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张年满

作品数：46 被引量：50H指数：5
供职机构：中国核工业集团公司核工业西南物理研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：核科学技术一般工业技术理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 39篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 36篇核科学技术
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 24篇托卡马克
  • 15篇托卡马克装置
  • 12篇等离子体
  • 10篇HL
  • 10篇HL-1M装...
  • 8篇第一壁
  • 8篇聚变
  • 7篇锂
  • 6篇HL-1M
  • 5篇硼化
  • 5篇辉光
  • 5篇辉光放电
  • 5篇氦
  • 4篇等离子体杂质
  • 4篇偏滤器
  • 4篇内壁
  • 4篇聚变装置
  • 4篇硅化
  • 3篇原位
  • 3篇质谱

机构

  • 44篇中国核工业集...
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇西华大学

作者

  • 44篇张年满
  • 25篇王明旭
  • 18篇严东海
  • 15篇王志文
  • 12篇王恩耀
  • 10篇梁雁
  • 10篇崔成和
  • 8篇洪文玉
  • 8篇朱毓坤
  • 5篇崔成河
  • 4篇李波
  • 3篇邓冬生
  • 3篇姚良骅
  • 3篇杨志刚
  • 2篇徐云仙
  • 2篇吴继红
  • 2篇金凡亚
  • 2篇沈丽如
  • 2篇陈美艳
  • 2篇许泽金

