孟志国
- 作品数：130 被引量：169H指数：7
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 电流模式Poly-Si TFT AM-OLED像素单元的模拟设计被引量：4
- 2004年
- 模拟和分析了作为电流模式多晶硅薄膜晶体管(poly SiTFT)有源矩阵有机发光二极管(AM LOED)像素单元的poly SiTFT/OLED耦合对的J V特性和poly SiTFT电流镜的I V特性。使用Mathcad数学计算软件和AIM SPICE电路模拟工具,分别对OLED和TFT耦合对和TFT电流镜进行了模拟计算。理论上,采用电流模式的poly SiTFTAM OLED可以解决器件间的不一致性问题。无论迁移率的不一致还是阈值电压Vth的差异都可以被补偿,从而使灰度的一致性得以改善。因为采用了倒置的OLED结构,可以用N型poly SiTFT作为电流阱来驱动OLED,所以像素的性能进一步优化。结果表明,poly SiTFT/OLED耦合对的驱动电压低,在200A/m2下不超过8V;而TFT电流镜的跟随能力很好,在0.0～2.5μA时饱和电压只有1.5～2.5V。
- 郭斌吴春亚孟志国林立杨广华李娟周祯华熊绍珍
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管有源矩阵电流镜AM-OLED
- a—Si TFT复合栅绝缘层用阳极氧化Ta_2O_5的研究被引量：2
- 1994年
- 研究了Ｔａ的阳极氧化反应动力学用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管（ａ─ＳｉＴＦＴ）的复合栅绝缘层Ｔａ２Ｏ５厚度，膜质均匀、性能优良，使复合栅绝缘层ａ─ＳｉＴＦＴ的开启电压（ＶＴ）控制在３─５Ｖ之间，开关电流比（Ｉ（ｏｎ）／Ｉ（ｏｆｆ））大于１０７，场效应迁移率为０．８６ｃｍ２／Ｖ·Ｓ．
- 熊绍珍张建军周祯华孟志国戴永平谷纯芝马京涛丁世斌赵庚申
- 关键词：阳极氧化薄膜晶体管
- YAG倍频激光退火MILC-TFT技术
- 孟志国郭海城王文李娟吴春亚熊绍珍
- 该项目在非晶硅经金属诱导横向晶化（MILC）形成多晶硅的基础上，采用适当功率的、三倍频的YAG激光，对MILC薄膜进行附加的后续退火处理。这种附加的激光再退火过程，是MILC与激光退火两方法的结合，与MILC比起来，在保...
- 关键词：
- 多晶硅TFT有机发光有源驱动技术的研究
- 孟志国
- 该课题组成功研制出具有动态显示效果的5英寸彩色有机发光显示器(AM-OLED)模块，有效显示对角尺寸为5英寸，分辨率为QVGA。显示器基板的整体结构为单边扫描电极、单边功率电极、双边数据电极的简单结构，能降低信号传输的频...
- 关键词：
- 关键词：多晶硅显示器基板
- 镍溶液雾滴法制备碟型大晶畴多晶硅的方法及产品和应用
- 本发明公开一种镍溶液雾滴法制备碟型大晶畴多晶硅的方法及产品和应用，方法包括如下步骤：在上面形成有一层阻挡层的衬底上，沉积形成一层非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜上喷洒镍盐溶液微小雾滴；采用去离子水冲淋非晶硅薄膜的表面，使离散微量...
- 吴春亚熊绍珍李娟孟志国
- 文献传递
- 用于非晶硅太阳电池的p型a-SiC:H:B窗口材料及其前后界面的研究被引量：7
- 1992年
- 本文报道了非晶硅p-i-n结构太阳电池窗口材料a-Si C∶H∶B及其前后界面SnO_2膜和本征a-Si∶H膜的研究结果。太阳电池的这三部分与性能参数V_(oc)、I_(sc)和FF直接有关,界面性质在一定程度上也影响太阳电池的稳定性。
- 耿新华孟志国王广才孙云陆靖谷孙钟林
- 关键词：非晶硅太阳能电池
- 一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法
- 一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，将衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得的多层薄膜，在450℃～550℃下氢等离子氛围中退火，较短时间即可获得完全晶化了的多晶硅薄膜。该发明不仅将传统的...
- 罗翀李娟孟志国吴春亚熊绍珍
- MIUC poly-Si TFT及其在SOP-LCD中的应用
- 本文基于金属诱导单向晶化(MIUC)技术,通过版图的选择设计和工艺流程的优化,结合后热退火处理,制备出迁移率高于100cm2/V.s,开关比大于107,阈值电压的绝对值在3V以内的P沟和N沟MIUCpoly-SiTFTs...
- 吴春亚孟志国马海英熊绍珍张丽珠王文郭海成
- 关键词：液晶显示薄膜晶体管
- 文献传递
- 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法
- 一种采用背面保温层技术激光晶化多晶硅薄膜的方法，步骤如下：在玻璃衬底正面上沉积阻挡层；在阻挡层上沉积晶化前驱物；在上述玻璃衬底背面沉积非晶硅薄膜保温层；用激光器扫描玻璃衬底正面的晶化前驱物表面，晶化完成后形成多晶硅表面；...
- 李娟尹春建熊绍珍杨明吴春亚孟志国
- 文献传递
- 纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式OLED的研究被引量：2
- 2009年
- 采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的P-nc-Si∶H薄膜材料(σ=5.86S/cm、Eopt>2.0eV).通过XRD测量计算出薄膜<111>、<220>和<311>三个晶向上的晶粒大小分别为15nm、17nm和21nm;通过Raman测量,计算出其晶化率为35%左右.实验中,将P型纳米硅薄膜与氧化铟锡一起构成有机电致发光器件的复合阳极,研究了他们的发光特性,结果表明:由于P-nc-Si∶H薄膜材料具有近似半反半透的光学特性,它与高反射率的阴极Al使有机电致发光器件产生了微腔效应,使其发光光谱窄化,半宽高由126nm窄化到33nm;发光光亮明显增强,最大亮度为47130cd/m2,最大发光效率为9.54383cd/A,与以ITO为阴极的无腔器件相比,提高了约127%.
- 李阳刘星元吴春亚孟志国王忆熊绍珍
- 关键词：微腔
