唐明华
- 作品数：78 被引量：22H指数：2
- 供职机构：湘潭大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖南省自然科学基金国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- MFIS结构铁电薄膜场效应晶体管的制备及性能表征
- 铁电随机读写存储器(FeRAM)由于具有非挥发性、低功耗、高读写次数、高存取速度、高密度存储、抗辐射、与集成电路(IC)工艺兼容等突出优点，而被公认为下一代最具潜力的存储器之一，在计算机、航空航天和国防等领域具有广阔的应...
- 唐明华
- 关键词：场效应晶体管铁电存储器性能表征
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- 高速模数转换器中复杂时钟树的建立方法和建立装置
- 本发明公开了一种高速模数转换器中复杂时钟树的建立方法，包括以下步骤：建立一个延时电路；将延时电路的输出分为多个单点输出，每一个单点输出的延时时间通过电荷泵的输出vcont来调节，从而得到多个不同时间的上升沿和下降沿；通过...
- 唐明华兰燕康锎璨肖永光燕少安李刚李正
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- 一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法
- 本发明公开了一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法。所述抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管包括半导体衬底、外延层、源区、漏区、栅极，源区与漏区之间设有第一阈值电压注入区，所述漏区的外围设有环形深掺杂漏区，深掺杂漏...
- 唐明华徐新宇燕少安张万里
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- 一种基于铁电场效应晶体管的差分放大电路
- 本发明公开了一种基于铁电场效应晶体管的差分放大电路，包括第一P型铁电场效应晶体管、第二P型铁电场效应晶体管、第三P型铁电场效应晶体管、第一N型铁电场效应晶体管、第二N型铁电场效应晶体管；第一P型铁电场效应晶体管与第一N型...
- 唐明华李凯秦亚燕少安
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- 一种深亚微米SRAM 6T存储单元的设计方法被引量：2
- 2009年
- 文章首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限(SNM)。在此基础上给出了一种基于实际深亚微米CMOS工艺的存储单元的设计方法,该方法的优势在于首先考虑单个读、写操作的限制,然后将多个限制因素综合在一起考虑,并通过三维曲线图形为仿真提供指导,以提高设计效率,缩短设计周期。最后给出了存储单元的晶体管参数并采用Hspice进行验证,仿真结果表明,采用这种方法设计出来的单元是稳定可靠的。
- 张新川王勇蒋波唐明华
- 关键词：静态随机存储器深亚微米仿真
- 一种碱式硫酸镁晶须的改性方法
- 本发明公开了一种碱式硫酸镁晶须的改性方法。它包括以下步骤：采用去离子水和无水乙醇配制KH‑570水醇溶液、以无水乙酸调节水醇溶液的pH、密封搅拌水解、室温静置、加入晶须后密封条件下进行搅拌反应，干燥和高温活化。本发明对碱...
- 唐明华刘文元赵小什
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- 一种可实现多操作数内存计算的铁电存储器阵列
- 本发明公开了一种可实现多操作数内存计算的铁电存储器阵列，包括感测及多值计算单元、感测线驱动器、地址解码器，感测及多值计算单元与存储器阵列相连，存储器阵列与转发行单元相连；地址解码器与存储器阵列相连；感测及多值计算单元与输...
- 唐明华刘睿陈晓玲李刚燕少安肖永光李正
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- 全耗尽SOI MOSFETs阈值电压和电势分布的温度模型(英文)
- 2008年
- 提出了一个全耗尽SOIMOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型.基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解.同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型.该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系,同时还近似地探讨了短沟道效应.为了进一步验证模型的正确性,利用SILVACOATAS软件进行了相应的模拟.结果表明,模型计算与软件模拟吻合较好.
- 唐俊雄唐明华杨锋张俊杰周益春郑学军
- 关键词：全耗尽SOIMOSFETS电势阈值电压
- 一种新型深亚微米电流灵敏放大器的设计被引量：3
- 2009年
- 快速读取的灵敏放大器对于现代便携式电子设备极其重要。对此,设计出一种具有较快读取速度的新型电流灵敏放大器。这种灵敏放大器采用改进了的预充电电路,可以在预充电期间维持较大的预充电电流,并且采用两级放大电路对信号进行放大,使放大器的读取速度得到显著提高。采用上海宏力0.18μm工艺在HSpice下进行仿真,结果表明:在1.8 V工作电压和室温条件下,放大器的读取时间仅为13 ns。
- 王勇张新川唐明华蒋波
- 关键词：非挥发性存储器深亚微米HSPICE
- 铁电存储器(FeRAM)研究进展
- 唐明华
