吴高华
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西南科技大学更多>>
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- 相关领域：化学工程一般工业技术电子电信更多>>
- 基于富勒烯液态源的超纳米晶金刚石薄膜生长
- 2012年
- 通过微波等离子体化学气相沉积技术(MWPCVD),以富勒烯(C60)甲苯饱和溶液为碳源,用载气携带的方式通入反应腔中生长金刚石膜。Raman光谱、SEM和AFM表征结果表明得到的超纳米晶金刚石薄膜相组成纯度较高,其平均晶粒尺寸约为15 nm,表面粗糙度为16.56 nm,薄膜平均生长速率约为0.6μm/h。此方法较其他以C60为碳源生长超纳米晶金刚石薄膜的方法更为简便,且容易控制富勒烯碳源的浓度,沉积速率更高,是一种新型的制备超纳米晶金刚石薄膜的可控工艺方法。
- 周亮王兵熊鹰叶勤燕王东吴高华
- 关键词：富勒烯C60微波等离子体化学气相沉积
- MPCVD法同质外延生长单晶金刚石研究
- 针对高速、高质量金刚石单晶外延的优化工艺技术，本文利用自行研制的10kW、2.45GHz不锈钢谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置，以高温高压法(HTHP)合成的Ib型(001)单晶金刚石为基底、在H2-C...
- 吴高华
- 关键词：单晶金刚石微波等离子体化学气相沉积
- 文献传递
- 氧碳比对MPCVD法同质外延单晶金刚石的影响被引量：4
- 2013年
- 以Ib型(100)取向高温高压(HPHT)单晶金刚石为基底、H2-CH4-CO2混合气为反应气源,利用10kW、2.45GHz不锈钢谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置进行金刚石同质外延生长。通过光学显微镜表征外延生长金刚石的表面形貌;Raman光谱表征金刚石的结晶质量;螺旋测微仪测厚再计算生长速率,着重探讨工艺因素中氧碳比对同质外延金刚石生长速率、表面形貌、金刚石结晶质量的影响。结果表明随着氧碳比的增加,金刚石生长模式由二维形核模式转变为台阶流模式,结晶质量提高,生长速率变慢;在微波功率7.8kW、CH4浓度(与H2的比例)8%、气压18kPa、基底温度1080℃条件下,氧碳比为0.8时,金刚石结晶质量好且生长速率高(达16μm/h)。反应气源中引入合适比例的CO2是获得高的生长速率同时有效改善同质外延单晶金刚石结晶质量的有效方法。
- 吴高华王兵熊鹰陶波黄芳亮刘学维
- 关键词：单晶金刚石MPCVD
