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屠睿

作品数:3 被引量:6H指数:1
供职机构:复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇电容
  • 1篇电容提取
  • 1篇亚微米
  • 1篇深亚微米
  • 1篇四管
  • 1篇微米
  • 1篇六管
  • 1篇解析模型
  • 1篇二维解析模型
  • 1篇保角变换
  • 1篇RESOUR...
  • 1篇ROUTIN...
  • 1篇CHIP
  • 1篇DESIGN...
  • 1篇FDP
  • 1篇超深亚微米
  • 1篇PROGRA...

机构

  • 3篇复旦大学

作者

  • 3篇屠睿
  • 2篇邵丙铣
  • 1篇王建
  • 1篇陈利光
  • 1篇余慧
  • 1篇张火文
  • 1篇王亚斌
  • 1篇王元
  • 1篇王颀
  • 1篇卢海舟
  • 1篇吴芳
  • 1篇申秋实
  • 1篇李晴
  • 1篇黄均鼐
  • 1篇刘丽蓓
  • 1篇来金梅
  • 1篇潘光华
  • 1篇童家榕

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇计算机辅助设...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2005
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于保角变换的片内互连线电容二维解析模型
2005年
通过保角变换严格推导了计入交叠电场贡献的有用电容元的解析表达式,在此基础上提出的互连线二维解析模型能够在一定的连线截面几何参数范围内取得精确的提取结果.实验证明,对于双线系统和多线系统,文中推导的解析模型的提取误差的均方值分别小于2%和7%,均优于对比文献的提取精度.作为一种有竞争力的电容提取方法,该解析模型能够应用于互连线分析设计工具软件之中.
王颀屠睿邵丙铣
关键词:电容提取保角变换
超深亚微米无负载四管与六管SRAMSNM的对比研究被引量:5
2006年
采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型,推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型,对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响。
屠睿刘丽蓓李晴邵丙铣
Design and Implementation of an FDP Chip被引量:1
2008年
A novel Fudan programmable logic chip (FDP) was designed and implemented with a SMIC 0. 18μm CMOS logic process. The new 3-LUT based logic cell circuit increases logic density about 11% compared with a traditional 4-input LUT. The unique hierarchy routing fabrics and effective switch box optimize the routing wire segments and make it possible for different lengths to connect directly. The FDP contains 1,600 programmable logic cells, 160 programmable I/O, and 16kbit dual port block RAM. Its die size is 6. 104mm× 6. 620mm, with the package of QFP208. The hardware and software cooperation tests indicate that FDP chip works correctly and efficiently.
陈利光王亚斌吴芳来金梅童家榕张火文屠睿王建王元申秋实余慧黄均鼐卢海舟潘光华
共1页<1>
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