- 基于Si-NPA的ZnO复合体系光电性质研究
- 多孔硅具有制备工艺简单、发光效率高、后处理与传统硅平面工艺兼容等优点，是目前最好的硅发光材料，在各种硅光电子器件和光电子集成电路(OEIC)等方面具有诱人的应用前景。通过对多孔硅发展历史的深入调研，我们发现，传统电化学腐...
- 姚志涛
- 关键词：硅纳米孔柱阵列氧化锌薄膜光致发光
- 文献传递
- 氧化锌/硅纳米孔柱阵列的结构和光致发光特性研究被引量：2
- 2007年
- 以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底、用化学气相沉积法制备了具有规则阵列结构特征的ZnO/Si-NPA纳米复合体系,并对其结构和光致发光性质进行了表征.实验结果显示,组成ZnO/Si-NPA表面阵列的每个柱子均呈现层壳结构.不同于衬底Si-NPA的红光和蓝光发射,ZnO/Si-NPA在紫外光区和蓝绿光区呈现出两个强的宽发光峰.分析表明,紫外光发射应归因于ZnO晶体的带边激子跃迁;而蓝绿光发射则来自于ZnO晶体本征缺陷所形成的两类深能级复合中心上载流子的辐射跃迁.
- 姚志涛孙新瑞许海军姜卫粉肖顺华李新建
- 关键词：光致发光
- ZnO/Si纳米孔柱阵列的真空蒸镀及其光致发光特性
- 2008年
- 以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,通过采用真空蒸镀技术沉积金属锌,再在纯氧气氛中进行氧化退火的方法,制备出具有阵列特征的ZnO/Si-NPA异质结构材料。研究发现,ZnO/Si-NPA的表面形貌、结构和光致发光特性强烈依赖于氧化退火温度。当氧化退火温度低于400℃时,样品的发光主要来自于Si-NPA衬底;当氧化退火温度高于700℃时,样品的发光主要来自于ZnO薄膜;经过600℃氧化退火的样品则同时包含有来自于Si-NPA和ZnO薄膜的发光。上述结果表明,通过控制ZnO/Si-NPA制备过程中的氧化退火温度,可以在一定程度上实现对其光致发光谱的有效调控。这对未来制备具有特定功能的半导体光电器件具有重要的实际意义。
- 朱丽红许海军姚志涛李新建
- 关键词：光致发光