传媒

  • 14篇核聚变与等离...
  • 12篇四川真空
  • 9篇真空与低温
  • 1篇物理学报
  • 1篇真空
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国真空学会...
  • 1篇第九届全国等...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 7篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 10篇1998
  • 5篇1997
  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1989
共 46 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
二次离子质谱在HL—1M聚变装置中的应用
1998年
将ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪改成研究第一壁材料及其涂层，新材料性能的重要实验设备。在ＨＬ－１Ｍ装置设计，安装和物理实验过程中，我们用该设备对ＨＬ－１Ｍ装置真空室用ＡＩＳＩ３０４Ｌ不锈钢，第一壁用ＳＭＦ－８００石墨材料及ＨＬ－１Ｍ装置原位硼化，硅化涂层和ＳｉＣ等涂层材料的真空热解释性能，吸氧性能和化学溅射性能以进行了实验研究，并对装置主轴气扁管内壁的清洁度进行了监测。实验证明了原位硼化。
王明旭张年满
关键词：二次离子质谱托卡马克装置
HL—1M装置硼化膜的研究被引量：3
1997年
ＨＬ－１Ｍ装置采用Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２蒸汽等离子体增强沉积技术对第一壁进行了原位硼化，在第一壁表面上形成一层半透明、非晶ａ－Ｂ／Ｃ：Ｈ膜。在单电极、１．２Ａ／７５０Ｖ放电参数下，平均沉积速率为１１０ｎｍ／ｈ，膜厚不均匀度为８４％，Ｂ／Ｃ＝０．６－２．０，Ｂ－Ｃ的结合能为９７－９９ｅＶ，与Ｂ／Ｃ值有关。膜层中有２０－３０％的硼是以Ｂ－Ｃ的形式存在，７０－８０％碳是以ａ－Ｃ：Ｈ形式存在。
王明旭张年满
关键词：托卡马克装置聚变堆材料
HL—1M装置原位硅化涂层研究
1998年
自ＨＬ－１Ｍ装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了等离子体约束性能，本文对ＨＬ－１Ｍ装置的硅化涂层性能以及对等离子体杂质，热辐射和再循环进行了研究，并对装置抽气扁管内壁状态进行了分析描述。
王明旭张年满
关键词：等离子体杂质托卡马克第一壁
HL-1M装置器壁锻炼
2002年
HL-1M装置运行的7年中，系统地研究了器壁原位清洗、原位硼化、硅化、锂化和锂-硅复合处理以及涂层的原位清除技术。由于原位硅化具有稳定、良好的杂质和再循环控制能力，使其成为HL-1M装置进行改善等离子体约束实验必不可少的壁处理手段。锂-硅复合壁具有锂壁的低杂质、低氢再循环和低辐射能量，又具有硅化壁长寿命的特点，是目前最佳的壁处理手段。He-GDC取代了H2-TDC，在器壁原位清洗、器壁原位处理和涂层原位清除中扮演了重要角色。
王明旭张年满王志文邓冬生严东海崔成和梁雁王恩耀刘永朱毓坤
关键词：HL-1M装置硅化再循环涂层
HL-2A抽气偏滤器系统方案
2002年
HL-2A抽气偏滤器系统由原ASDEX的19个钛球升华器和一套特殊结构的低温泵模件组成。低温泵对H2的效抽速约为5m^3S^-1。
曹曾徐云仙催成和张年满严建成
关键词：低温泵抽速抽气偏滤器
HL-1M托卡马克中的硼化被引量：3
1998年
用碳硼烷加氦直流辉光放电，在ＨＬ－１Ｍ托卡马克内壁上原位涂覆了含碳硼膜，平均厚度５０—７０ｎｍ，硼碳比约为１６。硼化后器壁条件有了本质的改善，对器壁上氧源的抑制特别显著，也增强了石墨表面抗氢离子和氢原子化学蚀刻的能力。硼化显著改善了等离子体性能和提高了等离子体参数。扰动显著减小，放电稳定性和重复性提高。硼化为低混杂波电流驱动实验创造了良好的壁条件。
张年满王恩耀王明旭洪文玉王志文崔成和梁艳
关键词：硼化托卡马克装置
强磁场下高抗干扰能力、快响应真空规的研制进展
2002年
在托卡马克放电过程中，由于等离子体与壁相互作用，使器壁迅速释放大量杂质粒子和燃料气体，增加等离子体杂质浓度和氢再循环，严重影响等离子体的稳定性；在偏滤靶附近，中性粒子密度则决定了辐射滤器以及脱离靶等偏滤器等运行模式，为此，特定位置的中性粒子的密度、通量密度等成为等离子体与壁相互作用研究非常重要的参数。
王明旭李波杨志刚张年满吴继红
关键词：等离子体强磁场托卡马克偏滤器
在几种约束模式下氘核对氘核的势垒贯穿被引量：4
2002年
分别对游离态的氘 氘核系统 ,磁阱位形下的氘等离子体 ,共有电子对约束的氘 氘核系统 ,以及在晶格强力约束下实现了高密度积累的氘 氘核系统中氘核间库仑相互作用的位能曲线进行了讨论 ,并以此为基础在一维方势垒近似下研究了在上述几种约束模式下氘核对氘核的势垒贯穿 ,以及因此而引起的核反应率随相关参数的变化情况 .研究表明 ,冷聚变在物理上是说得通的 ,但聚变率太低 ,看不出有任何现实意义 .
李家全张年满
关键词：约束模式氘核势垒贯穿核聚变冷聚变核反应
HL-1M的原位处理技术被引量：2
1999年
介绍 Ｈ Ｌ－ １ Ｍ 托卡马克装置的壁处理技术。使用氦辉光放电清洗清除装置杂质和降低壁中氢含量，壁硼化和硅化技术以及原位沉积膜的原位清除。
王志文王恩耀张年满王明旭严东海崔成河
关键词：硼化硅化托卡马克原位处理
HL-1M装置氦辉光放电清洗的清除率研究
1998年
通过对ＨＬ－１Ｍ装置的氦直流辉光放电清洗（Ｈｅ－ＧＤＣ）的放电特点和清除率的研究，发现环形真空室的对称性导致与阳极截面对称的区域的场强很弱，使其阴极位降区的厚度远大于氦离子的平均自由程，严重影响清除率，因此提出采用多电极不对称阳极电位的辉光放电来提高清除率；同时发现，辉光放电清洗使氢分压比托卡马克放电的送氢压强低一个量级以上，才能重复进行好的有辅助加料的托卡马克放电。
王志文张年满王明旭严东海崔成和梁雁
关键词：氦直流辉光放电清除率托卡马克装置
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