篇沈志华
  • 6篇孙宏博
  • 5篇刘震
  • 5篇赵丹
  • 5篇牛刚
  • 4篇张小宁

传媒

  • 12篇真空电子技术
  • 6篇真空科学与技...
  • 3篇液晶与显示
  • 3篇中国电子学会...
  • 2篇光学技术
  • 2篇西安交通大学...
  • 2篇CT理论与应...
  • 2篇2010中国...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇2010(第...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇第九届真空电...
  • 1篇第六届全国电...
  • 1篇2016真空...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 6篇2024
  • 5篇2023
  • 8篇2022
  • 6篇2021
  • 10篇2020
  • 13篇2019
  • 10篇2018
  • 9篇2017
  • 10篇2016
  • 8篇2015
  • 5篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2011
  • 12篇2010
  • 8篇2009
  • 8篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2005
  • 1篇2002
共 141 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响被引量：5
2017年
基于半导体仿真软件Silvaco TCAD对薄膜晶体管(TFT)进行器件仿真,并结合实验验证,重点分析不同绝缘层材料及结构对TFT器件性能的影响。仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构,沟道层采用非晶IGZO材料,绝缘层采用SiN_x和HfO_2多种不同组合的叠层结构。仿真及实验结果表明:含有高k材料的栅绝缘层叠层结构较单一SiN_x绝缘层结构的TFT性能更优;对SiN_x/HfO_2/SiN_x栅绝缘层叠层结构TFT,HfO_2取40nm较为合适;对含有高k材料的3层和5层绝缘层叠层结构TFT,各叠层厚度相同的对称结构TFT性能最优。本文通过仿真获得了TFT性能较优的器件结构参数,对实际制备TFT器件具有指导作用。
李欣予王若铮吴胜利李尊朝
关键词：薄膜晶体管绝缘层氮化硅叠层结构
一种基于硅表面微结构的介质薄膜固态发光器件
本发明公开了一种基于硅表面微结构的介质薄膜固态发光器件，包括自上到下依次分布的信号电极、ITO电极、绝缘介质层、硅衬底及背电极，其中，硅衬底的上表面设置有硅表面微结构，该放光器件的工作电压较低，并且导电路径数量多，导电路...
吴胜利杨灿刘逸为张劲涛
基于多孔材料的场致发射型电子源及显示器件
本发明公开了一种基于多孔材料的场致发射型电子源及显示器件，其中电子源包括后基板，该后基板上依次设置有底电极、绝缘膜、顶电极的MIM型多层膜结构，其特征在于，所述绝缘膜由阻挡层和多孔层构成，该阻挡层靠近底电极的一侧，其厚度...
刘震李姝敏裴承全韦海成刘纯亮吴胜利
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利用多层薄膜型电子源的平面气体激发光源
本发明公开了一种利用多层薄膜型电子源的平面气体激发光源。所述平面气体激发光源包括由玻璃材料制成的前基板(1)和后基板(2)；所述前基板(1)或后基板(2)上设置有能产生表面电子发射的电子源；所述前基板(1)和后基板(2)...
胡文波郑宇吴胜利刘纯亮高燕龙
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一种二次电子发射薄膜的缓冲层及其制备方法
本发明公开了一种二次电子发射薄膜的缓冲层及其制备方法。制备掺入金属材料的氧化镁复合薄膜二次电子发射源时，先在金属基底上采用溅射镍靶或溅射氧化镍靶方式沉积一层氧化镍缓冲层，然后再在氧化镍缓冲层之上沉积掺入金属材料的氧化镁复...
胡文波李洁吴胜利魏强华星郝玲
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一种表面传导电子发射源结构及其制作方法
本发明公开了一种表面传导电子发射源结构及其制作方法，属于平板显示器制造技术领域。表面传导电子发射源结构包括沉积在基板上的一对对称的器件电极，在器件电极上沉积有电子发射薄膜，电子发射薄膜上开设有纳米裂缝；在对称的器件电极之...
吴胜利王晓张劲涛沈志华胡文波
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表面传导场发射电子源导电膜的结构
本发明公开了一种表面传导场发射电子源导电膜的结构，即电子源的导电膜由氧化钯(PdO)膜与非晶碳膜形成的多层复合膜构成，利用氧化钯膜具有的良好的电子发射稳定性及非晶碳膜具有的较低的有效功函数、大的载流子迁移率、高的击穿电压...
胡文波吴胜利刘纯亮张劲涛王文江孙永亮
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一种氮化镓/金刚石的直接键合方法
本发明公开了一种氮化镓/金刚石的直接键合方法，由以下方法制备:在金刚石衬底上生长一层金刚石外延层；对该金刚石外延层表面进行氮等离子体处理，在其表面形成一层氮终端；利用等离子体轰击氮化镓衬底无器件表面，形成氮空位表面；进行...
王宏兴刘璋成吴胜利胡文波赵丹王艳丰
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一种交叉电极结构的SED阴极基板的丝网印刷方法
本发明公开了一种交叉电极结构的SED阴极基板的丝网印刷方法，先在基板上溅射形成电极阵列，然后在其上印刷扫描电极，再在扫描电极上印刷介质层，接着在介质层上印刷寻址电极，最后溅射表面传导电子发射薄膜，即得到交叉电极结构的SE...
吴胜利王晓周子云张劲涛王文江刘震
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一种用于抑制二次电子发射的碳基薄膜及其制备方法
本发明公开了一种用于抑制二次电子发射的碳基薄膜及其制备方法，该薄膜由金属缓冲层和非晶碳层组成，金属缓冲层厚度为5‑50nm，非晶碳层厚度为30‑200nm，非晶碳膜层中碳颗粒尺寸为20‑100nm，金属缓冲层中的金属材料...
胡文波易兴康李洁高步宇李永东吴胜利林舒
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