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张中华
作品数:
13
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供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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相关领域:
自动化与计算机技术
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合作作者
宋志棠
中国科学院上海微系统与信息技术...
宋三年
中国科学院上海微系统与信息技术...
刘波
中国科学院上海微系统与信息技术...
夏洋洋
中国科学院上海微系统与信息技术...
王青
中国科学院上海微系统与信息技术...
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自动化与计算...
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宋三年
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张中华
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宋志棠
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2014
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2013
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钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法
本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法,包括:1)在基底上引入SbCl<Sub>3</Sub>脉冲,清洗未被吸收的SbCl<Sub>3</Sub>,然后引入(R<Sub>3</Sub>S...
宋三年
宋志棠
吴良才
饶峰
刘波
彭程
张中华
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钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法
本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法,包括:沉积Ti前驱体,所述Ti前驱体包括(R<Sup>1</Sup>)<Sub>4</Sub>Ti、(R<Sup>1</Sup>R<Sup>2</Sup>...
宋三年
宋志棠
张中华
顾怡峰
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用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料
本发明提供一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料。该Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料的通式为Ga<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>Sb<Sub>z</Sub>Te<Sub>w</Sub>,其中...
张中华
宋三年
宋志棠
吕叶刚
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用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Sn-Ge-Te薄膜材料及其制备方法。该薄膜材料是一种锡、锗、碲三种元素组成的材料,其通式为Sn<Sub>x</Sub>Ge<Sub>y</Sub>Te<Sub>z</Sub>,其中0<x...
张中华
宋三年
宋志棠
彭程
吕业刚
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相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法
本发明提供一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法,包括步骤:1)于衬底上制备GeTe材料薄膜层;2)于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层,并图形化所述刻蚀阻挡层;3)将GeTe材料薄膜层送入具有BCl<Sub>3...
夏洋洋
刘波
王青
张中华
宋三年
宋志棠
封松林
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一种相变材料、该相变材料制成的相变存储器及制备方法
本发明提供一种相变材料,其组分通式为CrxSbyTe1的化合物,其中,元素的原子比满足:0<x<1,2.0≤y≤3.5。本发明还提供一种包括所述相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的制备方法。本发明提供的C...
王青
刘波
夏洋洋
张中华
宋三年
宋志棠
封松林
一种神经元器件及神经网络
本发明提供一种神经元器件及神经网络,所述神经元器件包括:下加热电极;相变材料;上电极;以及周围介质材料;其中,所述神经元器件在施加恢复脉冲时转变为正常态,而在施加刺激脉冲时转变为兴奋态。该神经元器件由正常态转变为兴奋态只...
宋三年
宋志棠
张中华
成岩
蔡道林
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钨-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元制备方法
本发明提供一种钨-锑-碲相变材料的原子层沉积方法及相变存储单元的制备方法,包括:1)在基底上引入SbCl<Sub>3</Sub>脉冲,清洗未被吸收的SbCl<Sub>3</Sub>,然后引入(R<Sub>3</Sub>S...
宋三年
宋志棠
吴良才
饶峰
刘波
彭程
张中华
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钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法
本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法,包括:沉积Ti前驱体,所述Ti前驱体包括(R<Sup>1</Sup>)<Sub>4</Sub>Ti、(R<Sup>1</Sup>R<Sup>2</Sup>...
宋三年
宋志棠
张中华
顾怡峰
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一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法
本发明提供一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法,所述Sb-Te-Cr相变材料的化学通式为Sb<Sub>x</Sub>Te<Sub>y</Sub>Cr<Sub>100-x-y</Sub>,其中x、y均指...
王青
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