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宋健全

作品数:2 被引量:9H指数:2
供职机构:西北工业大学材料学院更多>>
发文基金:中国航空科学基金国防基础科研计划更多>>
相关领域:理学航空宇航科学技术一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇溅射
  • 2篇红外
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇磷化镓
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化锌
  • 1篇工艺参
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇航空
  • 1篇红外窗口
  • 1篇红外窗口材料
  • 1篇GAP
  • 1篇沉积速率

机构

  • 2篇西北工业大学

作者

  • 2篇宋健全
  • 2篇刘正堂
  • 2篇郭大刚
  • 2篇耿东生

传媒

  • 1篇红外技术
  • 1篇兵器材料科学...

年份

  • 2篇2002
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能被引量:4
2002年
采用射频磁控溅射方法在ZnS衬底上制备了不同工艺参数下的GaP薄膜 ,并通过FTIR分析了工艺参数对GaP薄膜红外透过率的影响规律。利用优化后的工艺参数成功地制备了厚为 10 .5 μm的GaP膜 ,根据膜系设计结果制备了DLC/GaP膜系。实验表明 ,GaP厚膜与基体结合性能较好 ,光学性能亦有所改善 ;DLC/GaP膜系的红外增透效果良好 ,在 8~ 11.5 μm波段平均透过率净增 5 .6 9% ,足以满足 8~ 11.5 μm增透要求。
郭大刚刘正堂宋健全耿东生
关键词:射频磁控溅射光学性能红外硫化锌航空
工艺参数对磁控溅射磷化镓(GaP)薄膜沉积速率的影响被引量:6
2002年
采用磁控溅射方法成功地在ZnS衬底上制备了磷化镓 (GaP)薄膜 ,并系统地研究了射频功率、气体流量、工作气压、衬底温度等主要工艺参数对GaP膜沉积速率的影响规律。实验表明 ,随着射频功率、气体流量的增加 ,沉积速率逐渐增大 ;工作气压增大 ,沉积速率降低 ;
郭大刚刘正堂宋健全耿东生
关键词:磁控溅射沉积速率红外窗口材料GAP
共1页<1>
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